IGBT Modul 1700V

Симбол

Parametri

Testni uslovi

vrednost

jedinica

VCES

Napon kolektora-emiter

VGE = 0V, TC= 25 °C

1700

V

VGES

Napon između vrata i emitera

TC= 25 °C

± 20

V

IC

Struja kolektora-emiter

ТЦ = 65 °C

1400

А

IC(PK)

集电极峰值电流

Maksimalna struja kolektora

tP=1ms

2800

А

Pmax

Maks. disipacija snage tranzistora

Tvj = 150°C, TC = 25 °C

6.25

KW

I2t

Dioda I2t

VR =0V, tP = 10ms, Tvj = 150 °C

145

kA2s

Visol

Napon izolacije - po modulu

Zajednički terminali sa osnovnom pločom), AC RMS,1 min, 50Hz, TC= 25 °C

4000

V

Симбол

Parametri

Testni uslovi

Минут.

Tip.

Макс. -Макс.

jedinica

ICES

CES

VGE = 0V,VCE = VCES

1

МА

VGE = 0V, VCE = VCES, TC=125 °C

20

МА

VGE = 0V, VCE = VCES, TC=150 °C

30

МА

IGES

Struja curenja vrata

VGE = ±20V, VCE = 0V

0.5

= 0V

VGE (TH)

(TH)

IC = 30mA, VGE = VCE

5.00

6.00

7.00

V

VCE (sat)(*1)

(*1) Napon

ВГЕ = 15В, ИЦ = 1400А

2.00

2.40

V

Уколико је потребно, додајте да је у складу са одредбама из 1.

2.45

2.70

V

Уколико је потребно, додајте да је у складу са одредбама из 1.

2.55

2.80

V

Ако

vj

DC

1400

А

IFRM

Диодска врхнова испредна струја

tP = 1ms

2800

А

VF(*1)

1ms

ИФ = 1400А, ВГЕ = 0

1.80

2.20

V

IF = 1400A, VGE = 0, Tvj = 125 °C

1.95

2.30

V

IF = 1400A, VGE = 0, Tvj = 150 °C

2.00

2.40

V

ISC

Struja pri kratkom spoju

Tvj = 150°C, VCC = 1000V, VGE ≤15V, tp ≤10μs,

VCE(max) = VCES – L(*2) ×di/dt, IEC 6074-9

5400

А

Cies

инпугут електрична капацитет

125 °C

VCE = 25V, VGE = 0V, f = 100kHz

113

НФ

Qg

= 25V,

Napunjenje vrata

11.7

±15V

Cres

Kapacitivnost povratnog prenosa

VCE = 25V, VGE = 0V, f = 100kHz

3.1

НФ

LM

Индуктивност модула

10

nH

РИНТ

Unutrašnji otpor tranzistora

0.2

mΩ

td(off)

Vreme kašnjenja isključivanja

IC = 1400A,

ВЦЕ = 900В,

VGE = ±15V, RG(OFF) = 1.8Ω , LS = 20nH,

dv/dt =3000V/us (Tvj= 150 °C).

Tvj= 25 °C

1520

ns

Tvj= 125 °C

1580

Tvj= 150 °C

1600

Тф

下降时间 Vreme opadanja

Tvj= 25 °C

460

ns

Tvj= 125 °C

610

Tvj= 150 °C

650

EOFF

Gubitak energije pri isključivanju

Tvj= 25 °C

460

mJ

Tvj= 125 °C

540

Tvj= 150 °C

560

td(on)

Vreme kašnjenja uključivanja

IC = 1400A,

ВЦЕ = 900В,

VGE = ±15V, RG(ON) = 1.2Ω , LS = 20nH,

ди/дт = 10000А/ус (Твj= 150 °C).

Tvj= 25 °C

400

ns

Tvj= 125 °C

370

Tvj= 150 °C

360

tr

Vreme rasta

Tvj= 25 °C

112

ns

Tvj= 125 °C

120

Tvj= 150 °C

128

EON

Gubitak energije pri uključivanju

Tvj= 25 °C

480

mJ

Tvj= 125 °C

580

Tvj= 150 °C

630

Qrr

Диод реверс

naplata

IF =1400A, VCE = 900V,

- диФ/дт = 10000А/ус (Твј= 150 °C).

Tvj= 25 °C

315

±15V

Tvj= 125 °C

440

Tvj= 150 °C

495

Irr

Диод реверс

naplata struje

Tvj= 25 °C

790

А

Tvj= 125 °C

840

Tvj= 150 °C

870

Erec

Диод реверс

energija naplate

Tvj= 25 °C

190

mJ

Tvj= 125 °C

270

Tvj= 150 °C

290