Hemsida / produkter / Igbt-modul / 1700V
Nyckel- Jag är inte...Parametrar
|
VCES |
1700 |
V |
|
|
VFörsta behandlingen(satt) |
(typ) |
2.30 |
V |
|
Jagc |
(max) |
800 |
a) |
|
JagC(RM) |
(max) |
1600 |
a) |
- Jag är inte...
Typisk- Jag är inte...Ansökningar
Särskilda egenskaper
- Jag är inte...
Absolut- Jag är inte...Högsta- Jag är inte...kreditvärdighet
|
(Symbol) |
(Parameter) |
(Prövningsvillkor) |
(värde) |
(enhet) |
|
VCES |
Kollektor-emitterspänning |
V GE = 0V, TC= 25。c |
1700 |
V |
|
V GES |
Gate-emitter spänning |
TC= 25。c |
± 20 |
V |
|
I C |
Kollektor-sändare ström |
TC = 80。c |
800 |
a) |
|
I C ((PK) |
Spetsström för kollektorn |
t P=1 ms |
1600 |
a) |
|
P max |
Max. strömförlust från transistorn |
Tvj = 150。C, TC = 25。c |
6.94 |
KV |
|
I 2t |
Diod I 2t |
VR = 0V, t P = 10 ms, Tvj = 125。c |
120 |
KA2s |
|
- Jag är inte... Visol |
Isoleringsspänning per modul |
(gemensamma slutar till basplattan), AC RMS,1 min, 50 Hz,TC= 25。c |
4000 |
V |
|
Q PD |
Delutsläpp per modul |
IEC1287. V1 = 1800V, V2 = 1300V, 50Hz RMS, TC= 25。c |
10 |
pc |
- Jag är inte...
Elektriska egenskaper
|
(Symbol) |
- Jag är inte...(Parametrar) |
(Prövningsvillkor) |
(Min) |
(typ) |
(Maximal) |
(enhet) |
|
|
- Jag är inte... I CES |
Kollektorns avskärmningsström |
V GE = 0V,VCE = VCES |
- Jag är inte... |
- Jag är inte... |
1 |
- Mamma. |
|
|
V GE = 0V, VCE = VCES , TC=125 ° C |
- Jag är inte... |
- Jag är inte... |
25 |
- Mamma. |
|||
|
I GES |
Gate läckström |
V GE = ±20V, VCE = 0V |
- Jag är inte... |
- Jag är inte... |
4 |
μA |
|
|
V GE (TH) |
Porttröskelspänning |
I C = 40mA, V GE = VCE |
5.00 |
5.70 |
6.50 |
V |
|
|
- Jag är inte... VCE (sat)(*1) |
Kollektor-sändarens mättningsspänning |
V GE =15V, I C = 800A |
- Jag är inte... |
2.30 |
2.60 |
V |
|
|
V GE =15V, I C = 800A,Tvj = 125 ° C |
- Jag är inte... |
2.80 |
3.10 |
V |
|||
|
I F |
Diodström framåt |
likströmdc |
- Jag är inte... |
- Jag är inte... |
800 |
a) |
|
|
I FRM |
Diodens maximala framström |
t P = 1ms |
- Jag är inte... |
- Jag är inte... |
1600 |
a) |
|
|
- Jag är inte... VF(*1) |
Diodens framåtspänning |
I F = 800A |
- Jag är inte... |
1.70 |
2.00 |
V |
|
|
I F = 800A, Tvj = 125 ° C |
- Jag är inte... |
1.80 |
2.10 |
V |
|||
|
C ies |
Inmatningskapacitet |
VCE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz |
- Jag är inte... |
60 |
- Jag är inte... |
NF |
|
|
Q g |
Portavgift |
± 15 V |
- Jag är inte... |
9 |
- Jag är inte... |
μC |
|
|
C res |
Omvänd överföringskapacitet |
VCE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz |
- Jag är inte... |
- Jag är inte... - Jag är inte... |
- Jag är inte... |
NF |
|
|
L M |
Modulinduktans |
- Jag är inte... |
- Jag är inte... |
20 |
- Jag är inte... |
- Nej, inte alls. |
|
|
R INT |
Intern resistans för transistor |
- Jag är inte... |
- Jag är inte... |
270 |
- Jag är inte... |
μΩ |
|
|
- Jag är inte... - Jag är inte... I SC |
Kortslutningsström, ISC |
Tvj = 125° C, VCC = 1000V, V GE ≤15V, tp ≤10μs, VCE(max) = VCES – L (*2)×di/dt, IEC 6074-9 |
- Jag är inte... |
- Jag är inte... - Jag är inte... 3700 |
- Jag är inte... |
- Jag är inte... - Jag är inte... a) |
|
|
Avstängning |
Avstängningens fördröjningstid |
- Jag är inte... - Jag är inte... - Jag är inte... I C =800A VCE =900V L ~ 100nH V GE = ±15V RG(ON) = 2.2Ω RG(OFF)= 2.2Ω |
- Jag är inte... |
890 |
- Jag är inte... |
N |
|
|
t f |
Hösttid |
- Jag är inte... |
220 |
- Jag är inte... |
N |
||
|
E OFF |
Energiförlust vid avstängning |
- Jag är inte... |
220 |
- Jag är inte... |
MJ |
||
|
Td (på) |
Tidsfördröjning för på- |
- Jag är inte... |
320 |
- Jag är inte... |
N |
||
|
t r |
Uppgångstid |
- Jag är inte... |
190 |
- Jag är inte... |
N |
||
|
EON |
Energiförlust vid påstart |
- Jag är inte... |
160 |
- Jag är inte... |
MJ |
||
|
Q rr |
Diodens återvinningsavgift |
- Jag är inte... I F = 800A VCE = 900V diF/dt =4000A/us |
- Jag är inte... |
260 |
- Jag är inte... |
μC |
|
|
Jag är |
Diodens omvänd återvinningström |
- Jag är inte... |
510 |
- Jag är inte... |
a) |
||
|
E rec |
Diodens återvinning av energi |
- Jag är inte... |
180 |
- Jag är inte... |
MJ |
||
|
Avstängning |
Avstängningens fördröjningstid |
- Jag är inte... - Jag är inte... - Jag är inte... I C =800A VCE =900V L ~ 100nH V GE = ±15V RG(ON) = 2.2Ω RG(OFF)= 2.2Ω |
- Jag är inte... |
980 |
- Jag är inte... |
N |
|
|
t f |
Hösttid |
- Jag är inte... |
280 |
- Jag är inte... |
N |
||
|
E OFF |
Energiförlust vid avstängning |
- Jag är inte... |
290 |
- Jag är inte... |
MJ |
||
|
Td (på) |
Tidsfördröjning för på- |
- Jag är inte... |
400 |
- Jag är inte... |
N |
||
|
t r |
Uppgångstid |
- Jag är inte... |
250 |
- Jag är inte... |
N |
||
|
EON |
Energiförlust vid påstart |
- Jag är inte... |
230 |
- Jag är inte... |
MJ |
||
|
Q rr |
Diodens återvinningsavgift |
- Jag är inte... I F = 800A VCE = 900V diF/dt =4000A/us |
- Jag är inte... |
420 |
- Jag är inte... |
μC |
|
|
Jag är |
Diodens omvänd återvinningström |
- Jag är inte... |
580 |
- Jag är inte... |
a) |
||
|
E rec |
Diodens återvinning av energi |
- Jag är inte... |
280 |
- Jag är inte... |
MJ |
||
- Jag är inte...
Vårt professionella säljteam väntar på din konsultation.
Du kan följa deras produktlista och ställa frågor om vad du bryr dig om.
EN
