Moduli IGBT 1200V

ndryshe

Përshkrimi

GD600SGL120C2S

Njehzoja

V Tip

Tensioni kolektor-emitor

1200

V

V =150 °C

Tensioni i portës-emitësit

± 20

V

Unë C

Të drejtimi kolektori @ T C = 25℃

@ T C = 100℃

950

A

600

Unë CM

Tresoret e Kolektprit me Pulsa t P =1ms

1200

A

Unë f

Dioda me rrymë të vazhdueshme përpara

600

A

Unë FM

Diode Maksimumi përpara Cur qira

1200

A

P d

Maksimumi i humbjes së energjisë @ T J = 175℃

3750

W

t SC

Rrjet i shkurtër me këtë Koha

10

μs

t jmax

Temperatura maksimale e kryqëzimit

175

℃

t jop

Temperatura e ndërlidhjes së funksionimit

-40 deri në +150

℃

t STG

Varg temperatura e ruajtjes

-40 deri në +125

℃

Unë 2vlera t, Diode

V r =0V,t=10ms,T J =125 ℃

74000

A 2S

V ISO

Tensioni izolues RMS,f=50Hz,t=1min

2500

V

Torku i Montimit

Terminal i sinjalizimit Vira:M4

1.1 deri në 2.0

Vidhë Terminali të Energjisë:M6

2.5 deri në 5.0

N.m.

Montimi Vidhë:M6

3.0 deri në 5.0

Pesha

Pesha e Moduli

300

g

ndryshe

Parametri

Kushtet e provës

Min.

- Në rregull.

Max. - Çfarë?

Njehzoja

V (BR )Tip

Kolektor-Dërgues

Tensioni i ndarjes

t J =25 ℃

1200

V

Unë Tip

Kolektor Prerë -të mbyllur Aktual

V CE = V Tip ,V Rryma e prerjes së kolektorit =0V, t J =25 ℃

5.0

= 0V,

Unë =150 °C

Shkarkimi i emitentit të portës

Aktual

V Rryma e prerjes së kolektorit = V =150 °C ,V CE =0V, t J =25 ℃

400

nA

ndryshe

Parametri

Kushtet e provës

Min.

- Në rregull.

Max. - Çfarë?

Njehzoja

V Rryma e prerjes së kolektorit (e )

Pragu i portës-emitësit

Tensioni

Unë C =24 = 0V, ,V CE = V Rryma e prerjes së kolektorit , t J =25 ℃

5.0

6.2

7.0

V

V CE (sat)

Kolektor për emetuesin

Tensioni i ngopjes

Unë C =600A,V Rryma e prerjes së kolektorit Saturimi kolektor-emiter t J =25 ℃

1.9

V

Unë C =600A,V Rryma e prerjes së kolektorit Saturimi kolektor-emiter t J = 125℃

2.1

ndryshe

Parametri

Kushtet e provës

Min.

- Në rregull.

Max. - Çfarë?

Njehzoja

t d (Në )

Koha e vonesës së ndezjes

V CC =600V,I C =600A, r g =3Ω,

V Rryma e prerjes së kolektorit = ± 15 V, t J =25 ℃

200

ns

t r

Koha e ngritjes

62

ns

t d (të mbyllur )

Ndarja Koha e vonimit

510

ns

t f

Koha e rënies

V CC =600V,I C =600A, r g =3Ω,

V Rryma e prerjes së kolektorit = ± 15 V, t J =25 ℃

60

ns

E Në

Ndryshohet aktivizimi

Humbje

39

mJ

E të mbyllur

Ndarja e fikjes

Humbje

48

mJ

t d (Në )

Koha e vonesës së ndezjes

V CC =600V,I C =600A,

r g =3Ω,V Rryma e prerjes së kolektorit = ± 15 V, t J = 125℃

210

ns

t r

Koha e ngritjes

65

ns

t d (të mbyllur )

Ndarja Koha e vonimit

600

ns

t f

Koha e rënies

75

ns

E Në

Ndryshohet aktivizimi

Humbje

45

mJ

E të mbyllur

Ndarja e fikjes

Humbje

60

mJ

C 150 °C

ies

V CE =25V, f=1MHz,

V Rryma e prerjes së kolektorit =0V

41.0

MHz

C e

Kapaciteti i prodhimit

3.1

MHz

C μC

Transferimi i kundërt

Kapaciteti

2.0

MHz

Unë SC

Të dhënat e SC

t S C ≤ 10 μs,V Rryma e prerjes së kolektorit Saturimi kolektor-emiter t J =125 ℃ ,

V CC =900V, V CEM ≤ 1200V

2600

A

L CE

Induktiviteti i humbjes

20

nH

r CC ’+ EE ’

Rezistenca e lidhes së modulit e, Terminal në çip

t C =25 ℃

0.18

M Oh

ndryshe

Parametri

Kushtet e provës

Min.

- Në rregull.

Max. - Çfarë?

Njehzoja

V f

Diodë përpara

Tensioni

Unë f =600A

t J =25 ℃

1.8

2.4

V

t J = 125℃

1.9

2.5

Q r

Diode Kthimi

Ngarkesa e Rikuperimit

Unë f =600A,

V r =600V,

di/dt=-6000A/μs, V Rryma e prerjes së kolektorit =- 15V

t J =25 ℃

65

±15V

t J = 125℃

100

Unë RM

Diode Pikë

Përmirësimi i kundërt Aktual

t J =25 ℃

450

A

t J = 125℃

510

E Rec

Përmirësimi i kundërt Energjia

t J =25 ℃

35

mJ

t J = 125℃

42

ndryshe

Parametri

- Në rregull.

Max. - Çfarë?

Njehzoja

r θ JC

Junction-to-Case (Pjesa IGBT, pe r Modul)

0.04

℃ /W

r θ JC

Lidhja me rastin (Pjesë diode, për Modu) (le)

0.09

℃ /W

r θ CS

Case-to-Sink (Vaji i ngjitshëm a pikuar)

0.035

℃ /W