YMIF1000-33, IGBT Modul, 3300V 1000A

IGBT Modul 3300V

YMIF1000-33, IGBT modul, 3300V 1000A

IGBT modul, 3300V 1000A

Brand:

ЦРЦЦ

Spu:

ИМИФ1000-33

увод
Kontura

увод

кључУправо.параметри

vTip	3300Управо.v
vу(= 40)	(Tip)Управо.Управо.2.40Управо.v
иc	(Max)Управо.1000Управо.а
иC(РМ)	(Max)Управо.Управо.2000Управо.а

Управо.

типичне апликације

Pogonski sistemi
Kontroleri motora
паметнаУправо.решетка
високУправо.поузданостУправо.инвертор

типичне апликације

Pogonski sistemi
мотор
Kontroleri motora
Pametna mreža
Visoka pouzdanost inverter

Apsolutna maksimalna ocena

(Simbol)	(Parameter)	(Testni uslovi)	(вредност)	(Jedinica)
VCES	Napon kolektora-emiter	VGE = 0V, TC= 25 °C	3300	v
VGES	Napon između vrata i emitera	TC= 25 °C	± 20	v
I C	Struja kolektora-emiter	TC = 95 °C	1000	а
IC(PK)	Maksimalna struja kolektora	t P= 1ms	2000	а
P max	Maks. disipacija snage tranzistora	Tvj = 150°C, TC = 25 °C	10.4	кВ
I 2t	Dioda I2t	VR =0V, t P = 10ms, Tvj = 150 °C	320	kA2s
Visol	Napon izolacije – po modulu	Zajednički terminali sa osnovnom pločom), AC RMS,1 min, 50Hz,TC= 25 °C	6000	v
Q PD	Delimično pražnjenje – po modulu	IEC1287. V 1 = 3500V, V 2 = 2600V, 50Hz RMS, TC= 25 °C	10	pc

Управо.

Električne karakteristike

(Simbol)		(Parametar)	(Testni uslovi)	(мин)	(Tip)	(Max)	(Jedinca)
Управо. I CES		Управо. Управо. CES	VGE = 0V,VCE = VCES	Управо.	Управо.	1	ма
			VGE = 0V, VCE = VCES , TC= 125 ° C	Управо.	Управо.	60	ма
			VGE = 0V, VCE = VCES , TC= 150 ° C	Управо.	Управо.	100	ма
I GES		Управо. Struja curenja vrata	VGE = ±20V, VCE = 0V	Управо.	Управо.	1	= 0V
VGE (TH)		(TH)	I C= 80mA, VGE= VCE	5.50	6.10	7.00	v
Управо. VCE	Управо. (*1) (sat)	(*1) напон	VGE= 15V, I C= 1000A	Управо.	2.40	2.90	v
			VGE= 15V, I C= 1000A,Tvj = 125 ° C	Управо.	2.95	3.40	v
			VGE= 15V, I C= 1000A,Tvj = 150 ° C	Управо.	3.10	3.60	v
I F		vj	dc	Управо.	1000	Управо.	а
I FRM		Управо. Maksimalna napredna struja dioda	t P = 1ms	Управо.	2000	Управо.	а
Управо. VF(*1)		Управо. Управо. 1ms	I F= 1000A	Управо.	2.10	2.60	v
			I F= 1000A, Tvj= 125 ° C	Управо.	2.25	2.70	v
			I F= 1000A, Tvj= 150 ° C	Управо.	2.25	2.70	v
C ies		Управо. 125 °C	VCE= 25V, VGE= 0V, f = 1MHz	Управо.	170	Управо.	НФ
Q g		= 25V,	Napunjenje vrata	Управо.	17	Управо.	±15V
C res		Kapacitivnost povratnog prenosa	VCE= 25V, VGE= 0V, f = 1MHz	Управо.	4	Управо.	НФ
L M		Управо. Индуктивност модула	Управо.	Управо.	15	Управо.	н
R INT		Unutrašnji otpor tranzistora	Управо.	Управо.	165	Управо.	μΩ
Управо. I SC		Struja kratkog spoja, ISC	Tvj = 150° C, VCC = 2500V, VGE≤15V, tp≤10μs, VCE(maks) = VCES – L (*2)×di/dt, IEC 6074-9	Управо.	Управо. 3900	Управо.	Управо. а

Управо.

td(off)	Vreme kašnjenja isključivanja	Управо. I C =1000A VCE =1800V C GE = 220nF L ~ 150nH VGE = ±15V RG(ON) = 1.5Ω RG(OFF)= 2.2Ω	Управо.	1800	Управо.	ns
t f	vreme opadanja		Управо.	530	Управо.	ns
E OFF	Gubitak energije pri isključivanju		Управо.	1600	Управо.	mJ
td(on)	Vreme kašnjenja uključivanja		Управо.	680	Управо.	ns
t r	Vreme rasta		Управо.	320	Управо.	ns
EON	Gubitak energije pri uključivanju		Управо.	1240	Управо.	mJ
Q rr	Dijodna obrnuta povratna naplata	I F =1000A VCE =1800V diF/dt =3300A/us	Управо.	780	Управо.	±15V
I rr	Dijodna obrnuta povratna struja		Управо.	810	Управо.	а
E rec	Dijodna obrnuta povratna energija		Управо.	980	Управо.	mJ
td(off)	Vreme kašnjenja isključivanja	Управо. I C =1000A VCE =1800V C GE = 220nF L ~ 150nH VGE = ±15V RG(ON) = 1.5Ω RG(OFF)= 2.2Ω	Управо.	1940	Управо.	ns
t f	Vreme opadanja		Управо.	580	Управо.	ns
E OFF	Gubitak energije pri isključivanju		Управо.	1950	Управо.	mJ
td(on)	Vreme kašnjenja uključivanja		Управо.	660	Управо.	ns
t r	Vreme rasta		Управо.	340	Управо.	ns
EON	Gubitak energije pri uključivanju		Управо.	1600	Управо.	mJ
Q rr	Dijodna obrnuta povratna naplata	I F =1000A VCE =1800V diF/dt =3300A/us	Управо.	1200	Управо.	±15V
I rr	Dijodna obrnuta povratna struja	I F =1000A VCE =1800V diF/dt =3300A/us	Управо.	930	Управо.	а