YMIF1000-33,IGBT Modul,3300V 1000A

IGBT-modul 3300V

YMIF1000-33, IGBT-modul, 3300V 1000A

IGBT Modul，3300V 1000A

Brand:

CRRC

Spu:

YMIF1000-33

Inledning
skissera

Inledning

Nyckel- Jag är inte...Parametrar

VCES	3300- Jag är inte...V
VFörsta behandlingen(satt)	(typ)- Jag är inte...- Jag är inte...2.40- Jag är inte...V
*Jag*c	(max)- Jag är inte...1000- Jag är inte...a)
*Jag*C(RM)	(max)- Jag är inte...- Jag är inte...2000- Jag är inte...a)

- Jag är inte...

Typiska tillämpningar

Traktionsdrivare
Motorkontrollen
smart- Jag är inte...nätverk
höga- Jag är inte...tillförlitlighet- Jag är inte...omvandlare

Typiska tillämpningar

Traktionsdrivare
motor
Motorkontrollen
Smart Grid
Hög tillförlitlighet Inverter

Absolut Maximalt Värde

(Symbol)	(Parameter)	(Prövningsvillkor)	(värde)	(Etthet)
VCES	Kollektor-emitterspänning	VGE = 0V, TC= 25 °C	3300	V
VGES	Gate-emitter spänning	TC= 25 °C	± 20	V
I C	Kollektor-sändare ström	TC = 95 °C	1000	a)
IC(PK)	Spetsström för kollektorn	t P= 1ms	2000	a)
P max	Max. strömförlust från transistorn	Tvj = 150°C, TC = 25 °C	10.4	KV
I 2t	Diod I2t	VR =0V, t P = 10ms, Tvj = 150 °C	320	KA2s
Visol	Isoleringsspänning per modul	En total effekt av minst 10 W/cm3 AC RMS,1 min, 50Hz,TC= 25 °C	6000	V
Q PD	Delutsläpp per modul	IEC1287. V 1 = 3500V, V 2 = 2600V, 50Hz RMS, TC= 25 °C	10	pc

- Jag är inte...

Elektriska egenskaper

(Symbol)		(Parameter)	(Prövningsvillkor)	(min)	(typ)	(max)	(enhet)
- Jag är inte... I CES		- Jag är inte... - Jag är inte... Kollektorns avskärmningsström	VGE = 0V,VCE = VCES	- Jag är inte...	- Jag är inte...	1	- Mamma.
			VGE = 0V, VCE = VCES , TC= 125 ° C	- Jag är inte...	- Jag är inte...	60	- Mamma.
			VGE = 0V, VCE = VCES , TC= 150 ° C	- Jag är inte...	- Jag är inte...	100	- Mamma.
I GES		- Jag är inte... Gate läckström	VGE = ±20V, VCE = 0V	- Jag är inte...	- Jag är inte...	1	μA
VGE (TH)		Porttröskelspänning	I C= 80mA, VGE= VCE	5.50	6.10	7.00	V
- Jag är inte... VCE	- Jag är inte... (*1) (sat)	Kollektor-emitter-mättnad Spänning	VGE= 15V, I C= 1000A	- Jag är inte...	2.40	2.90	V
			VGE= 15V, I C= 1000A,Tvj = 125 ° C	- Jag är inte...	2.95	3.40	V
			VGE= 15V, I C= 1000A,Tvj = 150 ° C	- Jag är inte...	3.10	3.60	V
I F		Diodström framåt	dc	- Jag är inte...	1000	- Jag är inte...	a)
I FRM		- Jag är inte... Diodens maximala framström	t P = 1ms	- Jag är inte...	2000	- Jag är inte...	a)
- Jag är inte... VF(*1)		- Jag är inte... - Jag är inte... Diodens framåtspänning	I F= 1000A	- Jag är inte...	2.10	2.60	V
			I F= 1000A, Tvj= 125 ° C	- Jag är inte...	2.25	2.70	V
			I F= 1000A, Tvj= 150 ° C	- Jag är inte...	2.25	2.70	V
C ies		- Jag är inte... Inmatningskapacitet	VCE= 25V, VGE= 0V, f = 1MHz	- Jag är inte...	170	- Jag är inte...	NF
Q g		Portavgift	± 15 V	- Jag är inte...	17	- Jag är inte...	μC
C res		Omvänd överföringskapacitet	VCE= 25V, VGE= 0V, f = 1MHz	- Jag är inte...	4	- Jag är inte...	NF
L M		- Jag är inte... Modulinduktans	- Jag är inte...	- Jag är inte...	15	- Jag är inte...	- Nej, inte alls.
R INT		Intern resistans för transistor	- Jag är inte...	- Jag är inte...	165	- Jag är inte...	μΩ
- Jag är inte... I SC		Kortslutningsström, ISC	Tvj = 150° C, VCC = 2500V, VGE≤15V, tp≤10μs, VCE(max) = VCES – L (*2)×di/dt, IEC 6074-9	- Jag är inte...	- Jag är inte... 3900	- Jag är inte...	- Jag är inte... a)

- Jag är inte...

Avstängning	Avstängningens fördröjningstid	- Jag är inte... I C =1000A VCE = 1800V C GE = 220nF L ~ 150nH VGE = ±15V RG(ON) = 1.5Ω RG(OFF)= 2.2Ω	- Jag är inte...	1800	- Jag är inte...	N
t f	Hösttid		- Jag är inte...	530	- Jag är inte...	N
E OFF	Energiförlust vid avstängning		- Jag är inte...	1600	- Jag är inte...	MJ
Td (på)	Tidsfördröjning för på-		- Jag är inte...	680	- Jag är inte...	N
t r	Uppgångstid		- Jag är inte...	320	- Jag är inte...	N
EON	Energiförlust vid påstart		- Jag är inte...	1240	- Jag är inte...	MJ
Q rr	Diodens återvinningsavgift	I F =1000A VCE = 1800V diF/dt =3300A/us	- Jag är inte...	780	- Jag är inte...	μC
Jag är	Diodens omvänd återvinningström		- Jag är inte...	810	- Jag är inte...	a)
E rec	Diodens återvinning av energi		- Jag är inte...	980	- Jag är inte...	MJ
Avstängning	Avstängningens fördröjningstid	- Jag är inte... I C =1000A VCE = 1800V C GE = 220nF L ~ 150nH VGE = ±15V RG(ON) = 1.5Ω RG(OFF)= 2.2Ω	- Jag är inte...	1940	- Jag är inte...	N
t f	Hösttid		- Jag är inte...	580	- Jag är inte...	N
E OFF	Energiförlust vid avstängning		- Jag är inte...	1950	- Jag är inte...	MJ
Td (på)	Tidsfördröjning för på-		- Jag är inte...	660	- Jag är inte...	N
t r	Uppgångstid		- Jag är inte...	340	- Jag är inte...	N
EON	Energiförlust vid påstart		- Jag är inte...	1600	- Jag är inte...	MJ
Q rr	Diodens återvinningsavgift	I F =1000A VCE = 1800V diF/dt =3300A/us	- Jag är inte...	1200	- Jag är inte...	μC
Jag är	Diodens omvänd återvinningström	I F =1000A VCE = 1800V diF/dt =3300A/us	- Jag är inte...	930	- Jag är inte...	a)