H50ZPU,Düzeltici Diyot

Ben _T(AV)

900A

V _RRM

8100V 8300V

8500V

Sembolik

Karakteristik

Test koşulları

Tj( ℃ )

değer

Birim

min

TUR

max

IF(AV)

Ortalama ileri akım

180° yarım sinüs dalgası 50Hz Çift taraflı soğutma

TC=85 ℃

150

900

A

VRRM

Tekrarlanan Zirve Ters Voltajı

tp=10ms

150

8000

8500

V

IRRM

Tekrarlayan tepe akımı

VRRM'de tp=10ms

150

200

mA

IFSM

Aşırı Akım

10ms yarım sinüs dalgası. VR=0.6VRRM

150

10

kA

I2t

Birleştirme koordinasyonu için I2t

500

10³A ²S

VFO

Sınır Voltajı

150

1.00

V

rF

İleri eğim direnci

1.00

mΩ

VFM

Tepe ileri voltaj

IFM=1500A, F=24kN

25

2.60

V

Qrr

Geri Kazanım Yükü

IFM=1000A, tp=4000μs, di/dt=-20A/μs, VR=100V

150

4000

μC

Rth(j-c)

Termal direnç Kesişimden kasaya

180'de ° Sinüs. Çift taraflı soğutma 24kN sıkıştırma kuvveti

0.022

℃ /W

Rth(c-h)

Termal direnç kasa ile soğutucu arasında

0.005

Fm

Montaj kuvveti

19

26

KN

Tvj

Çapraz sıcaklık

-40

150

℃

TSTG

Saklama sıcaklığı

-40

160

℃

Wt

Ağırlık

560

G

Çizelge

ZT50dT