Moduli IGBT 4500V

Parametri

ndryshe

Kushtet

Vlera

njësi

Të gjithaTensioni kolektor-emitor

vTip

vRryma e prerjes së kolektorit=0V,t= 500A,=25°c

4500

v

Të gjithaKolektori DCTë gjithacurrent

ic

tc=100°C,T= 500A,=125°c

2000

a

Rryma maksimale e kolektorit

iCM

tp=1ms

4000

a

Porta- Po, mirë.emetuesTë gjithatension

v=150 °C

Të gjitha

±20

v

totalTë gjithafuqiTë gjithashpërndarje

ptë

tc=25°C,T= 500A,=125°c

20800

w

dcTë gjithaCu përpararrent

if

Të gjitha

2000

a

MajëTë gjithaCur përparaqira

iRryma përpara e diodës

tp=1ms

4000

a

Rryma e goditjes

iFSM

vr=0V,T= 500A,=125°C,

tp=10ms, gjysmë-valë sinusoidale

14000

a

IGBT Shkurtimi i Qarkut SOA

tpsc

vcc=3400V,vCEMTë gjithachip≤4500VTë gjithavRryma e prerjes së kolektorit≤15V,T= 500A,≤125°c

10

μs

Maksimumi i KryqëzimitTemperatura

t= 500A,(Maksim)

Të gjitha

125

°C

Qendra e ndërlidhjesTë gjithaTemperatura e funksionimit

t= 500A,(op)

Të gjitha

-40~125

°C

Temperatura e rastit

tc

Të gjitha

-40~125

°C

Temperatura e ruajtjes

tSTG

Të gjitha

-40~70

°C

Forca e montimit

fm

Të gjitha

60~75

kn

Parametri

 Simboli

Kushtet

Vlera

njësi

Min.

- Në rregull.

- Max.

Tensioni i Prishjes Kolektor-Emitter

V ((BR) CES

VGE=0V, IC=10mA, Tvj=25℃

4500

Të gjitha

Të gjitha

v

Tensioni i ngopjes kolektor-emetues

VCE(sat)

IC=2000A, VGE=15V

Tvj=25℃

Të gjitha

2.70

3.05

v

Tvj=125℃

Të gjitha

3.35

3.85

v

Tensioni i Prerjes Kolektor-Emitter

ICES

VCE=4500V, VGE=0V

Tvj=25℃

Të gjitha

Të gjitha

1

= 0V,

Tvj=125℃

Të gjitha

15

100

= 0V,

Aktualisht rrjedhja e portës-emittorit

IGES

VCE=0V, VGE=±20V, Tvj=125℃

-500

Të gjitha

500

jo

Tensioni i pragut të portës-emiterit

VGE (th)

IC=320mA, VCE=VGE, Tvj=25℃

6.7

Të gjitha

7.7

v

nF

Qg

IC=2000A, VCE=2800V, VGE=-15V~+15V

Të gjitha

10

Të gjitha

±15V

ies

Cies

Të gjitha

Të gjitha

VCE=25V, VGE=0V, f=500kHz, Tvj=25℃

Të gjitha

213

Të gjitha

MHz

Kapaciteti i prodhimit

Koes

Të gjitha

15.3

Të gjitha

MHz

Kapaciteti i transferit të kundërt

Cres

Të gjitha

4.7

Të gjitha

MHz

Rezistenca e portës së brendshme

RGint

Të gjitha

Të gjitha

0

Të gjitha

Oh

Koha e vonesës së ndezjes

td(on)

Të gjitha

Të gjitha

Të gjitha

Të gjitha

Të gjitha

IC=2000A,

VCE=2800V,

VGE=±15V,

RGon=1.8Ω,

RGoff=8.2Ω,

CGE=330nF,

LS=140nH,

Ngarkesa Induktive

Tvj=25℃

Të gjitha

1100

Të gjitha

ns

Tvj=125℃

Të gjitha

900

Të gjitha

ns

Koha e ngritjes

tr

Tvj=25℃

Të gjitha

400

Të gjitha

ns

Tvj=125℃

Të gjitha

450

Të gjitha

ns

Koha e vonesës së fikjes

td(off)

Tvj=25℃

Të gjitha

3800

Të gjitha

ns

Tvj=125℃

Të gjitha

4100

Të gjitha

ns

Koha e rënies

tf

Tvj=25℃

Të gjitha

1200

Të gjitha

ns

Tvj=125℃

Të gjitha

1400

Të gjitha

ns

Energjia e Kalimit të Aktivizimit

EON

Tvj=25℃

Të gjitha

14240

Të gjitha

mJ

Tvj=125℃

Të gjitha

15730

Të gjitha

mJ

Energjia e Kalimit të Çaktivizimit

Eof

Tvj=25℃

Të gjitha

6960

Të gjitha

mJ

Tvj=125℃

Të gjitha

8180

Të gjitha

mJ

Rryma e shkurtër

Të gjitha

ISC

VGE≤15V, tpsc≤10µs, VCC=3400V, Tvj=125℃

VCEM CHIP≤4500V

Të gjitha

Të gjitha

8400

Të gjitha

Të gjitha

a

Parametri

 Simboli

Kushtet

Vlera

 Njësi

Min.

- Në rregull.

- Max.

Tension i përparuar

VF

IF=2000A

Tvj=25℃

Të gjitha

2.60

Të gjitha

v

Tvj=125℃

Të gjitha

2.85

Të gjitha

v

Rryma e rikthimit të kundërt

Irr

Të gjitha

Të gjitha

Të gjitha

IF=2000A,   VR=2800V, VGE=15V,    RGon=1.8Ω, LS=140nH,

Ngarkesa Induktive

Tvj=25℃

Të gjitha

1620

Të gjitha

a

Tvj=125℃

Të gjitha

1970

Të gjitha

a

Ngarkesa e Rikuperimit të Prapambetjes

Qrr

Tvj=25℃

Të gjitha

1750

Të gjitha

uC

Tvj=125℃

Të gjitha

2700

Të gjitha

uC

Koha e Rikuperimit të Prapambetjes

trr

Tvj=25℃

Të gjitha

4.0

Të gjitha

ne

Tvj=125℃

Të gjitha

5.1

Të gjitha

ne

Energjia e Humbjes së Rikthimit të Kundërt

Erec

Tvj=25℃

Të gjitha

2350

Të gjitha

mJ

Tvj=125℃

Të gjitha

3860

Të gjitha

mJ