Moduli IGBT 6500V

VCES

6500 V

VCE(sat)        Typ.

3.0 V

IC             Max.

750 A

IC(RM)         Max.

1500 A

ndryshe

Parametri

Kushtet e provës

Vlera

njësi

v_Tip

Tensioni kolektor-emitor

VGE = 0V, TC= 25 °C

6500

v

v_{=150 °C}

Tensioni i portës-emitësit

TC= 25 °C

± 20

v

i_c

Rryma kolektor-emitor

TC = 80 °C

750

a

i_C(PK)

Rryma maksimale e kolektorit

tp=1ms

1500

a

p_Maksim

Max. humbja e energjisë së transistorit

Tvj = 150°C, TC = 25 °C

11.7

kw

i²t

Diode I2t

VR =0V, tP = 10ms, Tvj = 150 °C

460

kA2s

v_Isoli

Tensioni i izolimit - për modul

 ( Terminalet e zakonshme në bazë), AC RMS,1 min, 50Hz, TC= 25 °C

10.2

kv

q_PD

Shkarkimi i pjesshëm - për modul

IEC1287. V1=6900V,V2=5100V,50Hz RMS

10

pc

Rth(J-C) IGBT

Rezistenca termike - IGBT

Të gjitha

Të gjitha

Të gjitha

8.5

K / kW

Të gjitha

Rth(J-C) Diode

Rezistenca termike - Diode

Të gjitha

Të gjitha

Të gjitha

19.0

Të gjitha

K / kW

Të gjitha

Rth(C-H) IGBT

Rezistenca termike -

kutia në radiator (IGBT)

Momenti i montimit 5Nm,

me yndyrë montimi 1W/m·°C

Të gjitha

Të gjitha

9

Të gjitha

K / kW

Të gjitha

Rth(C-H) Diode

Rezistenca termike -

kutia në radiator (Diode)

Momenti i montimit 5Nm,

me yndyrë montimi 1W/m·°C

Të gjitha

Të gjitha

18

Të gjitha

K / kW

Tvjop

Temperatura e ndërlidhjes së funksionimit

( IGBT )

-40

125

vj

( Diode )

-40

125

vj

TSTG

Temperatura e ruajtjes

Varg temperatura e ruajtjes

Të gjitha

-40

125

vj

Të gjitha

Të gjitha

Të gjitha

m

Të gjitha

Të gjitha

Momenti i vidave

Montimi   –M6

Të gjitha

5

Nm

Lidhjet elektrike   – M4

Të gjitha

2

Nm

Lidhjet elektrike   – M8

Të gjitha

10

Nm

符号 Simboli

参数名称Parametri

条件

Kushtet e provës

最小值Min.

典型值- Në rregull.

Maksimal- Max.

单位njësi

Të gjitha

ICES

Të gjitha

集电极截止电流

CES

VGE = 0V,VCE  = VCES

Të gjitha

Të gjitha

1

= 0V,

VGE = 0V, VCE  = VCES, TC=125 °C

Të gjitha

Të gjitha

90

= 0V,

IGES

栅极漏电流

Rryma e derdhjes së portës

VGE = ±20V, VCE  = 0V

Të gjitha

Të gjitha

1

= 0V

VGE (TH)

Grila- Po, mirë.Tensioni i pragut të emetuesit(TH)

IC = 120mA, VGE = VCE

5.00

6.00

7.00

v

Të gjitha

VCE (sat)(*1)

集电极- Po, mirë.Tensioni i ngopjes së emetuesit

(*1)

tension

VGE =15V, IC = 750A

Të gjitha

3.0

3.4

v

VGE =15V, IC = 750A, Tvj = 125 °C

Të gjitha

3.9

4.3

v

nëse

Rryma e drejtpërdrejtë për diodën°C

dc

Të gjitha

750

Të gjitha

a

IFRM

Rryma e përsëritur e pikës së përparme të diodës Rryma maksimale përpara e diodës

tP = 1ms

Të gjitha

1500

Të gjitha

a

Të gjitha

VF(*1)

Të gjitha

Tensioni përparës i diodës

1ms

IF = 750A, VGE = 0

Të gjitha

2.55

2.90

v

IF = 750A, VGE = 0, Tvj = 125 °C

Të gjitha

2.90

3.30

v

Të gjitha

ISC

Të gjitha

Rryma e shkurtër

Rryma e shkurtër

Tvj = 125°C, VCC = 4500V, VGE ≤15V, tp ≤10μs,

VCE(max) = VCES – L(*2) ×di/dt, IEC 6074-9

Të gjitha

Të gjitha

2800

Të gjitha

Të gjitha

a

Cies

Kapaciteti i hyrjes

ies

VCE = 25V, VGE  = 0V, f = 100kHz

Të gjitha

123

Të gjitha

MHz

Qg

Ngarkesa e grilës

nF

Ngarkesa e portës

Të gjitha

9.4

Të gjitha

±15V

Cres

Kapaciteti i transmetimit të kundërt

Kapaciteti i transferit të kundërt

VCE = 25V, VGE  = 0V, f = 100kHz

Të gjitha

2.6

Të gjitha

MHz

LM

Induktanca e modulit

Induktiviteti i modulit

Të gjitha

Të gjitha

10

Të gjitha

nH

RINT

Rezistenca e brendshme

Rezistenca e transistorit të brendshëm

Të gjitha

Të gjitha

90

Të gjitha

mΩ

gj_{(të fikur)}

Koha e vonesës së fikjes

Koha e vonesës së fikjes

Të gjitha

IC =750A,

VCE = 3600V, VGE = ±15V, RG(OFF) = 6.8Ω, CGE = 330nF, LS = 280nH,

Tvj= 25 °C

Të gjitha

3060

Të gjitha

ns

Tvj= 125 °C

Të gjitha

3090

Të gjitha

t_f

Koha e rëniesKoha e rënies

Tvj= 25 °C

Të gjitha

2390

Të gjitha

ns

Të gjitha

mJ

Të gjitha

ns

Të gjitha

ns

Të gjitha

mJ

Të gjitha

±15V

Tvj= 125 °C

Të gjitha

2980

Të gjitha

e_{të mbyllur}

Humbja e fikjes

Humbja e energjisë gjatë fikjes

Tvj= 25 °C

Të gjitha

3700

Të gjitha

Tvj= 125 °C

Të gjitha

4100

Të gjitha

gj_(në)

Koha e vonesës së aktivizimit

Koha e vonesës së ndezjes

Të gjitha

IC =750A,

VCE = 3600V, VGE = ±15V, RG(ON) = 1.0Ω, CGE = 330nF, LS = 280nH,

Tvj= 25 °C

Të gjitha

670

Të gjitha

Tvj= 125 °C

Të gjitha

660

tr

Koha e ngritjesKoha e ngritjes

Tvj= 25 °C

Të gjitha

330

Të gjitha

Tvj= 125 °C

Të gjitha

340

e_Në

Humbja e hapjes

Humbja e energjisë gjatë ndezjes

Tvj= 25 °C

Të gjitha

4400

Të gjitha

Tvj= 125 °C

Të gjitha

6100

Të gjitha

Qrr

Ngarkesa e rikthimit të diodësDiode Kthimi

Ngarkesa e Rikuperimit

Të gjitha

Të gjitha

IF =750A,

VCE = 3600V,

- diF/dt = 3000A/us, (Tvj= 125 °C).

Tvj= 25 °C

Të gjitha

1300

Të gjitha

Tvj= 125 °C

Të gjitha

1680

Të gjitha

Irr

Rryma e rikthimit të diodësDiode Kthimi

Aktualisht rimëkëmbje

Tvj= 25 °C

Të gjitha

1310

Të gjitha

a

Të gjitha

mJ

Tvj= 125 °C

Të gjitha

1460

Të gjitha

Erec

Humbja e rikthimit të diodësDiode Kthimi

energia e rikuperimit

Tvj= 25 °C

Të gjitha

2900

Të gjitha

Tvj= 125 °C

Të gjitha

4080

Të gjitha