MTx800 MFx800 MT800, Thyristor/Diode Modules, Cooling me ujë

ftohje me ujë

MTx800 MFx800 MT800, Modul Thyristor/Diode, Rajçimi me ujë

800A,2000V~2500V,411F3

Brand:

TECHSEM

Spu:

MTx800 MFx800 MT800

Appurtenance:

Brochure e produktit:shkarko

hyrje
Skica
Skema e Qarkut Ekivalent

hyrje

Përshkrim i shkurtër

Thyristor/Diode Modulee, MTx1000 MFx1000 MT1000，1000a,ftohje me ujë，Prodhuar nga TECHSEM.

VRRM,VDRM

Lloji & Skica

2000V

2200V

2500V

MTx800-20-411F3

MT2Methodë për të bërë një lidhje

MT5 - MT5 - MT5 - MT5 - MT5 - MT5 - MT5 - MT5 - MT5 - MT5 - MT5 - MT5 - MT5 - MT5 - MT5 - MT5 - MT5 - MT5 - MT5 - MT5 - MT5 - MT5 - MT5 - MT5 - MT5 - MT5 -

MFx800-20-411F3

MFx800-22-411F3

MFx800-25-411F3

MTx do të thotë çdo lloj MTC, MTA,MTK

MFx do të thotë çdo lloj MFC, MFA, MFK

karakteristika

Baza e montimit të izoluar 3000V~
Teknologjia e kontaktit të presionit me
Kapacitet të rritur të ciklit të energjisë
Kursim hapësire dhe peshe

Aplikimet Tipike

Motorët e lëvizjes AC/DC
Rektifikatorë të ndryshëm
Furnizim i vazhdueshëm për inverti PWM

ndryshe	karakteristikë	Kushtet e provës	Tj(°C)	Vlera			njësi
ndryshe	karakteristikë	Kushtet e provës	Tj(°C)	Min	lloji	Maksim	njësi
IT(AV)	Rryma mesatare në gjendjen aktive	180°gjysmë vale sinusoidale 50Hz Një anë e ftohur, THS=55°C	125			800	a
IT(RMS)	Rryma e qëndrueshme RMS	180°gjysmë vale sinusoidale 50Hz Një anë e ftohur, THS=55°C	125			1256	a
Irrm Irrm	Rryma pikore përsëritëse	në VDRM në VRRM	125			50	= 0V,
ITSM	Rryma e goditjes në gjendjen aktive	VR=60%VRRM, t=10ms gjysmë sinus	125			16.0	kA
I2t	I2t për koordinimin e fundosjes	VR=60%VRRM, t=10ms gjysmë sinus	125			1280	10³a²s
VTO	Tensioni i Pragut		125			0.98	v
rT	Rezistenca e pjerrësisë në gjendjen aktive		125			0.35	mΩ
VTM	Tensioni maksimal në gjendjen aktive	ITM=2400A	25			2.35	v
dv/dt	Shkalla kritike e rritjes së tensionit të çlirimit	VDM=67%VDRM	125			1000	V/μs
di/dt	Shkalla kritike e rritjes së rrymës në gjendje aktive	Burimi i portës 1.5A tr ≤0.5μs Përsëritëse	125			200	A/μs
IGT	Rryma e aktivizimit të portës	VA= 12V, IA= 1A	25	30		200	= 0V,
Vgt	Tensioni i aktivizimit të portës			0.8		3.0	v
IH	Rryma mbajtëse			10		200	= 0V,
IL	Rryma e ngjitjes					1000	= 0V,
VGD	Tensioni i portës jo-aktivizues	VDM=67%VDRM	125			0.20	v
Rth(j-c)	Rezistenca termike nga lidhja në rast	E ftohur nga një anë për çdo çip				0.050	°C/W
Rth(c-h)	Rezistenca termike rast në radiator	E ftohur nga një anë për çdo çip				0.024	°C/W
VISO	Tensioni i izolimit	50Hz,R.M.S, t=1min, Iso:1mA ((MAX))		3000			v
fm	Parkthi i lidhjes së terminalit ((M12)			12		16	N·m
fm	Parcela e montimit (M8)			10		12	N·m
Tvj	temperatura e lidhjes			-40		125	°C
TSTG	Temperatura e ruajtur			-40		125	°C
Wt	Pesha				3230		g
Skica	411F3