MTx500 MFx500 MT500, Thyristor/Diode Modules, Water Cooling

ftohje me ujë

MTx500 MFx500 MT500, Modulinë Thyristor/Diode, Rajtimi me Ujë

500A,2000V~2500V,406F3

Brand:

TECHSEM

Spu:

MTx500 MFx500 MT500

Appurtenance:

Brochure e produktit:shkarko

hyrje
Skica
Skema e Qarkut Ekivalent

hyrje

Përshkrim i shkurtër

Thyristor/Moduli i diodës, MTx500 MFx500 MT500，500a,ftohje me ujë，Prodhuar nga TECHSEM.

vRRMVDRM	Lloji & Skica
2000V	MTx500-20-406F3	MFx500-20-406F3
2200V	MT5	MFx500-22-406F3
2500V	MTx500-25-406F3	MFx500-25-406F3
2500V	MT520-3203F3G

MTx do të thotë çdo llojMTC, MTA, MTK

MFx do të thotë çdo llojMFC, MFA, MFK

karakteristika

Baza e montimit të izoluar 3000V~
Teknologjia e kontaktit të presionit me
Kapacitet të rritur të ciklit të energjisë
Kursim hapësire dhe peshe

Aplikimet Tipike

Motorët e lëvizjes AC/DC
Rektifikatorë të ndryshëm
Furnizim i vazhdueshëm për inverti PWM

ndryshe	karakteristikë	Kushtet e provës	Tj(°C)	Vlera			njësi
ndryshe	karakteristikë	Kushtet e provës	Tj(°C)	Min	lloji	Maksim	njësi
IT(AV)	Rryma mesatare në gjendjen aktive	180 ̨ gjysmë vale sine 50 Hz Një anë e ftohur, THS=55°C	125			500	a
IT(RMS)	Rryma e qëndrueshme RMS	180 ̨ gjysmë vale sine 50 Hz Një anë e ftohur, THS=55°C	125			785	a
Irrm Irrm	Rryma pikore përsëritëse	në VDRM në VRRM	125			45	= 0V,
ITSM	Rryma e goditjes në gjendjen aktive	VR=60%VRRM, t=10ms gjysmë sinus	125			13	kA
I2t	I2t për koordinimin e fundosjes	VR=60%VRRM, t=10ms gjysmë sinus	125			845	10³a²s
VTO	Tensioni i Pragut		125			0.87	v
rT	Rezistenca e pjerrësisë në gjendjen aktive		125			0.60	mΩ
VTM	Tensioni maksimal në gjendjen aktive	ITM=1500A	25			2.15	v
dv/dt	Shkalla kritike e rritjes së tensionit të çlirimit	VDM=67%VDRM	125			1000	V/μs
di/dt	Shkalla kritike e rritjes së rrymës në gjendje aktive	Burimi i portës 1.5A tr ≤0.5μs Përsëritëse	125			200	A/μs
IGT	Rryma e aktivizimit të portës	VA=12V, IA=1A	25	30		200	= 0V,
Vgt	Tensioni i aktivizimit të portës			0.8		3.0	v
IH	Rryma mbajtëse			10		200	= 0V,
IL	Rryma e ngjitjes					1000	= 0V,
VGD	Tensioni i portës jo-aktivizues	VDM=67%VDRM	125			0.20	v
Rth(j-c)	Rezistenca termike nga lidhja në rast	E ftohur nga një anë për çdo çip				0.085	°C/W
Rth(c-h)	Rezistenca termike rast në radiator	E ftohur nga një anë për çdo çip				0.040	°C/W
VISO	Tensioni i izolimit	50Hz,R.M.S,t=1min,Iiso:1mA(max)		3000			v
fm	Parkthi i lidhjes së terminalit ((M12)			12		14	N·m
fm	Torku i montimit (M6)			4.5		6	N·m
Tvj	temperatura e lidhjes			-40		125	°C
TSTG	Temperatura e ruajtur			-40		125	°C
Wt	Pesha				1580		g
Skica	406F3