IGBT Modul 1700V

(Simbol)

(Parametar)

(Testni uslovi)

(вредност)

(Jedinca)

VCES

Napon kolektora-emiter

V GE = 0V, TC= 25。c

1700

v

V GES

Napon između vrata i emitera

TC= 25。c

± 20

v

I C

Struja kolektora-emiter

TC  = 80。c

800

а

I C(PK)

Maksimalna struja kolektora

t P=1ms

1600

а

P max

Maks. disipacija snage tranzistora

Tvj  = 150。C, TC = 25。c

6.94

кВ

I 2t

Dioda I 2t

VR =0V, t P = 10ms, Tvj = 125。c

120

kA2s

Управо.

Visol

Napon izolacije – po modulu

( zajednički terminali sa osnovnom pločom),

AC RMS,1 min, 50Hz,TC= 25。c

4000

v

Q PD

Delimično pražnjenje – po modulu

IEC1287. V 1 = 1800V, V2 = 1300V, 50Hz RMS, TC= 25。c

10

pc

(Симбол)

Управо.(параметар)

(Testni uslovi)

(минус)

(navedeno)

(макс)

(јединица)

Управо.

I CES

CES

V GE = 0V,VCE  = VCES

Управо.

Управо.

1

ма

V GE = 0V, VCE  = VCES , TC=125 ° C

Управо.

Управо.

25

ма

I GES

Struja curenja vrata

V GE = ±20V, VCE  = 0V

Управо.

Управо.

4

= 0V

V GE (TH)

(TH)

I C = 40mA, V GE = VCE

5.00

5.70

6.50

v

Управо.

VCE (sat)(*1)

Напетост за насићење колектора-излазника

V GE =15V, I C  = 800A

Управо.

2.30

2.60

v

V GE =15V, I C  = 800A,Tvj = 125 ° C

Управо.

2.80

3.10

v

I F

vj

直流dc

Управо.

Управо.

800

а

I FRM

Maksimalna napredna struja dioda

t P = 1ms

Управо.

Управо.

1600

а

Управо.

VF(*1)

1ms

I F = 800A

Управо.

1.70

2.00

v

I F = 800A, Tvj  = 125 ° C

Управо.

1.80

2.10

v

C ies

125 °C

VCE = 25V, V GE  = 0V, f = 1MHz

Управо.

60

Управо.

НФ

Q g

= 25V,

Napunjenje vrata

Управо.

9

Управо.

±15V

C res

Kapacitivnost povratnog prenosa

VCE = 25V, V GE  = 0V, f = 1MHz

Управо.

Управо.

- Да ли је то истина?

Управо.

НФ

L M

Индуктивност модула

Управо.

Управо.

20

Управо.

н

R INT

Unutrašnji otpor tranzistora

Управо.

Управо.

270

Управо.

μΩ

Управо.

Управо.

I SC

Struja kratkog spoja, ISC

Tvj = 125° C, VCC  = 1000V,

V GE ≤15V, tp ≤10μs,

VCE(maks) = VCES – L (*2)×di/dt,

IEC 6074-9

Управо.

Управо.

Управо.

3700

Управо.

Управо.

Управо.

а

td(off)

Vreme kašnjenja isključivanja

Управо.

Управо.

Управо.

I C =800A

VCE =900V

L ~ 100nH

V GE = ±15V

RG(ON) = 2.2Ω

RG(OFF)= 2.2Ω

Управо.

890

Управо.

ns

t f

Vreme opadanja

Управо.

220

Управо.

ns

E OFF

Gubitak energije pri isključivanju

Управо.

220

Управо.

mJ

td(on)

Vreme kašnjenja uključivanja

Управо.

320

Управо.

ns

t r

Vreme rasta

Управо.

190

Управо.

ns

EON

Gubitak energije pri uključivanju

Управо.

160

Управо.

mJ

Q rr

Dijodna obrnuta povratna naplata

Управо.

I F = 800A

VCE = 900V

diF/dt =4000A/us

Управо.

260

Управо.

±15V

I rr

Dijodna obrnuta povratna struja

Управо.

510

Управо.

а

E rec

Dijodna obrnuta povratna energija

Управо.

180

Управо.

mJ

td(off)

Vreme kašnjenja isključivanja

Управо.

Управо.

Управо.

I C =800A

VCE =900V

L ~ 100nH

V GE = ±15V

RG(ON) = 2.2Ω

RG(OFF)= 2.2Ω

Управо.

980

Управо.

ns

t f

Vreme opadanja

Управо.

280

Управо.

ns

E OFF

Gubitak energije pri isključivanju

Управо.

290

Управо.

mJ

td(on)

Vreme kašnjenja uključivanja

Управо.

400

Управо.

ns

t r

Vreme rasta

Управо.

250

Управо.

ns

EON

Gubitak energije pri uključivanju

Управо.

230

Управо.

mJ

Q rr

Dijodna obrnuta povratna naplata

Управо.

I F = 800A

VCE = 900V

diF/dt =4000A/us

Управо.

420

Управо.

±15V

I rr

Dijodna obrnuta povratna struja

Управо.

580

Управо.

а

E rec

Dijodna obrnuta povratna energija

Управо.

280

Управо.

mJ