1700В

(Simbol)

 (Parameter)

(Testni uslovi)

 (vrednost)

(Jedinca)

VCES

Napon kolektora-emiter

V GE = 0V,Tvj = 25°C

1700

v

V GES

Napon između vrata i emitera

Управо.

± 20

v

I C

Struja kolektora-emiter

T kućište = 100 °C, Tvj = 150 °C

2400

а

I C(PK)

Maksimalna struja kolektora

tP = 1ms

4800

а

P max

Максимално.Управо.gubitak snage tranzistora

Tvj = 150°C, T kućište = 25 °C

19.2

кВ

I 2t

 Dioda I2t

VR =0V, t P  = 10ms, Tvj = 150 °C

1170

kA2s

Управо.

Visol

Napon izolacije – po modulu

 ( zajednički priključci na osnovnu ploču),

AC RMS,1 min, 50Hz

Управо.

4000

Управо.

v

Q PD

Delimično pražnjenje – po modulu

IEC1287. V 1 = 1800V, V2 = 1300V, 50Hz RMS

10

pc

Tcase = 25 °C  T slučaj  = 25°C osim ako nije drugačije navedeno

(Simbol)

 (Parameter)

(Testni uslovi)

(мин)

 (Typ)

 (Max)

 (Jedinica)

Управо.

Управо.

I CES

Управо.

Управо.

CES

V GE = 0V, VCE  = VCES

Управо.

Управо.

1

ма

V GE = 0V, VCE  = VCES , T slučaj =125 °C

Управо.

Управо.

40

ма

V GE = 0V, VCE  = VCES , T slučaj =150 °C

Управо.

Управо.

60

ма

I GES

Struja curenja vrata

V GE = ±20V, VCE  = 0V

Управо.

Управо.

1

= 0V

V GE (TH)

(TH)

I C = 80mA, V GE  = VCE

5.0

6.0

7.0

v

Управо.

Управо.

VCE (sat)(*1)

Управо.

 Saturacija kolektor-emiter

напон

VGE =15V, IC = 2400A

Управо.

1.75

Управо.

v

VGE =15V, IC = 2400A,Tvj = 125 °C

Управо.

1.95

Управо.

v

VGE =15V, IC = 2400A,Tvj = 150 °C

Управо.

2.05

Управо.

v

I F

vj

dc

Управо.

2400

Управо.

а

I FRM

Maksimalna napredna struja dioda

t P = 1ms

Управо.

4800

Управо.

а

Управо.

Управо.

VF(*1)

Управо.

Управо.

1ms

IF = 2400A

Управо.

1.65

Управо.

v

IF = 2400A, Tvj = 125 °C

Управо.

1.75

Управо.

v

IF = 2400A, Tvj = 150 °C

Управо.

1.75

Управо.

v

Cies

125 °C

VCE = 25V, V GE  = 0V, f = 1MHz

Управо.

400

Управо.

НФ

Qg

 Napunjenje vrata

Napunjenje vrata

Управо.

19

Управо.

±15V

Cres

Kapacitivnost povratnog prenosa

VCE = 25V, V GE  = 0V, f = 1MHz

Управо.

3

Управо.

НФ

L M

Индуктивност модула

Управо.

Управо.

10

Управо.

н

R INT

Unutrašnji otpor tranzistora

Управо.

Управо.

110

Управо.

μΩ

Управо.

Управо.

I SC

Управо.

Struja kratkog spoja, ISC

Tvj = 150°C, V CC = 1000V, V GE ≤15V, tp ≤10μs,

VCE(max) = VCES – L (*2) ×di/dt, IEC 6074-9

Управо.

Управо.

Управо.

12000

Управо.

Управо.

Управо.

а

td(off)

Vreme kašnjenja isključivanja

Управо.

Управо.

Управо.

I C = 2400A

VCE = 900V

L S  ~ 50nH

V GE = ±15V

R G(ON) = 0.5Ω

R G(OFF)= 0.5Ω

Управо.

2320

Управо.

ns

t f

Vreme opadanja

Управо.

500

Управо.

ns

E OFF

Gubitak energije pri isključivanju

Управо.

1050

Управо.

mJ

td(on)

Vreme kašnjenja uključivanja

Управо.

450

Управо.

ns

tr

Vreme rasta

Управо.

210

Управо.

ns

EON

Gubitak energije pri uključivanju

Управо.

410

Управо.

mJ

Qrr

Dijodna obrnuta povratna naplata

Управо.

I F = 2400A

VCE = 900V

diF/dt =10000A/us

Управо.

480

Управо.

±15V

I rr

Dijodna obrnuta povratna struja

Управо.

1000

Управо.

а

Erec

Dijodna obrnuta povratna energija

Управо.

320

Управо.

mJ

td(off)

Vreme kašnjenja isključivanja

Управо.

Управо.

Управо.

I C = 2400A

VCE = 900V

L S  ~ 50nH

V GE = ±15V

R G(ON) = 0.5Ω

R G(OFF)= 0.5Ω

Управо.

2340

Управо.

ns

t f

Vreme opadanja

Управо.

510

Управо.

ns

E OFF

Gubitak energije pri isključivanju

Управо.

1320

Управо.

mJ

td(on)

Vreme kašnjenja uključivanja

Управо.

450

Управо.

ns

tr

Vreme rasta

Управо.

220

Управо.

ns

EON

Gubitak energije pri uključivanju

Управо.

660

Управо.

mJ

Qrr

Dijodna obrnuta povratna naplata

Управо.

I F = 2400A

VCE = 900V

diF/dt =10000A/us

Управо.

750

Управо.

±15V

I rr

Dijodna obrnuta povratna struja

Управо.

1200

Управо.

а

Erec

Dijodna obrnuta povratna energija

Управо.

550

Управо.

mJ

td(off)

Vreme kašnjenja isključivanja

Управо.

Управо.

Управо.

I C = 2400A

VCE = 900V

L S  ~ 50nH

V GE = ±15V

R G(ON) = 0.5Ω

R G(OFF)= 0.5Ω

Управо.

2340

Управо.

ns

t f

Vreme opadanja

Управо.

510

Управо.

ns

E OFF

Gubitak energije pri isključivanju

Управо.

1400

Управо.

mJ

td(on)

Vreme kašnjenja uključivanja

Управо.

450

Управо.

ns

tr

vreme uspona

Управо.

220

Управо.

ns

EON

Gubitak energije pri uključivanju

Управо.

820

Управо.

mJ

Qrr

Dijodna obrnuta povratna naplata

Управо.

I F = 2400A

VCE = 900V

diF/dt =12000A/us

Управо.

820

Управо.

±15V

I rr

Dijodna obrnuta povratna struja

Управо.

1250

Управо.

а

Erec

Dijodna obrnuta povratna energija

Управо.

620

Управо.

mJ