MTx500 MFx500 MT500, Thyristor/Diode Modules, Water Cooling

ftohje me ujë

MTx500 MFx500 MT500, Modulinë Thyristor/Diode, Rajtimi me Ujë

500A,600V~1800V,406F3

Brand:

TECHSEM

Spu:

MTx500 MFx500 MT500

Appurtenance:

Brochure e produktit:shkarko

hyrje
Skica
Skema e Qarkut Ekivalent

hyrje

Përshkrim i shkurtër

Thyristor/Moduli i diodës, MTx500 MFx500 MT500，500a,ftohje me ujë，Prodhuar nga TECHSEM.

600V

800V

1000V

1200v

1400V

1600V

1800V

MT5

MTx500-16-406F3

MT5

MT500-18-406F3G

MFx500-06-406F3

MFx500-08-406F3

MFx500-10-406F3

MFx500-12-406F3

MFx500-14-406F3

MFx500-16-406F3

MFx500-18-406F3

MTx do të thotë çdo llojMTC, MTA, MTK

MFx do të thotë çdo llojMFC, MFA, MFK

karakteristika

Baza e montimit të izoluar 3000V~
Teknologjia e kontaktit të presionit me
Kapacitet të rritur të ciklit të energjisë
Kursim hapësire dhe peshe

Aplikimet Tipike

Motorët e lëvizjes AC/DC
Rektifikatorë të ndryshëm
Furnizim i vazhdueshëm për inverti PWM

ndryshe	karakteristikë	Kushtet e provës	Tj(°C)	Vlera			njësi
ndryshe	karakteristikë	Kushtet e provës	Tj(°C)	Min	lloji	Maksim	njësi
IT(AV)	Rryma mesatare në gjendjen aktive	180°gjysmë vale sinusoidale 50Hz Një anë e ftohur, THS=55°C	125			500	a
IT(RMS)	Rryma e qëndrueshme RMS	180°gjysmë vale sinusoidale 50Hz Një anë e ftohur, THS=55°C	125			785	a
Irrm Irrm	Rryma pikore përsëritëse	në VDRM në VRRM	125			35	= 0V,
ITSM	Rryma e goditjes në gjendjen aktive	VR=60%VRRM,t=10ms gjysmë sinus,	125			14.5	kA
I2t	I2t për koordinimin e fundosjes	VR=60%VRRM,t=10ms gjysmë sinus,	125			1051	10³a²s
VTO	Tensioni i Pragut		125			0.80	v
rT	Rezistenca e pjerrësisë në gjendjen aktive		125			0.64	mΩ
VTM	Tensioni maksimal në gjendjen aktive	ITM=1500A	25			1.90	v
dv/dt	Shkalla kritike e rritjes së tensionit të çlirimit	VDM=67%VDRM	125			1000	V/μs
di/dt	Shkalla kritike e rritjes së rrymës në gjendje aktive	Burimi i portës 1.5A tr ≤0.5μs Përsëritëse	125			200	A/μs
IGT	Rryma e aktivizimit të portës	VA=12V, IA=1A	25	30		200	= 0V,
Vgt	Tensioni i aktivizimit të portës			0.8		3.0	v
IH	Rryma mbajtëse			10		200	= 0V,
IL	Rryma e ngjitjes					1000	= 0V,
VGD	Tensioni i portës jo-aktivizues	VDM=67%VDRM	125			0.20	v
Rth(j-c)	Rezistenca termike nga lidhja në rast	E ftohur nga një anë për çdo çip				0.085	。C/W
Rth(c-h)	Rezistenca termike rast në radiator	E ftohur nga një anë për çdo çip				0.040	。C/W
VISO	Tensioni i izolimit	50Hz,R.M.S,t=1min,Iiso:1mA(max)		3000			v
fm	Parkthi i lidhjes së terminalit ((M12)			12		14	N·m
fm	Torku i montimit (M6)			4.5		6	N·m
Tvj	temperatura e lidhjes			-40		125	。c
TSTG	Temperatura e ruajtur			-40		125	。c
Wt	Pesha				1580		g
Skica	406F3