MTx1000 MFx1000 MT1000, Thyristor/Diode Modules, Air Cooling

Ftohja e ajrit

MTx1000 MFx1000 MT1000,Thiristor/Diod Modules,Air Cooling

1000A,2000V~2500V,412F3

Brand:

TECHSEM

Spu:

MTx1000 MFx1000 MT1000

Appurtenance:

Broshurë Produkti: SHKARKO

Hyrje
Skica
Skema e Qarkut Ekivalent

Hyrje

Përshkrim i shkurtër

Thyristor/Moduli i diodës, MTx1000 MFx1000 MT1000，1000A,Ftohja e ajrit，Prodhuar nga TECHSEM.

VRRM,VDRM

Lloji & Skica

2000V

2200V

2500V

MT2Korean

MT2qëndrime të ndryshme

MT2qëndrime të larta

MT5 - MT5 - MT5 - MT5 - MT5 - MT5 - MT5 - MT5 - MT5 - MT5 - MT5 - MT5 - MT5 - MT5 - MT5 - MT5 - MT5 - MT5 - MT5 - MT5 - MT5 - MT5 - MT5 - MT5 - MT5 - MT5 -

MFx1000-20-412F3

MFx1000-22-412F3

MFx1000-25-412F3

MTx përkthehet për çdo lloj MTC, MTA, MTK

MFx do të thotë çdo lloj MFC, MFA, MFK

Veprime të Rralla

Baza e montimit të izoluar 3000V~
Teknologjia e kontaktit të presionit me
Kapacitet të rritur të ciklit të energjisë
Kursim hapësire dhe peshe

Aplikimet Tipike

Motorët e lëvizjes AC/DC
Rektifikatorë të ndryshëm
Furnizim i vazhdueshëm për inverti PWM

ndryshe	Karakteristikë	Kushtet e provës	Tj(℃)	Vlera			Njësia
ndryshe	Karakteristikë	Kushtet e provës	Tj(℃)	Min	Lloji	maks	Njësia
IT(AV)	Rryma mesatare në gjendjen aktive	180°gjysmë vale sinusoidale 50Hz Një anë e ftohur, TC=55℃	125			1000	A
IT(RMS)	Rryma e qëndrueshme RMS	180°gjysmë vale sinusoidale 50Hz Një anë e ftohur, TC=55℃	125			1570	A
Irrm Irrm	Rryma pikore përsëritëse	në VDRM në VRRM	125			60	= 0V,
ITSM	Rryma e goditjes në gjendjen aktive	VR=60%VRRM, t=10ms gjysmë sinus	125			18	kA
I2t	I2t për koordinimin e fundosjes	VR=60%VRRM, t=10ms gjysmë sinus	125			1620	103A2s
VTO	Tensioni i Pragut		125			0.85	V
rT	Rezistenca e pjerrësisë në gjendjen aktive		125			0.24	mΩ
VTM	Tensioni maksimal në gjendjen aktive	ITM=3000A	25			2.40	V
dv/dt	Shkalla kritike e rritjes së tensionit të çlirimit	VDM=67%VDRM	125			1000	V/μs
di/dt	Shkalla kritike e rritjes së rrymës në gjendje aktive	Burimi i portës 1.5A tr ≤0.5μs Përsëritëse	125			200	A/μs
IGT	Rryma e aktivizimit të portës	VA=12V, IA=1A	25	30		200	= 0V,
Vgt	Tensioni i aktivizimit të portës			0.8		3.0	V
IH	Rryma mbajtëse			20		200	= 0V,
IL	Rryma e ngjitjes					1000	= 0V,
VGD	Tensioni i portës jo-aktivizues	VDM=67%VDRM	125			0.20	V
Rth(j-c)	Rezistenca termike nga lidhja në rast	E ftohur nga një anë për çdo çip				0.048	℃/W
Rth(c-h)	Rezistenca termike rast në radiator	E ftohur nga një anë për çdo çip				0.030	℃/W
VISO	Tensioni i izolimit	50Hz,R.M.S,t=1min,Iiso:1mA(max)		3000			V
FM	Parkthi i lidhjes së terminalit ((M12)			12		16	N·m
FM	Parcela e montimit (M8)			10		12	N·m
Tvj	temperatura e lidhjes			-40		125	℃
TSTG	Temperatura e ruajtur			-40		125	℃
Wt	Pesha				3660		g
Skica	412F3