MZx250, Moduli i Diodeve me Rikuperim të Shpejtë, TECHSEM

600V~1800V,415F3

Brand:

TECHSEM

Spu:

MZx250

Appurtenance:

Broshurë Produkti: SHKARKO

Përshkrim i shkurtër

Moduli i Diodës së Shpejtë të Rikuperimit , MZ x25 0,Ftohje me Ajër ,Prodhuar nga TECHSEM.

VRRM

Lloji & Skica

600V

800V

1000V

1200V

1400V

1600V

1800V

MZx250-06-415F3

MZx250-08-415F3

MZx250-10-415F3

MZx250-12-415F3

MZx250-14-415F3

MZx250-16-415F3

MZx250-18-415F3

MZ250-18-415F3G

MZx do të thotë çdo lloj të MZC, MZA, MZK

Veprime të Rralla ：

Baza e montimit të izoluar 3000V~
Teknologjia e kontaktit të presionit me Kapacitet të rritur të ciklit të energjisë
Kursim hapësire dhe peshe

Aplikimet Tipike ：

ndryshe	Karakteristikë	Kushtet e provës	Tj( ℃ )	Vlera			Njësia
ndryshe	Karakteristikë	Kushtet e provës	Tj( ℃ )	Min	Lloji	maks	Njësia
IF(AV)	Rryma mesatare përpara	180° gjysmë vale sinusoidale 50Hz Rrafshërim një anë, TC=85 ℃	140			250	A
IF (RMS)	Rryma përpara RMS		140			392	A
IRRM	Rryma pikore përsëritëse	në VRRM	140			70	= 0V,
IFSM	Rryma e përparme e goditjes	10ms gjysmë vale sinusoidale VR=0.6VRRM	140			6.2	kA
Unë ²t	I2t për koordinimin e fundosjes	10ms gjysmë vale sinusoidale VR=0.6VRRM	140			192	10³A ²S
VFO	Tensioni i Pragut		140			1.08	V
rF	Rezistenca e pjerrësisë përpara		140			0.35	M
VFM	Tensioni pikor përpara	IFM=750A	25			1.55	V
trr	Koha e Rikuperimit të Prapambetjes	IFM=300A, tp=4000μs, -di/dt=20A/μs, VR=50V	140		4		μs
trr	Koha e Rikuperimit të Prapambetjes	IFM=300A, tp=4000μs, -di/dt=20A/μs, VR=50V	25		3		μs
Rth(j-c)	Rezistenca termike nga lidhja në rast	E ftohur nga një anë për çdo çip				0.150	℃ /W
Rth(c-h)	Rezistenca termike rast në radiator	E ftohur nga një anë për çdo çip				0.040	℃ /W
VISO	Tensioni i izolimit	50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX)		3000			V
FM	Torku i lidhjes së terminaleve (M10)			10.0		12.0	N·m
FM	Torku i montimit (M6)			4.5		6.0	N·m
Tvj	temperatura e lidhjes			-40		140	℃
TSTG	Temperatura e ruajtur			-40		125	℃
Wt	Pesha				1260		g
Skica	415F3