IGBT-modul 1200V

Symbol

Beskrivning

GD800HFL120C3S

Enheter

VCES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

VGES

Gate-emitter spänning

±20

V

Jagc

@ Tc=25°C

@ Tc=80°C

1250

a)

800

JagCM(1)

Pulsad kollektorström    tP=- Jag är inte...1 ms

1600

a)

Jagf

Diod kontinuerlig framström

800

a)

JagFM

Diodens maximala framström

1600

a)

Pd

Maximal effektförlust    @tj= 150°C

4310

- Vad?

t- S.C.

Kortslutning Tåga tid @ Tj=125°C

10

μs

tj

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till- Jag är inte...+150

°C

tSTG

lagringstemperaturområde

-40 till- Jag är inte...+125

°C

Jag2T-värde, diod

VR=0V, t=10ms, Tj=125°C

140

Ka2S

Viso

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t=1min

2500

V

montering

Vägmaskin

Effektterminal- Jag är inte...Skruv:M4

Effektterminal- Jag är inte...Skruv:M8

1.7 till- Jag är inte...2.3

8.0 till- Jag är inte...10

n.m.

montering- Jag är inte...Skruv: M6

4.25 till- Jag är inte...5.75

n.m.

Symbol

Parametrar

Testförhållanden

Min.

Typ.

- Max.

Enheter

bv- Jag är inte...CES

Samlare-utgivare

Avbrottsspänning

tj=25°C

1200

- Jag är inte...

- Jag är inte...

V

JagCES

Samlar- Jag är inte...skär- Jag är inte...Avstängd- Jag är inte...Ström

VFörsta behandlingen=VCES,VGenerella=0V,- Jag är inte...tj=25°C

- Jag är inte...

- Jag är inte...

5.0

- Mamma.

JagGES

Läckage i port-sändaren

Ström

VGenerella=VGES,VFörsta behandlingen=0V,- Jag är inte...tj=25°C

- Jag är inte...

- Jag är inte...

400

- Nej

Symbol

Parametrar

Testförhållanden

Min.

Typ.

- Max.

Enheter

VGE(th)

Gränssnitt för gate-emitterare

Spänning

Jagc=32mA,VFörsta behandlingen=VGenerella- Jag är inte...- Jag är inte...tj=25°C

5.0

6.2

7.0

V

- Jag är inte...

- Jag är inte...

VCE (sat)

- Jag är inte...

Samlare till emitterare

Mätningsspänning

Jagc=800A,VGenerella=15V,- Jag är inte...tj=25°C

- Jag är inte...

1.8

- Jag är inte...

- Jag är inte...

- Jag är inte...

V

Jagc=800A,VGenerella=15V,- Jag är inte...tj=125°C

- Jag är inte...

2.0

- Jag är inte...

Symbol

Parametrar

Testförhållanden

Min.

Typ.

- Max.

Enheter

QGenerella

Portavgift

Jagc=800A,VFörsta behandlingen=600 V,

VGenerella=-15…+15V

- Jag är inte...

11.5

- Jag är inte...

μC

td(on)

Tidsfördröjning för på-

Vcc=600V,Ic=800A,

RGon= 3,3Ω,

RGoff= 0,39Ω,

VGenerella- Jag är inte...=±15V,Tj=25°C

- Jag är inte...

600

- Jag är inte...

N

tR

Uppgångstid

- Jag är inte...

230

- Jag är inte...

N

td(Avstängd)

Avstängning- Jag är inte...Fördröjningstider

- Jag är inte...

820

- Jag är inte...

N

tf

Hösttid

- Jag är inte...

150

- Jag är inte...

N

td(on)

Tidsfördröjning för på-

- Jag är inte...

Vcc=600V,Ic=800A,

RGon= 3,3Ω,

RGoff= 0,39Ω,

VGenerella- Jag är inte...=±15V,Tj=125°C

- Jag är inte...

660

- Jag är inte...

N

tR

Uppgångstid

- Jag är inte...

220

- Jag är inte...

N

td(Avstängd)

Avstängning- Jag är inte...Fördröjningstider

- Jag är inte...

960

- Jag är inte...

N

tf

Hösttid

- Jag är inte...

180

- Jag är inte...

N

epå

Tänd- Jag är inte...Förlust vid byte

- Jag är inte...

160

- Jag är inte...

MJ

eAvstängd

Avstängningsswitchförlust

- Jag är inte...

125

- Jag är inte...

MJ

cSjukdom

Inmatningskapacitet

- Jag är inte...

VFörsta behandlingen=25V, f=1MHz,

VGenerella=0V

- Jag är inte...

61.8

- Jag är inte...

NF

cÖvriga

Utgångskapacitet

- Jag är inte...

4.2

- Jag är inte...

NF

cres

Omvänd överföring

Kapacitet

- Jag är inte...

2.7

- Jag är inte...

NF

- Jag är inte...

Jag- S.C.

- Jag är inte...

SK-uppgifter

tSc≤10μs,VGenerella=15V,- Vad?tj=125°C- Jag är inte...

Vcc= 900 V,- Jag är inte...VCEM- Jag är inte...≤1200 V

- Jag är inte...

- Jag är inte...

3760

- Jag är inte...

- Jag är inte...

a)

Jag...Första behandlingen

Strömavtryck

- Jag är inte...

- Jag är inte...

20

- Jag är inte...

- Nej, inte alls.

Rcc+EE’

Modul blymotståndc)- Jag är inte...Terminal till chip

tc=25°C

- Jag är inte...

0.18

- Jag är inte...

mÅh

Symbol

Parametrar

Testförhållanden

Min.

Typ.

- Max.

Enheter

Vf

Diod framåt

Spänning

Jagf= 800A

tj=25°C

- Jag är inte...

2.4

- Jag är inte...

V

tj=125°C

- Jag är inte...

2.2

- Jag är inte...

QR

Diod omvänd

återställningsladdning

- Jag är inte...

- Jag är inte...

Jagf=800A,

VR=600 V,

di/dt=-3600A/μs,- Jag är inte...VGenerella=-15V

tj=25°C

- Jag är inte...

37

- Jag är inte...

μC

tj=125°C

- Jag är inte...

90

- Jag är inte...

- Jag är inte...

JagRM

Diodspik

Omvänd återhämtning- Jag är inte...Ström

tj=25°C

- Jag är inte...

260

- Jag är inte...

- Jag är inte...

a)

tj=125°C

- Jag är inte...

400

- Jag är inte...

erec

Omvänd återhämtning- Jag är inte...energi

tj=25°C

- Jag är inte...

9

- Jag är inte...

MJ

tj=125°C

- Jag är inte...

24

- Jag är inte...

Symbol

Parametrar

Typ.

- Max.

Enheter

RθJC

Junction-to-Case (IGBT Del, per- Jag är inte...1/2 modul)

- Jag är inte...

0.029

K/W

RθJC

Junction-to-Case (Diod Del, per- Jag är inte...1/2 modul)

- Jag är inte...

0.052

K/W

RθCS

Kapsling till kylare

(Ledande fett applicerat, per Modul)

0.006

- Jag är inte...

K/W

Vikt

Vikt av- Jag är inte...Modul

1500

- Jag är inte...

g