Tüm Kategoriler

IGBT Modülü 1700V

IGBT Modülü 1700V

ana sayfa /  ÜRÜNLER /  IGBT modülü /  IGBT Modülü 1700V

GD100HCX170C6SA ,IGBT Modülü,STARPOWER

IGBT Modülü, 1700V 100A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD100HCX170C6SA
  • Giriş
  • Çizelge
Giriş

Kısa tanıtım

IGBT modülü ,üretildi STARPOWER . 1700V 100A.

Özellikler

  • Düşük VCE (satürn) Trench IGBT teknolojisi
  • 10μs kısa devre kapasitesi
  • Pozitif sıcaklık katsayısı olan VCE (sat)
  • Maksimum birleşim sıcaklığı 175
  • Düşük endüktansa olan bir vaka
  • Hızlı ve yumuşak geri kazanım paralel karşı FWD
  • İzole bakır taban plakası DBC teknolojisi kullanarak

Tipik Uygulamalar

  • Motorlu tahrik için inverter
  • AC ve DC servo sürücü amplifikatörü
  • Kesintisiz güç kaynağı

Mutlak Maksimum Değerlendirmeler t F =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

IGBT

Sembolik

Açıklama

değer

Birim

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1700

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

Ben C

Toplayıcı Akımı @ T C =25 O C @ T C =100 O C

196

100

A

Ben CM

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t P =1ms

200

A

P D

Maksimum güç Dağılımı @ T vj =175 O C

815

W

Diyot

Sembolik

Açıklama

değer

Birim

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Volt Yaş

1700

V

Ben F

Diyot Sürekli İleri Cu Kiralık

100

A

Ben Fm

Diyot Maksimum İleri Akımı t P =1ms

200

A

Modül

Sembolik

Açıklama

değer

Birim

t vjmax

En yüksek kavşak sıcaklığı

175

O C

t vjop

Hareket noktası sıcaklığı

-40 ile +150 arasında

O C

t STG

Depolama sıcaklık aralığı

-40'tan +125'e kadar

O C

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t= 1 dakikada.

4000

V

IGBT Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene Doymak Voltajı

Ben C =100A,V GE =15V, t vj =25 O C

1.85

2.20

V

Ben C =100A,V GE =15V, t vj =125 O C

2.25

Ben C =100A,V GE =15V, t vj =150 O C

2.35

V GE (th )

Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj

Ben C =4.00 mA ,V CE = V GE , t vj =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

Ben CES

Toplayıcı Kes -OFF akım

V CE = V CES ,V GE =0V, t vj =25 O C

5.0

mA

Ben GES

Geçit-Emitör Sızıntıları akım

V GE = V GES ,V CE =0V, t vj =25 O C

400

NA

r Gint

İç kapı direnci

7.5

Ω

C ies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

12.0

NF

C res

Geriye dönüştürme Kapasite

0.29

NF

Q G

Geçit Ücreti

V GE =-15 ...+15V

0.94

μC

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =900V,I C =100A, r G =1.0Ω,V GE =±15V, LS =52 nH ,t vj =25 O C

196

ns

t r

Kalkma zamanı.

44

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

298

ns

t F

Sonbahar zamanı

367

ns

E ON

Anahtarlama Kayıp

26.4

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

14.7

mJ

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =900V,I C =100A, r G =1.0Ω,V GE =±15V, LS =52 nH ,t vj =125 O C

217

ns

t r

Kalkma zamanı.

53

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

361

ns

t F

Sonbahar zamanı

516

ns

E ON

Anahtarlama Kayıp

36.0

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

21.0

mJ

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =900V,I C =100A, r G =1.0Ω,V GE =±15V, LS =52 nH ,t vj =150 O C

223

ns

t r

Kalkma zamanı.

56

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

374

ns

t F

Sonbahar zamanı

551

ns

E ON

Anahtarlama Kayıp

39.1

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

22.4

mJ

Ben SC

SC Verileri

t P ≤ 10μs, V GE =15V,

t vj =150 O C,V CC =1000V,

V CEM ≤1700V

400

A

Diyot Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

V F

Diyot ileriye Voltaj

Ben F =100A,V GE =0V,T vj =2 5O C

1.80

2.25

V

Ben F =100A,V GE =0V,T vj =125 O C

1.95

Ben F =100A,V GE =0V,T vj =150 O C

1.90

Q r

Geri Alınan Ücret

V r =900V,I F =100A,

-di/dt=1332A/μs,V GE =-15V LS =52 nH ,t vj =25 O C

26.8

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

78

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

14.4

mJ

Q r

Geri Alınan Ücret

V r =900V,I F =100A,

-di/dt=1091A/μs,V GE =-15V LS =52 nH ,t vj =125 O C

42.3

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

86

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

23.7

mJ

Q r

Geri Alınan Ücret

V r =900V,I F =100A,

-di/dt=1060A/μs,V GE =-15V LS =52 nH ,t vj =150 O C

48.2

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

89

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

27.4

mJ

Modül Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Max.

Birim

L CE

Savrulan endüktansa

20

nH

r CC+EE

Modül Kurşun Direnci, Çip'e terminal

1.10

r - Yürü

Kavşak -için -DURUM (perIGBT ) Çaprazla bağlantı (Di başına) (çıkış)

0.184 0.274

K/W

r thCH

Kürsüden ısı toplayıcıya (her IGBT) Kasa-Soğutucu (pe r Diyot) Kasa-Soğutucu (per M odül)

0.060 0.090 0.009

K/W

m

Terminal Bağlantı Döner, M6 Çivit Montaj Döner, M5 vida

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

G

Ağırlık ile ilgili Modül

350

G

Çizelge

image(c537ef1333).png

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecektir.
Email
Ad
Şirket Adı
Mesaj
0/1000

İLGİLİ ÜRÜN

Ürünlerle ilgili sorularınız var mı?

Profesyonel satış ekibimiz danışmanlığınızı bekliyor.
Ürün listesini takip edip ilgilendiğiniz soruları sorabilirsiniz.

Teklif Al

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecektir.
Email
Ad
Şirket Adı
Mesaj
0/1000