Tüm Kategoriler

IGBT Modülü 1200V

IGBT Modülü 1200V

Anasayfa /  ÜRÜNLER /  IGBT modülü /  IGBT Modülü 1200V

GD100HFQ120C1SD,IGBT Modülü,STARPOWER

1200V 100A, paket: C1

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD100HFQ120C1SD
  • Giriş
  • Çizelge
  • Eşdeğer Devre Şeması
Giriş

Kısa tanıtım

IGBT modülü ,üretildi STARPOWER . 1200V 100A.

Özellikler

  • Düşük VCE (satürn) Trench IGBT teknolojisi
  • 10μs kısa devre kapasitesi
  • Pozitif sıcaklık katsayısı olan VCE (sat)
  • Maksimum birleşim sıcaklığı 175
  • Düşük endüktansa olan bir vaka
  • Hızlı ve yumuşak geri kazanım paralel karşı FWD
  • İzole bakır taban plakası DBC teknolojisi kullanarak

Tipik Uygulamalar

  • Aktarma modu güç kaynağı
  • Indüktif ısıtma
  • Elektronik kaynak

Mutlak Maksimum Değerlendirmeler T F =25 o C tabii ki aksi takdirde not edildi

IGBT

Sembolik

Açıklama

Değer

Birim

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1200

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

Ben C

Toplayıcı Akımı @ T C =25 o C @ T C =100 o C

162

100

A

Ben CM

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t p =1ms

200

A

P D

Maksimum güç Dağılımı @ T vj =175 o C

595

W

Diyot

Sembolik

Açıklama

Değer

Birim

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Volt yaş

1200

V

Ben F

Diyot Sürekli İleri Cu kiralık

100

A

Ben Fm

Diyot Maksimum İleri Akımı t p =1ms

200

A

Modül

Sembolik

Açıklama

Değer

Birim

T vjmax

En yüksek kavşak sıcaklığı

175

o C

T vjop

Hareket noktası sıcaklığı

-40 ile +150 arasında

o C

T STG

Depolama sıcaklık aralığı

-40'tan +125'e kadar

o C

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t =1 dakikada

2500

V

IGBT Özellikler T C =25 o C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene Doymak Voltajı

Ben C =100A,V GE =15V, T vj =25 o C

1.85

2.30

V

Ben C =100A,V GE =15V, T vj =125 o C

2.25

Ben C =100A,V GE =15V, T vj =150 o C

2.35

V GE (th )

Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj

Ben C =4.0 mA ,V CE = V GE , T vj =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

Ben CES

Toplayıcı Kes -OFF Akım

V CE = V CES ,V GE =0V, T vj =25 o C

1.0

mA

Ben GES

Geçit-Emitör Sızıntıları Akım

V GE = V GES ,V CE =0V, T vj =25 o C

400

nA

R Gint

İç kapı direnci - Ne?

7.5

ω

C ies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

10.8

nF

C res

Geriye dönüştürme Kapasite

0.30

nF

Q G

Geçit Ücreti

V GE =-15 ...+15V

0.84

μC

t d (oN )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =100A, R G =5.1Ω, V GE =±15V, L S =45 nH ,T vj =25 o C

59

ns

t r

Kalkma zamanı.

38

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

209

ns

t f

Sonbahar zamanı

71

ns

E oN

Anahtarlama Kayıp

11.2

mJ

E oFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

3.15

mJ

t d (oN )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =100A, R G =5.1Ω, V GE =±15V, L S =45 nH ,T vj =125 o C

68

ns

t r

Kalkma zamanı.

44

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

243

ns

t f

Sonbahar zamanı

104

ns

E oN

Anahtarlama Kayıp

14.5

mJ

E oFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

4.36

mJ

t d (oN )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =100A, R G =5.1Ω, V GE =±15V, L S =45 nH ,T vj =150 o C

71

ns

t r

Kalkma zamanı.

46

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

251

ns

t f

Sonbahar zamanı

105

ns

E oN

Anahtarlama Kayıp

15.9

mJ

E oFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

4.63

mJ

Ben SC

SC Verileri

t P ≤ 10μs, V GE =15V,

T vj =150 o C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200V

400

A

Diyot Özellikler T C =25 o C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

V F

Diyot ileriye Voltaj

Ben F =100A,V GE =0V,T vj =2 5o C

1.85

2.30

V

Ben F =100A,V GE =0V,T vj =125 o C

1.90

Ben F =100A,V GE =0V,T vj =150 o C

1.95

Q r

Geri Alınan Ücret

V R =600V,I F =100A,

-di/dt=961A/μs,V GE =-15V L S =45 nH ,T vj =25 o C

7.92

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

46.4

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

2.25

mJ

Q r

Geri Alınan Ücret

V R =600V,I F =100A,

-di/dt=871A/μs,V GE =-15V L S =45 nH ,T vj =125 o C

15.0

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

54.5

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

5.08

mJ

Q r

Geri Alınan Ücret

V R =600V,I F =100A,

-di/dt=853A/μs,V GE =-15V L S =45 nH ,T vj =150 o C

18.8

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

58.9

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

6.67

mJ

Modül Özellikler T C =25 o C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Max.

Birim

L CE

Savrulan endüktansa

30

nH

R CC+EE

Modül Kurşun Direnci, Çip'e terminal

0.75

R - Yürü

Kavşak -için -DURUM (perIGBT ) Çaprazla bağlantı (Di başına) (çıkış)

0.252 0.446

K/W

R thCH

DURUM -için -Isı çubuğu (perIGBT )Kasa-Soğutucu (pe r Diyot) Kürsüden ısı toplayıcıya (her Modül)

0.157 0.277 0.050

K/W

M

Terminal Bağlantı Döner, M5 vida Montaj Döner, M6 Çivit

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Ağırlık ile ilgili Modül

150

g

Çizelge

Eşdeğer Devre Şeması

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecektir.
Email
0/100
Ad
0/100
Şirket Adı
0/200
Mesaj
0/1000

İLGİLİ ÜRÜN

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecektir.
Email
0/100
Ad
0/100
Şirket Adı
0/200
Mesaj
0/1000