Tüm Kategoriler

IGBT Modülü 750V

IGBT Modülü 750V

ana sayfa /  ÜRÜNLER /  IGBT modülü /  IGBT Modülü 750V

GD1000HFA75N5HT

750V 1000A, Ambalaj:P6

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD1000HFA75N5HT
  • Giriş
  • Çizelge
  • Eşdeğer Devre Şeması
Giriş

Kısa tanıtım

IGBT modülü ,üretildi STARPOWER . 1000V 750A.

Özellikler

  • Düşük VCE (satürn) Trench IGBT teknolojisi
  • Düşük değişim kayıpları
  • 6μs kısa devre kapasitesi
  • Pozitif sıcaklık katsayısı olan VCE (sat)
  • Maksimum birleşim sıcaklığı 175
  • Düşük endüktansa olan bir vaka
  • Hızlı ve yumuşak geri kazanım paralel karşı FWD
  • Morphit Si kullanılarak izole edilmiş bakır pinfin taban plaka 3N 4AMB teknolojisi

Tipik Uygulamalar

  • Otomotiv uygulaması
  • Hibrit ve Elektrikli Araç
  • Motorlu tahrik için inverter

Mutlak Maksimum Değerlendirmeler t F =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

IGBT

Sembolik

Açıklama

Değerler

Birim

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

750

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

Ben Çin

Uygulanan Kolektör Cu Kiralık

1000

A

Ben C

Toplayıcı akım t vj =175 O C

680

A

Ben CM

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t P =1ms

1360

A

P D

Maksimum Güç Dağıtımı ation @ t F =75 O C t vj =175 O C

1086

W

Diyot

Sembolik

Açıklama

Değerler

Birim

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Volt Yaş

750

V

Ben FN

Uygulanan Kolektör Cu Kiralık

1000

A

Ben F

Diyot Sürekli İleri Cu Kiralık

680

A

Ben Fm

Diyot Maksimum İleri Akımı t P =1ms

1360

A

Modül

Sembolik

Açıklama

değer

Birim

t vjmax

En yüksek kavşak sıcaklığı

175

O C

t vjop

Çalışma Eklem Sıcaklığı sürekli

-40 ile +150 arasında

O C

t STG

Depolama sıcaklık aralığı

-40'tan +125'e kadar

O C

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

IGBT Özellikler t F =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene Doymak Voltajı

Ben C =680A,V GE =15V, t vj =25 O C

1.25

1.50

V

Ben C =680A,V GE =15V, t vj =150 O C

1.35

Ben C =680A,V GE =15V, t vj =175 O C

1.40

Ben C =1000A,V GE =15V, t vj =25 O C

1.45

Ben C =1000A,V GE =15V, t vj =175 O C

1.70

V GE (th )

Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj

Ben C =9.60 mA ,V CE = V GE , t vj =25 O C

5.5

6.5

7.0

V

Ben C =9.60 mA ,V CE = V GE , t vj =175 O C

3.5

Ben CES

Toplayıcı Kes -OFF akım

V CE = V CES ,V GE =0V, t vj =25 O C

1.0

mA

Ben GES

Geçit-Emitör Sızıntıları akım

V GE = V GES ,V CE =0V, t vj =25 O C

400

NA

r Gint

İç kapı direnci

1.0

Ω

C ies

Girdi Kapasitesi

V CE =50V,f=100kHz, V GE =0V

72.3

NF

C - Evet.

Çıkış Kapasitesi

1.51

NF

C res

Geriye dönüştürme Kapasite

0.32

NF

Q G

Geçit Ücreti

V CE =400V, Ben C =680A, V GE =-10…+15V

4.10

μC

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =400V,I C =680A, r G =0.22Ω, L S =16 nH , V GE =-10V/+15V,

t vj =25 O C

196

ns

t r

Kalkma zamanı.

50

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

407

ns

t F

Sonbahar zamanı

125

ns

E ON

Anahtarlama Kayıp

11.1

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

29.1

mJ

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =400V,I C =680A, r G =0.22Ω, L S =16 nH , V GE =-10V/+15V,

t vj =150 O C

222

ns

t r

Kalkma zamanı.

63

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

471

ns

t F

Sonbahar zamanı

178

ns

E ON

Anahtarlama Kayıp

19.7

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

37.4

mJ

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =400V,I C =680A, r G =0.22Ω, L S =16 nH , V GE =-10V/+15V,

t vj =175 O C

224

ns

t r

Kalkma zamanı.

68

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

490

ns

t F

Sonbahar zamanı

194

ns

E ON

Anahtarlama Kayıp

21.7

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

39.5

mJ

Ben SC

SC Verileri

t P ≤6μs,V GE =15V,

4000

A

t vj =25 O C,V CC =450V, V CEM ≤750V

t P ≤3μs,V GE =15V,

t vj =175 O C,V CC =450V, V CEM ≤750V

3300

Diyot Özellikler t F =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

V F

Diyot ileriye Voltaj

Ben F =680A,V GE =0V,T vj =2 5O C

1.60

2.05

V

Ben F =680A,V GE =0V,T vj =150 O C

1.60

Ben F =680A,V GE =0V,T vj =175 O C

1.55

Ben F =1000A,V GE =0V,T vj =25 O C

1.80

Ben F =1000A,V GE =0V,T vj =175 O C

1.75

Q r

Geri Alınan Ücret

V r =400V,I F =680A,

-di/dt=15030A/μs,V GE =-10V, L S =16 nH ,t vj =25 O C

19.9

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

458

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

6.10

mJ

Q r

Geri Alınan Ücret

V r =400V,I F =680A,

-di/dt=12360A/μs,V GE =-10V, L S =16 nH ,t vj =150 O C

29.7

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

504

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

9.70

mJ

Q r

Geri Alınan Ücret

V r =400V,I F =680A,

-di/dt=11740A/μs,V GE - Hayır. 10V, L S =16 nH ,t vj =175 O C

34.5

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

526

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

11.0

mJ

PTC Özellikler t F =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

r

Nominal direnç

t C =0 O C

t C =150 O C

1000

1573

Ω Ω

t cr

Sıcaklık Katsayısı nt

0.38

%/K

t ş

Kendine ısıtma

t C =0 O C

Ben m =0.1...0.3mA

0.4

K/mW

Modül Özellikler t F =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Max.

Birim

L CE

Savrulan endüktansa

5

nH

P

Soğutma Devresinde Maksimum Basınç - Çabuk

2.5

bar

r thJF

Kavşak -için -Soğutma Sıvı (perIGBT )Birleştirme-soğutma sıvısı (D başına) (iod) V/ t=8.0 dm 3/min ,t F =65 O C

0.080 0.115

K/W

m

Terminal Bağlantı Döner, M5 vida Montaj Döner, M5 vida

5.4 5.4

6.6 6.6

N.M

G

Ağırlık ile ilgili Modül

220

G

Çizelge

Eşdeğer Devre Şeması

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecektir.
Email
Ad
Şirket Adı
Mesaj
0/1000

İLGİLİ ÜRÜN

Ürünlerle ilgili sorularınız var mı?

Profesyonel satış ekibimiz danışmanlığınızı bekliyor.
Ürün listesini takip edip ilgilendiğiniz soruları sorabilirsiniz.

Teklif Al

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecektir.
Email
Ad
Şirket Adı
Mesaj
0/1000