Thyristor moduli (tip neizolovan)

МТГ200,МТИ200,Тиристорски модули ((Неизолиран тип)),ТЕКСЕМ

800В~1800В,213Ф4

Brand:

TECHSEM

Spu:

MTG200/MTY200

Appurtenance:

Brošura proizvoda: PREUZMI

Uvod
Kontura
Ekvivalentna šema kola

Uvod

Кратко увођење

Thyristor moduli (tip neizolovan) ,MTG200 ,MTY200 ,proizvedeno od strane TECHSEM .

VRRM,VDRM

Tip i kontura

800V

1000V

1200V

1400V

1600V

1800V

MTx200-08-213F4 MTx200-10-213F4 MTx200-12-213F4 MTx200-14-213F4 MTx200-16-213F4 MTx200-18-213F4

MFx200-08-213F4 MFx200-10-213F4 MFx200-12-213F4 MFx200-14-213F4 MFx200-16-213F4 MFx200-18-213F4

МТкс значи сваки тип МТГ, МТЈ

МФк значи сваки тип МФГ, МФИ

Karakteristike ：

Неизолирана. Монтажа база као анодни или цстодни терминал
Tehnologija pritisnog kontakta sa povećano ciklično napajanje sposobnost
Ниско напон у стању рада d кама

Tipične Aplikacije ：

Izvor napajanja za zavarivanje
Različiti DC izvori napajanja
ЦЦ снабдевање за ПВМ инверт

Симбол	Karakteristika	Testni uslovi	Tj( ℃ )	vrednost			jedinica
Симбол	Karakteristika	Testni uslovi	Tj( ℃ )	min	Tip	maks	jedinica
IT ((AV)	Srednji strujni tok u aktivnom stanju	180° polu sinusni talas 50Hz Једнострана хладна, ТЦ=90 ℃	125			200	А
IT(RMS)	RMS struja u stanju uključenja	180° polu sinusni talas 50Hz Једнострана хладна, ТЦ=90 ℃	125			314	А
Идром Идром	Ponovljeni vršni trenutni	pri VDRM pri VRRM	125			20	МА
ITSM	Prekoračenje struje u aktivnom stanju	VR=60%VRRM, t=10ms полусинус	125			5.2	kA
I2t	I2t za koordinaciju fuzije	VR=60%VRRM, t=10ms полусинус	125			135	10³А ²s
VTO	Пресни напон		125			0.80	V
rT	Otpor nagiba u aktivnom stanju		125			1.15	mΩ
VTM	Vršna naponska vrednost u aktivnom stanju	ITM=600A	25			1.62	V
dv/dt	Kritična brzina porasta napona u isključenom stanju	VDM=67%VDRM	125			800	В/μs
ди/т	Критична стопа повећања струје у стању	Izvor vrata 1.5A tr ≤0.5μs Ponovljivo	125			100	А/μс
ИГТ	Struja okidanja kapije	VA=12V, IA=1A	25	30		150	МА
Вгг.	Napon okidača			0.8		2.5	V
ИХ	Držna struja			10		180	МА
IL	Zadržavajuća struja					1000	МА
VGD	Napon okidača bez okidanja	VDM=67%VDRM	125			0.2	V
Rth(j-c)	Toplotna otpornost spojnice do kućišta	Na 180 。синус, једнострана хладноћа по чипу				0.13	℃ /W
Rth(c-h)	Toplotna otpornost kućišta do hladnjaka	Na 180 ° синус, једнострана хладноћа по чипу				0.10	℃ /W
ФМ	Moment veze terminala (M6)			4.5		6.0	Н·м
ФМ	Moment montaže (M6)			4.5		6.0	Н·м
ТВј	Temperatura spoja			-40		125	℃
ТСТГ	Temperatura skladištenja			-40		125	℃
Wt	Težina				280		G
Kontura	213Ф4