Hemsida / produkter / Igbt-modul / 3300V
Nyckel- Jag är inte...Parametrar
|
VCES |
3300- Jag är inte...V |
|
VFörsta behandlingen(satt) |
(typ)- Jag är inte...- Jag är inte...2.40- Jag är inte...V |
|
Jagc |
(max)- Jag är inte...1000- Jag är inte...a) |
|
JagC(RM) |
(max)- Jag är inte...- Jag är inte...2000- Jag är inte...a) |
- Jag är inte...
Typiska tillämpningar
Typiska tillämpningar
Absolut Maximalt Värde
|
(Symbol) |
(Parameter) |
(Prövningsvillkor) |
(värde) |
(Etthet) |
|
VCES |
Kollektor-emitterspänning |
VGE = 0V, TC= 25 °C |
3300 |
V |
|
VGES |
Gate-emitter spänning |
TC= 25 °C |
± 20 |
V |
|
I C |
Kollektor-sändare ström |
TC = 95 °C |
1000 |
a) |
|
IC(PK) |
Spetsström för kollektorn |
t P= 1ms |
2000 |
a) |
|
P max |
Max. strömförlust från transistorn |
Tvj = 150°C, TC = 25 °C |
10.4 |
KV |
|
I 2t |
Diod I2t |
VR =0V, t P = 10ms, Tvj = 150 °C |
320 |
KA2s |
|
Visol |
Isoleringsspänning per modul |
En total effekt av minst 10 W/cm3 AC RMS,1 min, 50Hz,TC= 25 °C |
6000 |
V |
|
Q PD |
Delutsläpp per modul |
IEC1287. V 1 = 3500V, V 2 = 2600V, 50Hz RMS, TC= 25 °C |
10 |
pc |
- Jag är inte...
- Jag är inte...
Elektriska egenskaper
|
(Symbol) |
(Parameter) |
(Prövningsvillkor) |
(min) |
(typ) |
(max) |
(enhet) |
|
|
- Jag är inte... I CES |
- Jag är inte... - Jag är inte... Kollektorns avskärmningsström |
VGE = 0V,VCE = VCES |
- Jag är inte... |
- Jag är inte... |
1 |
- Mamma. |
|
|
VGE = 0V, VCE = VCES , TC= 125 ° C |
- Jag är inte... |
- Jag är inte... |
60 |
- Mamma. |
|||
|
VGE = 0V, VCE = VCES , TC= 150 ° C |
- Jag är inte... |
- Jag är inte... |
100 |
- Mamma. |
|||
|
I GES |
- Jag är inte... Gate läckström |
VGE = ±20V, VCE = 0V |
- Jag är inte... |
- Jag är inte... |
1 |
μA |
|
|
VGE (TH) |
Porttröskelspänning |
I C= 80mA, VGE= VCE |
5.50 |
6.10 |
7.00 |
V |
|
|
- Jag är inte... VCE |
- Jag är inte... (*1) (sat) |
Kollektor-emitter-mättnad Spänning |
VGE= 15V, I C= 1000A |
- Jag är inte... |
2.40 |
2.90 |
V |
|
VGE= 15V, I C= 1000A,Tvj = 125 ° C |
- Jag är inte... |
2.95 |
3.40 |
V |
|||
|
VGE= 15V, I C= 1000A,Tvj = 150 ° C |
- Jag är inte... |
3.10 |
3.60 |
V |
|||
|
I F |
Diodström framåt |
dc |
- Jag är inte... |
1000 |
- Jag är inte... |
a) |
|
|
I FRM |
- Jag är inte... Diodens maximala framström |
t P = 1ms |
- Jag är inte... |
2000 |
- Jag är inte... |
a) |
|
|
- Jag är inte... VF(*1) |
- Jag är inte... - Jag är inte... Diodens framåtspänning |
I F= 1000A |
- Jag är inte... |
2.10 |
2.60 |
V |
|
|
I F= 1000A, Tvj= 125 ° C |
- Jag är inte... |
2.25 |
2.70 |
V |
|||
|
I F= 1000A, Tvj= 150 ° C |
- Jag är inte... |
2.25 |
2.70 |
V |
|||
|
C ies |
- Jag är inte... Inmatningskapacitet |
VCE= 25V, VGE= 0V, f = 1MHz |
- Jag är inte... |
170 |
- Jag är inte... |
NF |
|
|
Q g |
Portavgift |
± 15 V |
- Jag är inte... |
17 |
- Jag är inte... |
μC |
|
|
C res |
Omvänd överföringskapacitet |
VCE= 25V, VGE= 0V, f = 1MHz |
- Jag är inte... |
4 |
- Jag är inte... |
NF |
|
|
L M |
- Jag är inte... Modulinduktans |
- Jag är inte... |
- Jag är inte... |
15 |
- Jag är inte... |
- Nej, inte alls. |
|
|
R INT |
Intern resistans för transistor |
- Jag är inte... |
- Jag är inte... |
165 |
- Jag är inte... |
μΩ |
|
|
- Jag är inte... I SC |
Kortslutningsström, ISC |
Tvj = 150° C, VCC = 2500V, VGE≤15V, tp≤10μs, VCE(max) = VCES – L (*2)×di/dt, IEC 6074-9 |
- Jag är inte... |
- Jag är inte... 3900 |
- Jag är inte... |
- Jag är inte... a) |
|
- Jag är inte...
|
Avstängning |
Avstängningens fördröjningstid |
- Jag är inte... I C =1000A VCE = 1800V C GE = 220nF L ~ 150nH VGE = ±15V RG(ON) = 1.5Ω RG(OFF)= 2.2Ω |
- Jag är inte... |
1800 |
- Jag är inte... |
N |
|
t f |
Hösttid |
- Jag är inte... |
530 |
- Jag är inte... |
N |
|
|
E OFF |
Energiförlust vid avstängning |
- Jag är inte... |
1600 |
- Jag är inte... |
MJ |
|
|
Td (på) |
Tidsfördröjning för på- |
- Jag är inte... |
680 |
- Jag är inte... |
N |
|
|
t r |
Uppgångstid |
- Jag är inte... |
320 |
- Jag är inte... |
N |
|
|
EON |
Energiförlust vid påstart |
- Jag är inte... |
1240 |
- Jag är inte... |
MJ |
|
|
Q rr |
Diodens återvinningsavgift |
I F =1000A VCE = 1800V diF/dt =3300A/us |
- Jag är inte... |
780 |
- Jag är inte... |
μC |
|
Jag är |
Diodens omvänd återvinningström |
- Jag är inte... |
810 |
- Jag är inte... |
a) |
|
|
E rec |
Diodens återvinning av energi |
- Jag är inte... |
980 |
- Jag är inte... |
MJ |
|
|
Avstängning |
Avstängningens fördröjningstid |
- Jag är inte... I C =1000A VCE = 1800V C GE = 220nF L ~ 150nH VGE = ±15V RG(ON) = 1.5Ω RG(OFF)= 2.2Ω |
- Jag är inte... |
1940 |
- Jag är inte... |
N |
|
t f |
Hösttid |
- Jag är inte... |
580 |
- Jag är inte... |
N |
|
|
E OFF |
Energiförlust vid avstängning |
- Jag är inte... |
1950 |
- Jag är inte... |
MJ |
|
|
Td (på) |
Tidsfördröjning för på- |
- Jag är inte... |
660 |
- Jag är inte... |
N |
|
|
t r |
Uppgångstid |
- Jag är inte... |
340 |
- Jag är inte... |
N |
|
|
EON |
Energiförlust vid påstart |
- Jag är inte... |
1600 |
- Jag är inte... |
MJ |
|
|
Q rr |
Diodens återvinningsavgift |
I F =1000A VCE = 1800V diF/dt =3300A/us |
- Jag är inte... |
1200 |
- Jag är inte... |
μC |
|
Jag är |
Diodens omvänd återvinningström |
- Jag är inte... |
930 |
- Jag är inte... |
a) |
Vårt professionella säljteam väntar på din konsultation.
Du kan följa deras produktlista och ställa frågor om vad du bryr dig om.
EN
