1200v

ndryshe

Përshkrimi

GD450HFT120C6S_G8

njësi

vTip

Tensioni kolektor-emitor

1200

v

v=150 °C

Tensioni i portës-emitësit

±30

v

ic

Rryma e Kolektorit  @ Tc=25°C

@ Tc=100°C

660

450

a

iCM

Aktual i kolektorit me puls tp=1ms

900

a

if

Dioda e vazhdueshme e paraqitjes Current

450

a

ifm

Rrjeti maksimal i para-përtej diodës tp=1ms

900

a

pd

Shpërndarja maksimale e energjisë @ TJ=175°C

2083

w

tjmax

Temperatura maksimale e kryqëzimit

175

°C

tjop

Temperatura e ndërlidhjes së funksionimit

-40 deri në +150

°C

tSTG

Varg temperatura e ruajtjes

-40 deri në +125

°C

viso

Tensioni i izolimit  RMS,f=50Hz,t=1min

2500

v

m

Torku i Lidhjes së Terminaleve,Të gjithaBolti M6Të gjithaTorku i Montimit,Të gjithaBolti M5

3.0 deri nëTë gjitha6.0

3.0 deri nëTë gjitha6.0

N.m.

g

PeshaTë gjithaeTë gjithaModuli

910

g

ndryshe

Parametri

Kushtet e provës

Min.

- Në rregull.

- Max.

njësi

v(BR)Tip

Kolektor-Dërgues

Tensioni i ndarjes

tJ=25°C

1200

Të gjitha

Të gjitha

v

iTip

KolektorTë gjithaPrerë- Po, mirë.të mbyllur

Aktual

ve=vTip,vRryma e prerjes së kolektorit=0V,Të gjithatJ=25°C

Të gjitha

Të gjitha

5.0

= 0V,

i=150 °C

Shkarkimi i emitentit të portësTë gjithaAktual

vRryma e prerjes së kolektorit=v=150 °C,ve=0V,Të gjithatJ=25°C

Të gjitha

Të gjitha

400

jo

ndryshe

Parametri

Kushtet e provës

Min.

- Në rregull.

- Max.

njësi

td(Në)

Koha e vonesës së ndezjes

Të gjitha

Të gjitha

vcc=600V,Ic=450A,Të gjitharg=1.5Ω,

vRryma e prerjes së kolektorit=±15V,Të gjithatJ=25°C

Të gjitha

360

Të gjitha

ns

tr

Koha e ngritjes

Të gjitha

140

Të gjitha

ns

td(off)

NdarjaTë gjithaKoha e vonimit

Të gjitha

550

Të gjitha

ns

tf

Koha e rënies

Të gjitha

146

Të gjitha

ns

eNë

NdriçimiTë gjithaNdërrimi

Humbje

Të gjitha

11.5

Të gjitha

mJ

etë mbyllur

Ndarja e fikjes

Humbje

Të gjitha

48.0

Të gjitha

mJ

td(Në)

Koha e vonesës së ndezjes

Të gjitha

Të gjitha

vcc=600V,Ic=450A,Të gjitharg=1.5Ω,

vRryma e prerjes së kolektorit=±15V,Të gjithatJ=125°C

Të gjitha

374

Të gjitha

ns

tr

Koha e ngritjes

Të gjitha

147

Të gjitha

ns

td(off)

NdarjaTë gjithaKoha e vonimit

Të gjitha

623

Të gjitha

ns

tf

Koha e rënies

Të gjitha

178

Të gjitha

ns

eNë

NdriçimiTë gjithaNdërrimi

Humbje

Të gjitha

17.9

Të gjitha

mJ

etë mbyllur

Ndarja e fikjes

Humbje

Të gjitha

64.5

Të gjitha

mJ

c150 °C

ies

ve=30V,f=1MHz,

vRryma e prerjes së kolektorit=0V

Të gjitha

39.0

Të gjitha

MHz

cμC

Transferimi i kundërt

Kapaciteti

Të gjitha

1.26

Të gjitha

MHz

Të gjitha

iSC

Të gjitha

Të dhënat e SC

tp≤ 10 μs,vRryma e prerjes së kolektoritSaturimi kolektor-emiter

tJ=125°CVcc=900V,Të gjithavCEM≤ 1200V

Të gjitha

Të gjitha

1800

Të gjitha

Të gjitha

a

rGint

Rezistenca e portës së brendshmeance

Të gjitha

Të gjitha

0.67

Të gjitha

Oh

Unëe

Induktiviteti i humbjes

Të gjitha

Të gjitha

20

Të gjitha

nH

Të gjitha

rCC+EE

Moduli Plumb

Rezistenca,

Terminal në çip

Të gjitha

Të gjitha

Të gjitha

1.10

Të gjitha

Të gjitha

mΩ

ndryshe

Parametri

Kushtet e provës

Min.

- Në rregull.

- Max.

njësi

vf

Diodë përpara

tension

if=450A

tJ=25°C

Të gjitha

1.65

2.25

v

tJ=125°C

Të gjitha

1.65

Të gjitha

qr

Të rikuperuara

ngarkesë

Të gjitha

if=450A,

vr=600V,

rg=1.5Ω,

vRryma e prerjes së kolektorit=-15V

tJ=25°C

Të gjitha

41.6

Të gjitha

±15V

tJ=125°C

Të gjitha

77.5

Të gjitha

iRM

Pika e përkeqësuar

Aktualisht rimëkëmbje

tJ=25°C

Të gjitha

241

Të gjitha

a

tJ=125°C

Të gjitha

325

Të gjitha

eRec

Përmirësimi i kundërtTë gjithaenergji

tJ=25°C

Të gjitha

23.2

Të gjitha

mJ

tJ=125°C

Të gjitha

43.1

Të gjitha

ndryshe

Parametri

Kushtet e provës

Min.

- Në rregull.

- Max.

njësi

r25

Rezistenca e Vlerësuar

Të gjitha

Të gjitha

5.0

Të gjitha

kΩ

∆R/R

DevijimiTë gjithaeTë gjithar100

r100=493.3Ω

-5

Të gjitha

5

%

p25

Shpërndarja e energjisë

Të gjitha

Të gjitha

Të gjitha

20.0

mW

b25/50

Vlera B

r2=R25exp[B25/50(1/T2- Po, mirë.

1/(298.15K))]

Të gjitha

3375

Të gjitha

k

ndryshe

Parametri

- Në rregull.

- Max.

njësi

rθJC

Marrëveshja me rastin (për IGB)T)

Të gjitha

0.072

K/W

rθJC

Lidhja me rastin (për Di)ode)

Të gjitha

0.110

K/W

rθCS

Përdorimi i grimit për të bërë një lëkurë të pastër(përshtatur)

0.005

Të gjitha

K/W