MK(H)x300 MK300, Modul Thyristor të shpejtë për çormim, rrefimi me ajër

Module thyristor me fikje të shpejtë

MK(H)x300 MK300, Modul Thyristor të shpejtë për çormim, Rajtje me Aër

300A,600V~1800V,405F3

Brand:

TECHSEM

Spu:

MK(H)x300 MK300

Appurtenance:

Broshurë Produkti: SHKARKO

Hyrje
Skica
Skema e Qarkut Ekivalent

Hyrje

Përshkrim i shkurtër

Module thyristor me fikje të shpejtë ,MK(H)x 300 MK 300,3 00A .Ajër ftohje, prodhuar nga TECHSEM .

VDRM, VRRM	Lloji & Skica
600V	MKx300-06-405F3	MHx300-06-405F3
800V	MKx300-08-405F3	MHx300-08-405F3
1000V	MKx300-10-405F3	MHx300-10-405F3
1200V	MKx300-12-405F3	MHx300-12-405F3
1400V	MKx300-14-405F3	MHx300-14-405F3
1600V	MKx300-16-405F3	MHx300-16-405F3
1800V	MKx300-18-405F3	MHx300-18-405F3

Veprime të Rralla ：

Baza e montimit të izoluar 2500V~
Teknologjia e kontaktit të presionit me Kapacitet të rritur të ciklit të energjisë
Kursim hapësire dhe peshe

Aplikimet Tipike

invertor
Ngrohje induktive
Chopper

ndryshe	Karakteristikë	Kushtet e provës	Tj(°C)	Vlera			Njësia
ndryshe	Karakteristikë	Kushtet e provës	Tj(°C)	Min	Lloji	maks	Njësia
IT(AV)	Rryma mesatare në gjendjen aktive	180° gjysmë vale sinusoidale 50Hz E ftohur nga një anë, Tc=55°C	125			300	A
IT(RMS)	Rryma e qëndrueshme RMS		125			471	A
Irrm Irrm	Rryma pikore përsëritëse	në VDRM në VRRM	125			50	= 0V,
ITSM	Rryma e goditjes në gjendjen aktive	10ms gjysmë vale sinusoidale VR=60%VRRM	125			5.60	kA
I2t	I2t për koordinimin e fundosjes	10ms gjysmë vale sinusoidale VR=60%VRRM	125			160	A ²S* 10 ³
VTO	Tensioni i Pragut		125			1.50	V
rT	Rezistenca e pjerrësisë në gjendjen aktive		125			0.75	mΩ
VTM	Tensioni maksimal në gjendjen aktive	ITM=900A	25			2.20	V
dv/dt	Shkalla kritike e rritjes së tensionit të çlirimit	VDM=67%VDRM	125			800	V/μs
di/dt	Shkalla kritike e rritjes së rrymës në gjendje aktive	Burimi i portës 1.5A tr ≤0.5μs Përsëritëse	125			200	A/μs
Tq	Koha e fikjes së komutuar nga qarku	ITM=300A, tp=4000μs, VR=100V dv/dt=30V/μs, di/dt=-20A/μs	125	20		40	μs
Tq	Koha e fikjes së komutuar nga qarku	ITM=300A, tp=4000μs, VR=100V dv/dt=30V/μs, di/dt=-20A/μs	25	6		16	μs
IGT	Rryma e aktivizimit të portës	VA= 12V, IA= 1A	25	30		200	= 0V,
Vgt	Tensioni i aktivizimit të portës			0.8		3.0	V
IH	Rryma mbajtëse			10		200	= 0V,
VGD	Tensioni i portës jo-aktivizues	VDM= 67% VDRM	125			0.2	V
Rth(j-c)	Rezistenca termike nga lidhja në rast	E ftohur nga një anë për çdo çip				0.110	°C /W
Rth(c-h)	Rezistenca termike rast në radiator	E ftohur nga një anë për çdo çip				0.040	°C /W
VISO	Tensioni i izolimit	50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX)		2500			V
FM	Torku i lidhjes së terminaleve (M8)			10.0		12.0	N·m
FM	Torku i montimit (M6)			4.5		6.0	N·m
Tvj	temperatura e lidhjes			-40		125	vj
TSTG	Temperatura e ruajtur			-40		125	vj
Wt	Pesha				1060		g
Skica	405F3