GD1000HTA75P6HT

Giriş

Kısa tanıtım

IGBT modülü ,üretildi STARPOWER . 750V 1000A ,P6 .

Özellikler

Düşük VCE (satürn) Trench IGBT teknolojisi
Düşük değişim kayıpları
6μs kısa devre kapasitesi
Pozitif sıcaklık katsayısı olan VCE (sat)
Maksimum birleşim sıcaklığı 175 °C
Düşük endüktansa olan bir vaka
Hızlı ve yumuşak geri kazanım paralel karşı FWD
Si3N4 AMB teknolojisi kullanılarak izole edilmiş bakır pinfin taban plakası

Tipik Uygulamalar

Otomotiv uygulaması
Hibrit ve Elektrikli Araç
Motorlu tahrik için inverter

Mutlak Maksimum Değerlendirmeler t F =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

IGBT

Sembolik	Açıklama	Değerler	birim
V CES	Toplayıcı-Sütücü Voltajı	750	V
V GES	Kapı-Emitör Voltajı	±20	V
Ben Çin	Uygulanan Kolektör Cu Kiralık	1000	A
Ben C	Toplayıcı Akımı @ T F =125 O C	450	A
Ben CM	Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t P =1ms	2000	A
P D	Maksimum Güç Dağıtımı ation @ t F =75 O C t vj =175 O C	1282	W

Diyot

Sembolik	Açıklama	Değerler	birim
V RRM	Tekrarlanan Zirve Ters Volt Yaş	750	V
Ben FN	Uygulanan Kolektör Cu Kiralık	1000	A
Ben F	Diyot Sürekli İleri Cu Kiralık	450	A
Ben Fm	Diyot Maksimum İleri Akımı t P =1ms	2000	A

Modül

Sembolik	Açıklama	değer	birim
t vjmax	En yüksek kavşak sıcaklığı	175	O C
t vjop	Çalışma Eklem Sıcaklığı sürekli Dönem içinde 10 saniye için 30 saniye, meydana gelme ömür boyunca maksimum 3000 kez	-40 ile +150 arasında +150 ile +175	O C
t STG	Depolama sıcaklık aralığı	-40'tan +125'e kadar	O C
V ISO	İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t=1 min	2500	V
D Sürünme	Terminal ile Soğutucu Terminal ile Terminal	9.0 9.0	mm
D şeffaf	Terminal ile Soğutucu Terminal ile Terminal	4.5 4.5	mm

IGBT Özellikler t F =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

birim

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene Doymak Voltajı

Ben C =450A,V GE =15V, t vj =25 O C

1.10

1.35

V

Ben C =450A,V GE =15V, t vj =150 O C

1.10

Ben C =450A,V GE =15V, t vj =175 O C

1.10

Ben C =1000A,V GE =15V, t vj =25 O C

1.40

Ben C =1000A,V GE =15V, t vj =175 O C

1.60

V GE (th )

Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj

Ben C =12.9 mA ,V CE = V GE , t vj =25 O C

5.5

6.4

7.0

V

Ben CES

Toplayıcı Kes -OFF akım

V CE = V CES ,V GE =0V, t vj =25 O C

1.0

mA

Ben GES

Geçit-Emitör Sızıntıları akım

V GE = V GES ,V CE =0V, t vj =25 O C

400

NA

r Gint

İç kapı direnci

1.2

Ω

C ies

Girdi Kapasitesi

V CE =50V,f=100kHz, V GE =0V

66.7

NF

C - Evet.

Çıkış Kapasitesi

1.50

NF

C res

Geriye dönüştürme Kapasite

0.35

NF

Q G

Geçit Ücreti

V CE =400V,I C =450A, V GE =-15…+15V

4.74

μC

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =400V,I C =450A,

r Git =1.2Ω, r Goff =1.0Ω, V GE =-8V/+15V,

L S =24nH, T vj =25 O C

244

ns

t r

Kalkma zamanı.

61

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

557

ns

t F

Sonbahar zamanı

133

ns

E ON

Aç Anahtarlama Kayıp

11.0

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

22.8

mJ

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =400V,I C =450A,

r Git =1.2Ω, r Goff =1.0Ω, V GE =-8V/+15V,

L S =24nH, T vj =150 O C

260

ns

t r

Kalkma zamanı.

68

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

636

ns

t F

Sonbahar zamanı

226

ns

E ON

Aç Anahtarlama Kayıp

16.9

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

32.2

mJ

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =400V,I C =450A,

r Git =1.2Ω, r Goff =1.0Ω, V GE =-8V/+15V,

L S =24nH, T vj =175 O C

264

ns

t r

Kalkma zamanı.

70

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

673

ns

t F

Sonbahar zamanı

239

ns

E ON

Aç Anahtarlama Kayıp

19.2

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

33.6

mJ

Ben SC

SC Verileri

t P ≤6μs, V GE =15V,

t vj =25 O C,V CC =400V, V CEM ≤750V

4900

A

t P ≤3μs, V GE =15V,

t vj =175 O C,V CC =400V, V CEM ≤750V

3800

Diyot Özellikler t F =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik	Parametre	Test koşulları	Min.	Tipik.	Max.	birim
V F	Diyot ileriye Voltaj	Ben F =450A,V GE =0V,T vj =2 5O C		1.40	1.65	V
		Ben F =450A,V GE =0V,T vj =150 O C		1.35
		Ben F =450A,V GE =0V,T vj =175 O C		1.30
		Ben F =1000A,V GE =0V,T vj =25 O C		1.80
		Ben F =1000A,V GE =0V,T vj =175 O C		1.80
Q r	Geri Alınan Ücret	V r =400V,I F =450A, -di/dt=7809A/μs,V GE =-8V L S =24 nH ,t vj =25 O C		18.5		μC
Ben RM	Çığ tersine Geri kazanım akımı			303		A
E - Bilmiyorum.	Ters Çıkarma enerji			3.72		mJ
Q r	Geri Alınan Ücret	V r =400V,I F =450A, -di/dt=6940A/μs,V GE =-8V L S =24 nH ,t vj =150 O C		36.1		μC
Ben RM	Çığ tersine Geri kazanım akımı			376		A
E - Bilmiyorum.	Ters Çıkarma enerji			8.09		mJ
Q r	Geri Alınan Ücret	V r =400V,I F =450A, -di/dt=6748A/μs,V GE =-8V L S =24 nH ,t vj =175 O C		40.1		μC
Ben RM	Çığ tersine Geri kazanım akımı			383		A
E - Bilmiyorum.	Ters Çıkarma enerji			9.01		mJ

NTC Özellikler t F =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik	Parametre	Test koşulları	Min.	Tipik.	Max.	birim
r 25	Rating direnci			5.0		KΩ
∆R/R	Değişim ile ilgili r 100	t C =100 O C R 100= 493.3Ω	-5		5	%
P 25	Güç dağılım				20.0	mW
B 25/50	B değeri	r 2=R 25exp [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		k
B 25/80	B değeri	r 2=R 25exp [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		k
B 25/100	B değeri	r 2=R 25exp [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		k

Modül Özellikler t F =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik	Parametre	Min.	Tipik.	Max.	birim
L CE	Savrulan endüktansa		8		nH
r CC+EE	Modül Bağlantı Direnci, Terminalden Çipe		0.75		mΩ
P	Soğutma Devresinde Maksimum Basınç - Çabuk t taban plakası <40 O C t taban plakası >40 O C (başlangıçtaki basınç)			2.5 2.0	bar
r thJF	Kavşak -için -Soğutma Sıvı (perIGBT )Birleştirme-soğutma sıvısı (D başına) (iod) △ V/ △ t=10.0 dm 3/min ,t F =75 O C		0.068 0.105	0.078 0.120	K/W
m	Terminal Bağlantı Döner, M5 vida Montaj Döner, M4 vida	3.6 1.8		4.4 2.2	N.M
G	Ağırlık ile ilgili Modül		750		G