MTC200, Moduli i drejtuesit të thyristorit të saldimit, Ftohje me ajër

VDRM, VRRM

Lloji & Skica

600V

800V

1000V

1200V

1400V

1600V

1800V

MTC200-06-229H3/229H3B

MTC200-08-229H3/229H3B

MTC200-10-229H3/229H3B

MTC200-12-229H3/229H3B

MTC200-14-229H3/229H3B

MTC200-16-229H3/229H3B

MTC200-18-229H3/229H3B

Ndryshe

Karakteristikë

Kushtet e provës

Tj( ℃ )

Vlera

Njësia

Min

Lloji

Maks

IT(AV)

Rryma mesatare në gjendjen aktive

180° gjysmë vale sinusoidale 50Hz Ftohje nga një anë, Tc=85 ℃

125

200

A

IT(RMS)

Rryma e qëndrueshme RMS

125

314

A

Irrm Irrm

Rryma pikore përsëritëse

në VDRM në VRRM

125

40

= 0V,

ITSM

Rryma e goditjes në gjendjen aktive

10ms gjysmë vale sinusoidale VR=60%VRRM

125

4.0

kA

I2t

I2t për koordinimin e fundosjes

80

A ²s*10 ³

VTO

Tensioni i Pragut

125

0.70

V

rT

Rezistenca e pjerrësisë në gjendjen aktive

1.11

mΩ

VTM

Tensioni maksimal në gjendjen aktive

ITM=600A

25

1.80

V

dv/dt

Shkalla kritike e rritjes së tensionit të çlirimit

VDM=67%VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

Shkalla kritike e rritjes së rrymës në gjendje aktive

Burimi i portës 1.5A

tr ≤0.5μs Përsëritëse

125

200

A/μs

IGT

Rryma e aktivizimit të portës

VA= 12V, IA= 1A

25

30

200

= 0V,

Vgt

Tensioni i aktivizimit të portës

0.6

2.5

V

IH

Rryma mbajtëse

10

250

= 0V,

IL

Rryma e ngjitjes

1000

= 0V,

VGD

Tensioni i portës jo-aktivizues

VDM=67%VDRM

125

0.2

V

Rth(j-c)

Rezistenca termike nga lidhja në rast

E ftohur nga një anë për çdo çip

0.16

℃ /W

Rth(c-h)

Rezistenca termike rast në radiator

E ftohur nga një anë për çdo çip

0.08

℃ /W

VISO

Tensioni i izolimit

50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX)

3000

V

FM

Torku i lidhjes së terminaleve (M6)

2.5

4.0

N·m

Torku i montimit (M6)

4.5

6.0

N·m

Tvj

Temperatura e lidhjes

-40

125

℃

TSTG

Temperatura e ruajtur

-40

125

℃

Wt

Pesha

165

g

Skica

229H3 、229H3B