YMIBD800-17,TIM800DDM17-PSA011,IGBT Modul,1700V 800A

IGBT-modul 1700V

YMIBD800-17, TIM800DDM17-PSA011, IGBT-modul, 1700V 800A

IGBT Modul，1700V 800A

Brand:

CRRC

Spu:

YMIBD800-17 / TIM800DDM17-PSA011

Inledning
skissera

Inledning

Nyckel- Jag är inte...Parametrar

VCES	1700		V
VFörsta behandlingen(satt)	(typ)	2.30	V
Jagc	(max)	800	a)
JagC(RM)	(max)	1600	a)

- Jag är inte...

Typisk- Jag är inte...Ansökningar

Traktionsdrivare
Motorkontrollen
vind- Jag är inte...kraft
höga- Jag är inte...tillförlitlighet- Jag är inte...omvandlare

Särskilda egenskaper

AlSiC- Jag är inte...bas
AIN- Jag är inte...substrat
höga- Jag är inte...värme- Jag är inte...cykling- Jag är inte...Förmåga
10 μmS- Jag är inte...kort- Jag är inte...KRETS- Jag är inte...Håll ut.
låg- Jag är inte...VFörsta behandlingen(satt)- Jag är inte...enhet
höga- Jag är inte...Ström- Jag är inte...Densitet

- Jag är inte...

Absolut- Jag är inte...Högsta- Jag är inte...kreditvärdighet

(Symbol)	(Parameter)	(Prövningsvillkor)	(värde)	(enhet)
VCES	Kollektor-emitterspänning	V GE = 0V, TC= 25。c	1700	V
V GES	Gate-emitter spänning	TC= 25。c	± 20	V
I C	Kollektor-sändare ström	TC = 80。c	800	a)
I C ((PK)	Spetsström för kollektorn	t P=1 ms	1600	a)
P max	Max. strömförlust från transistorn	Tvj = 150。C, TC = 25。c	6.94	KV
I 2t	Diod I 2t	VR = 0V, t P = 10 ms, Tvj = 125。c	120	KA2s
- Jag är inte... Visol	Isoleringsspänning per modul	(gemensamma slutar till basplattan), AC RMS,1 min, 50 Hz,TC= 25。c	4000	V
Q PD	Delutsläpp per modul	IEC1287. V1 = 1800V, V2 = 1300V, 50Hz RMS, TC= 25。c	10	pc

- Jag är inte...

Elektriska egenskaper

(Symbol)	- Jag är inte...(Parametrar)	(Prövningsvillkor)	(Min)	(typ)	(Maximal)	(enhet)
- Jag är inte... I CES	Kollektorns avskärmningsström	V GE = 0V,VCE = VCES	- Jag är inte...	- Jag är inte...	1	- Mamma.
- Jag är inte... I CES	Kollektorns avskärmningsström	V GE = 0V, VCE = VCES , TC=125 ° C	- Jag är inte...	- Jag är inte...	25	- Mamma.
I GES	Gate läckström	V GE = ±20V, VCE = 0V	- Jag är inte...	- Jag är inte...	4	μA
V GE (TH)	Porttröskelspänning	I C = 40mA, V GE = VCE	5.00	5.70	6.50	V
- Jag är inte... VCE (sat)(*1)	Kollektor-sändarens mättningsspänning	V GE =15V, I C = 800A	- Jag är inte...	2.30	2.60	V
- Jag är inte... VCE (sat)(*1)	Kollektor-sändarens mättningsspänning	V GE =15V, I C = 800A,Tvj = 125 ° C	- Jag är inte...	2.80	3.10	V
I F	Diodström framåt	likströmdc	- Jag är inte...	- Jag är inte...	800	a)
I FRM	Diodens maximala framström	t P = 1ms	- Jag är inte...	- Jag är inte...	1600	a)
- Jag är inte... VF(*1)	Diodens framåtspänning	I F = 800A	- Jag är inte...	1.70	2.00	V
- Jag är inte... VF(*1)	Diodens framåtspänning	I F = 800A, Tvj = 125 ° C	- Jag är inte...	1.80	2.10	V
C ies	Inmatningskapacitet	VCE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz	- Jag är inte...	60	- Jag är inte...	NF
Q g	Portavgift	± 15 V	- Jag är inte...	9	- Jag är inte...	μC
C res	Omvänd överföringskapacitet	VCE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz	- Jag är inte...	- Jag är inte... - Jag är inte...	- Jag är inte...	NF
L M	Modulinduktans	- Jag är inte...	- Jag är inte...	20	- Jag är inte...	- Nej, inte alls.
R INT	Intern resistans för transistor	- Jag är inte...	- Jag är inte...	270	- Jag är inte...	μΩ
- Jag är inte... - Jag är inte... I SC	Kortslutningsström, ISC	Tvj = 125° C, VCC = 1000V, V GE ≤15V, tp ≤10μs, VCE(max) = VCES – L (*2)×di/dt, IEC 6074-9	- Jag är inte...	- Jag är inte... - Jag är inte... 3700	- Jag är inte...	- Jag är inte... - Jag är inte... a)
Avstängning	Avstängningens fördröjningstid	- Jag är inte... - Jag är inte... - Jag är inte... I C =800A VCE =900V L ~ 100nH V GE = ±15V RG(ON) = 2.2Ω RG(OFF)= 2.2Ω	- Jag är inte...	890	- Jag är inte...	N
t f	Hösttid		- Jag är inte...	220	- Jag är inte...	N
E OFF	Energiförlust vid avstängning		- Jag är inte...	220	- Jag är inte...	MJ
Td (på)	Tidsfördröjning för på-		- Jag är inte...	320	- Jag är inte...	N
t r	Uppgångstid		- Jag är inte...	190	- Jag är inte...	N
EON	Energiförlust vid påstart		- Jag är inte...	160	- Jag är inte...	MJ
Q rr	Diodens återvinningsavgift	- Jag är inte... I F = 800A VCE = 900V diF/dt =4000A/us	- Jag är inte...	260	- Jag är inte...	μC
Jag är	Diodens omvänd återvinningström		- Jag är inte...	510	- Jag är inte...	a)
E rec	Diodens återvinning av energi		- Jag är inte...	180	- Jag är inte...	MJ
Avstängning	Avstängningens fördröjningstid	- Jag är inte... - Jag är inte... - Jag är inte... I C =800A VCE =900V L ~ 100nH V GE = ±15V RG(ON) = 2.2Ω RG(OFF)= 2.2Ω	- Jag är inte...	980	- Jag är inte...	N
t f	Hösttid		- Jag är inte...	280	- Jag är inte...	N
E OFF	Energiförlust vid avstängning		- Jag är inte...	290	- Jag är inte...	MJ
Td (på)	Tidsfördröjning för på-		- Jag är inte...	400	- Jag är inte...	N
t r	Uppgångstid		- Jag är inte...	250	- Jag är inte...	N
EON	Energiförlust vid påstart		- Jag är inte...	230	- Jag är inte...	MJ
Q rr	Diodens återvinningsavgift	- Jag är inte... I F = 800A VCE = 900V diF/dt =4000A/us	- Jag är inte...	420	- Jag är inte...	μC
Jag är	Diodens omvänd återvinningström		- Jag är inte...	580	- Jag är inte...	a)
E rec	Diodens återvinning av energi		- Jag är inte...	280	- Jag är inte...	MJ