1700V

(Symbol)

(Parameter)

(Prövningsvillkor)

 (värde)

(enhet)

VCES

Kollektor-emitterspänning

V GE = 0V,Tvj = 25°C

1700

V

V GES

Gate-emitter spänning

- Jag är inte...

± 20

V

I C

Kollektor-sändare ström

T = 100 °C, Tvj = 150 °C

2400

a)

I C ((PK)

Spetsström för kollektorn

tP = 1ms

4800

a)

P max

- Max.- Jag är inte...transistor effektförlust

Tvj = 150°C, T-fallet = 25 °C

19.2

KV

I 2t

 Diod I2t

VR = 0V, t P = 10 ms, Tvj = 150 °C

1170

KA2s

- Jag är inte...

Visol

Isoleringsspänning per modul

 ( Gemensamma terminaler till basplatta),

AC RMS,1 min, 50 Hz

- Jag är inte...

4000

- Jag är inte...

V

Q PD

Delutsläpp per modul

IEC1287. V 1 = 1800V, V2 = 1300V, 50Hz RMS

10

pc

Tcase = 25 °C  T fall  = 25°C om inget annat anges

(Symbol)

(Parameter)

(Prövningsvillkor)

(min)

(typ)

(Max)

 (Etthet)

- Jag är inte...

- Jag är inte...

I CES

- Jag är inte...

- Jag är inte...

Kollektorns avskärmningsström

V GE = 0V, VCE  = VCES

- Jag är inte...

- Jag är inte...

1

- Mamma.

V GE = 0V, VCE  = VCES , T fall =125 °C

- Jag är inte...

- Jag är inte...

40

- Mamma.

V GE = 0V, VCE  = VCES , T fall =150 °C

- Jag är inte...

- Jag är inte...

60

- Mamma.

I GES

Gate läckström

V GE = ±20V, VCE  = 0V

- Jag är inte...

- Jag är inte...

1

μA

V GE (TH)

Porttröskelspänning

I C = 80mA, V GE  = VCE

5.0

6.0

7.0

V

- Jag är inte...

- Jag är inte...

VCE (sat)(*1)

- Jag är inte...

 Kollektor-emitter mättnad

Spänning

VGE =15V, IC = 2400A

- Jag är inte...

1.75

- Jag är inte...

V

VGE =15V, IC = 2400A,Tvj = 125 °C

- Jag är inte...

1.95

- Jag är inte...

V

VGE =15V, IC = 2400A,Tvj = 150 °C

- Jag är inte...

2.05

- Jag är inte...

V

I F

Diodström framåt

dc

- Jag är inte...

2400

- Jag är inte...

a)

I FRM

Diodens maximala framström

t P = 1ms

- Jag är inte...

4800

- Jag är inte...

a)

- Jag är inte...

- Jag är inte...

VF(*1)

- Jag är inte...

- Jag är inte...

Diodens framåtspänning

IF = 2400A

- Jag är inte...

1.65

- Jag är inte...

V

IF = 2400A, Tvj = 125 °C

- Jag är inte...

1.75

- Jag är inte...

V

IF = 2400A, Tvj = 150 °C

- Jag är inte...

1.75

- Jag är inte...

V

- Det är sant.

Inmatningskapacitet

VCE = 25V, V GE  = 0V, f = 1MHz

- Jag är inte...

400

- Jag är inte...

NF

Qg

 Gate laddning

± 15 V

- Jag är inte...

19

- Jag är inte...

μC

Cres

Omvänd överföringskapacitet

VCE = 25V, V GE  = 0V, f = 1MHz

- Jag är inte...

3

- Jag är inte...

NF

L M

Modulinduktans

- Jag är inte...

- Jag är inte...

10

- Jag är inte...

- Nej, inte alls.

R INT

Intern resistans för transistor

- Jag är inte...

- Jag är inte...

110

- Jag är inte...

μΩ

- Jag är inte...

- Jag är inte...

I SC

- Jag är inte...

Kortslutningsström, ISC

Tvj = 150°C, V CC = 1000V, V GE ≤15V, tp ≤10μs,

VCE(max) = VCES – L (*2) ×di/dt, IEC 6074-9

- Jag är inte...

- Jag är inte...

- Jag är inte...

12000

- Jag är inte...

- Jag är inte...

- Jag är inte...

a)

Avstängning

Avstängningens fördröjningstid

- Jag är inte...

- Jag är inte...

- Jag är inte...

I C = 2400A

VCE = 900V

L S  ~ 50nH

V GE = ±15V

R G(ON) = 0.5Ω

R G(OFF)= 0.5Ω

- Jag är inte...

2320

- Jag är inte...

N

t f

Hösttid

- Jag är inte...

500

- Jag är inte...

N

E OFF

Energiförlust vid avstängning

- Jag är inte...

1050

- Jag är inte...

MJ

Td (på)

Tidsfördröjning för på-

- Jag är inte...

450

- Jag är inte...

N

t

Uppgångstid

- Jag är inte...

210

- Jag är inte...

N

EON

Energiförlust vid påstart

- Jag är inte...

410

- Jag är inte...

MJ

Qrr

Diodens återvinningsavgift

- Jag är inte...

I F = 2400A

VCE = 900V

diF/dt =10000A/us

- Jag är inte...

480

- Jag är inte...

μC

Jag är

Diodens omvänd återvinningström

- Jag är inte...

1000

- Jag är inte...

a)

Erec

Diodens återvinning av energi

- Jag är inte...

320

- Jag är inte...

MJ

Avstängning

Avstängningens fördröjningstid

- Jag är inte...

- Jag är inte...

- Jag är inte...

I C = 2400A

VCE = 900V

L S  ~ 50nH

V GE = ±15V

R G(ON) = 0.5Ω

R G(OFF)= 0.5Ω

- Jag är inte...

2340

- Jag är inte...

N

t f

Hösttid

- Jag är inte...

510

- Jag är inte...

N

E OFF

Energiförlust vid avstängning

- Jag är inte...

1320

- Jag är inte...

MJ

Td (på)

Tidsfördröjning för på-

- Jag är inte...

450

- Jag är inte...

N

t

Uppgångstid

- Jag är inte...

220

- Jag är inte...

N

EON

Energiförlust vid påstart

- Jag är inte...

660

- Jag är inte...

MJ

Qrr

Diodens återvinningsavgift

- Jag är inte...

I F = 2400A

VCE = 900V

diF/dt =10000A/us

- Jag är inte...

750

- Jag är inte...

μC

Jag är

Diodens omvänd återvinningström

- Jag är inte...

1200

- Jag är inte...

a)

Erec

Diodens återvinning av energi

- Jag är inte...

550

- Jag är inte...

MJ

Avstängning

Avstängningens fördröjningstid

- Jag är inte...

- Jag är inte...

- Jag är inte...

I C = 2400A

VCE = 900V

L S  ~ 50nH

V GE = ±15V

R G(ON) = 0.5Ω

R G(OFF)= 0.5Ω

- Jag är inte...

2340

- Jag är inte...

N

t f

Hösttid

- Jag är inte...

510

- Jag är inte...

N

E OFF

Energiförlust vid avstängning

- Jag är inte...

1400

- Jag är inte...

MJ

Td (på)

Tidsfördröjning för på-

- Jag är inte...

450

- Jag är inte...

N

t

Uppgångstid

- Jag är inte...

220

- Jag är inte...

N

EON

Energiförlust vid påstart

- Jag är inte...

820

- Jag är inte...

MJ

Qrr

Diodens återvinningsavgift

- Jag är inte...

I F = 2400A

VCE = 900V

diF/dt =12000A/us

- Jag är inte...

820

- Jag är inte...

μC

Jag är

Diodens omvänd återvinningström

- Jag är inte...

1250

- Jag är inte...

a)

Erec

Diodens återvinning av energi

- Jag är inte...

620

- Jag är inte...

MJ