MTx800 MFx800 MT800, Modul Thyristor/Diode, Rrefiksim i Aërit

Hyrje

Përshkrim i shkurtër

Thyristor/ Moduli i diodës , MTx 800 MFx 800 MT 800，800A ,Ftohtësi me ujë ，Prodhuar nga TECHSEM.

VRRM,VDRM	Lloji & Skica
2000V	MTx800-20-410F3	MFx800-20-410F3
2200V	MTx800-22-410F3	MFx800-22-410F3
2500V	MTx800-25-410F3	MFx800-25-410F3
2500V	MT800-25-410F3G

MTx do të thotë çdo lloji i MTC, MTA, MTK

MFx do të thotë çdo tip e e MFC, MFA, MFK

Veprime të Rralla

Baza e montimit të izoluar 3000V~
Teknologjia e kontaktit të presionit me
Kapacitet të rritur të ciklit të energjisë
Kursim hapësire dhe peshe

Aplikimet Tipike

Motorët e lëvizjes AC/DC
Rektifikatorë të ndryshëm
Furnizim i vazhdueshëm për inverti PWM

ndryshe	Karakteristikë	Kushtet e provës	Tj( ℃ )	Vlera			Njësia
ndryshe	Karakteristikë	Kushtet e provës	Tj( ℃ )	Min	Lloji	maks	Njësia
IT(AV)	Rryma mesatare në gjendjen aktive	180。gjysmë vale sinusoidale 50Hz Një anë e ftohur, TC=70 ℃	125			800	A
IT(RMS)	Rryma e qëndrueshme RMS	180。gjysmë vale sinusoidale 50Hz Një anë e ftohur, TC=70 ℃	125			1256	A
Irrm Irrm	Rryma pikore përsëritëse	në VDRM në VRRM	125			50	= 0V,
ITSM	Rryma e goditjes në gjendjen aktive	VR=60%VRRM,t=10ms gjysmë sinus,	125			16	kA
Unë ²t	I2t për koordinimin e fundosjes	VR=60%VRRM,t=10ms gjysmë sinus,	125			1280	10³A ²S
VTO	Tensioni i Pragut		125			0.85	V
rT	Rezistenca e pjerrësisë në gjendjen aktive		125			0.30	mΩ
VTM	Tensioni maksimal në gjendjen aktive	ITM=2400A	25			2.30	V
dv/dt	Shkalla kritike e rritjes së tensionit të çlirimit	VDM=67%VDRM	125			1000	V/μs
di/dt	Shkalla kritike e rritjes së rrymës në gjendje aktive	Burimi i portës 1.5A tr ≤0.5μs Përsëritëse	125			200	A/μs
IGT	Rryma e aktivizimit të portës	VA=12V, IA=1A	25	30		200	= 0V,
Vgt	Tensioni i aktivizimit të portës			0.8		3.0	V
IH	Rryma mbajtëse			10		200	= 0V,
IL	Rryma e ngjitjes					1000	= 0V,
VGD	Tensioni i portës jo-aktivizues	VDM=67%VDRM	125			0.20	V
Rth(j-c)	Rezistenca termike nga lidhja në rast	E ftohur nga një anë për çdo çip				0.048	℃ /W
Rth(c-h)	Rezistenca termike rast në radiator	E ftohur nga një anë për çdo çip				0.030	℃ /W
VISO	Tensioni i izolimit	50Hz,R.M.S,t=1min,Iiso:1mA(max)		3000			V
FM	Parkthi i lidhjes së terminalit ((M12)			12		16	N·m
FM	Parcela e montimit (M8)			10		12	N·m
Tvj	temperatura e lidhjes			-40		125	℃
TSTG	Temperatura e ruajtur			-40		125	℃
Wt	Pesha				3310		g
Skica	410F3