IGBT Modul 1700V

Симбол

параметар

Testni uslovi

вредност

Јединица

VCES

Napon kolektora-emiter

VGE = 0V, TC= 25 °C

1700

v

VGES

Napon između vrata i emitera

TC= 25 °C

± 20

v

IC

Struja kolektora-emiter

ТЦ = 65 °C

1400

а

IC(PK)

集电极峰值电流

Maksimalna struja kolektora

tP=1ms

2800

а

Pmax

Maks. disipacija snage tranzistora

Tvj = 150°C, TC = 25 °C

6.25

кВ

I2t

Dioda I2t

VR =0V, tP = 10ms, Tvj = 150 °C

145

kA2s

Управо.

Visol

Napon izolacije - po modulu

Уобичајени терминали до базалне плоче), ЦА РМС,1 мин, 50 Хц, ТЦ= 25 °C

Управо.

4000

Управо.

v

Симбол

параметар

Testni uslovi

минимум.

Тип.

Максимално.

Јединица

Управо.

Управо.

Управо.

ICES

Управо.

Управо.

CES

VGE = 0V,VCE  = VCES

Управо.

Управо.

1

ма

VGE = 0V, VCE  = VCES, TC=125 °C

Управо.

Управо.

20

ма

VGE = 0V, VCE  = VCES, TC=150 °C

Управо.

Управо.

30

ма

IGES

Struja curenja vrata

VGE = ±20V, VCE  = 0V

Управо.

Управо.

0.5

= 0V

VGE (TH)

(TH)

ИЦ = 30мА, ВГЕ = ВЦЕ

5.00

6.00

7.00

v

Управо.

Управо.

VCE (sat)(*1)

Управо.

Управо.

(*1)Управо.напон

ВГЕ = 15В, ИЦ = 1400А

Управо.

2.00

2.40

v

Уколико је потребно, додајте да је у складу са одредбама из 1.

Управо.

2.45

2.70

v

Уколико је потребно, додајте да је у складу са одредбама из 1.

Управо.

2.55

2.80

v

ако

vj

dc

Управо.

1400

Управо.

а

IFRM

Диодска врхнова испредна струја

tP = 1ms

Управо.

2800

Управо.

а

Управо.

Управо.

VF(*1)

Управо.

Управо.

1ms

ИФ = 1400А, ВГЕ = 0

Управо.

1.80

2.20

v

ИФ = 1400А, ВГЕ = 0, Твдж = 125 °С

Управо.

1.95

2.30

v

Ако је 1400 А, ВГЕ = 0, Твдж = 150 °С

Управо.

2.00

2.40

v

Управо.

ISC

Управо.

струја кратког кола

Tvj = 150°C, VCC = 1000V, VGE ≤15V, tp ≤10μs,

VCE(max) = VCES – L(*2) ×di/dt, IEC 6074-9

Управо.

Управо.

5400

Управо.

Управо.

а

Cies

инпугут електрична капацитет

125 °C

Уколико је потребно, додајте:

Управо.

113

Управо.

НФ

Qg

= 25V,

Napunjenje vrata

Управо.

11.7

Управо.

±15V

Cres

Kapacitivnost povratnog prenosa

Уколико је потребно, додајте:

Управо.

3.1

Управо.

НФ

Ја сам

Индуктивност модула

Управо.

Управо.

10

Управо.

н

РИНТ

Unutrašnji otpor tranzistora

Управо.

Управо.

0.2

Управо.

mΩ

Управо.

td(off)

Управо.

Vreme kašnjenja isključivanja

Управо.

Управо.

Управо.

IC = 1400A,

ВЦЕ = 900В,

ВГЕ = ±15В, РГ ((ОФ) = 1.8Ω, ЛС = 20нХ,

dv/dt =3000V/us (Tvj= 150 °C).

Tvj= 25 °C

Управо.

1520

Управо.

Управо.

ns

Tvj= 125 °C

Управо.

1580

Управо.

Tvj= 150 °C

Управо.

1600

Управо.

Управо.

Тф

Управо.

下降时间Vreme opadanja

Tvj= 25 °C

Управо.

460

Управо.

Управо.

ns

Tvj= 125 °C

Управо.

610

Управо.

Tvj= 150 °C

Управо.

650

Управо.

Управо.

EOFF

Управо.

Gubitak energije pri isključivanju

Tvj= 25 °C

Управо.

460

Управо.

Управо.

mJ

Tvj= 125 °C

Управо.

540

Управо.

Tvj= 150 °C

Управо.

560

Управо.

Управо.

td(on)

Управо.

Vreme kašnjenja uključivanja

Управо.

Управо.

Управо.

IC = 1400A,

ВЦЕ = 900В,

ВГЕ = ±15В, РГ(ОН) = 1,2Ω, ЛС = 20нХ,

ди/дт = 10000А/ус (Твj= 150 °C).

Tvj= 25 °C

Управо.

400

Управо.

Управо.

ns

Tvj= 125 °C

Управо.

370

Tvj= 150 °C

Управо.

360

Управо.

tr

Управо.

Vreme rasta

Tvj= 25 °C

Управо.

112

Управо.

Управо.

ns

Tvj= 125 °C

Управо.

120

Tvj= 150 °C

Управо.

128

Управо.

Управо.

EON

Управо.

Gubitak energije pri uključivanju

Tvj= 25 °C

Управо.

480

Управо.

Управо.

mJ

Tvj= 125 °C

Управо.

580

Управо.

Tvj= 150 °C

Управо.

630

Управо.

Управо.

Qrr

Диод заузврат

naplata

Управо.

Управо.

Управо.

Управо.

ИФ = 1400А, ВЦЕ = 900В,

- диФ/дт = 10000А/ус (Твј= 150 °C).

Tvj= 25 °C

Управо.

315

Управо.

Управо.

±15V

Tvj= 125 °C

Управо.

440

Управо.

Tvj= 150 °C

Управо.

495

Управо.

Управо.

Irr

Диод заузврат

naplata struje

Tvj= 25 °C

Управо.

790

Управо.

Управо.

а

Tvj= 125 °C

Управо.

840

Управо.

Tvj= 150 °C

Управо.

870

Управо.

Управо.

Erec

Диод заузврат

energija naplate

Tvj= 25 °C

Управо.

190

Управо.

Управо.

mJ

Tvj= 125 °C

Управо.

270

Управо.

Tvj= 150 °C

Управо.

290

Управо.