Moduli IGBT 1700V

ndryshe

Përshkrimi

GD400SGT170C2S

Njehzoja

V Tip

Tensioni kolektor-emitor

1700

V

V =150 °C

Tensioni i portës-emitësit

± 20

V

Unë C

Të drejtimi kolektori @ T C = 25℃

@ T C =80 ℃

700

A

400

Unë CM (1)

Tresoret e Kolektprit me Pulsa t P =1ms

800

A

Unë f

Dioda me rrymë të vazhdueshme përpara

400

A

Unë FM

Diode Maksimumi përpara Cur qira

800

A

P d

Maksimumi i humbjes së energjisë @ T J = 175℃

3000

W

t SC

Koha e qëndrueshmërisë ndaj shkurtimit @ T J =125 ℃

10

μs

t jmax

Temperatura maksimale e kryqëzimit

175

℃

t STG

Varg temperatura e ruajtjes

-40 deri në +125

℃

Unë 2vlera t,Diode

V r =0V,t=10ms,T J =125 ℃

25500

A 2S

V ISO

Tensioni izolues RMS,f=50Hz,t=1min

4000

V

Torku i Montimit

Terminali i energjisë me vidë:M4

Vidhë Terminali të Energjisë:M6

1.1 deri në 2.0

2.5 deri në 5.0

N.m.

Montimi Vidhë:M6

3.0 deri në 5.0

N.m.

ndryshe

Parametri

Kushtet e provës

Min.

- Në rregull.

Max. - Çfarë?

Njehzoja

V (BR )Tip

Kolektor-Dërgues

Tensioni i ndarjes

V Rryma e prerjes së kolektorit =0V, Unë C = 14mA, t J =25 ℃

1700

V

Unë Tip

Kolektor Prerë -të mbyllur Aktual

V CE = V Tip ,V Rryma e prerjes së kolektorit =0V, t J =25 ℃

3.0

= 0V,

Unë =150 °C

Shkarkimi i emitentit të portës

Aktual

V Rryma e prerjes së kolektorit = V =150 °C ,V CE =0V, t J =25 ℃

400

nA

ndryshe

Parametri

Kushtet e provës

Min.

- Në rregull.

Max. - Çfarë?

Njehzoja

V Rryma e prerjes së kolektorit (e )

Pragu i portës-emitësit

Tensioni

Unë C = 16mA,V CE =V Rryma e prerjes së kolektorit , t J =25 ℃

5.2

5.8

6.4

V

V CE (sat)

Kolektor për emetuesin

Tensioni i ngopjes

Unë C =400A,V Rryma e prerjes së kolektorit Saturimi kolektor-emiter t J =25 ℃

2.00

2.45

V

Unë C =400A,V Rryma e prerjes së kolektorit Saturimi kolektor-emiter t J = 125℃

2.40

ndryshe

Parametri

Kushtet e provës

Min.

- Në rregull.

Max. - Çfarë?

Njehzoja

t d (Në )

Koha e vonesës së ndezjes

V CC =900V,I C =400A,

278

ns

t r

Koha e ngritjes

r g =3.6Ω,V Rryma e prerjes së kolektorit = ± 15 V,

81

ns

t d (të mbyllur )

Ndarja Koha e vonimit

t J =25 ℃

802

ns

t f

Koha e rënies

V CC =900V,I C =400A, r g =3.6Ω,V Rryma e prerjes së kolektorit = ± 15 V, t J =25 ℃

119

ns

E Në

Ndryshohet aktivizimi

Humbje

104

mJ

E të mbyllur

Ndarja e fikjes

Humbje

86

mJ

t d (Në )

Koha e vonesës së ndezjes

V CC =900V,I C =400A, r g =3.6Ω,V Rryma e prerjes së kolektorit = ± 15 V, t J = 125℃

302

ns

t r

Koha e ngritjes

99

ns

t d(off)

Ndarja Koha e vonimit

1002

ns

t f

Koha e rënies

198

ns

E Në

Ndryshohet aktivizimi

Humbje

136

mJ

E të mbyllur

Ndarja e fikjes

Humbje

124

mJ

C 150 °C

ies

V CE =25V, f=1Mhz,

V Rryma e prerjes së kolektorit =0V

36

MHz

C e

Kapaciteti i prodhimit

1.5

MHz

C μC

Transferimi i kundërt

Kapaciteti

1.2

MHz

Unë SC

Të dhënat e SC

t S C ≤ 10μs, V Rryma e prerjes së kolektorit Saturimi kolektor-emiter

t J =125 ℃ V CC = 1000V, V CEM ≤ 1700V

1600

A

r Gint

Rezistenca e portës së brendshme të qeshura

1.9

Oh

L CE

Induktiviteti i humbjes

20

nH

r CC ’+ EE ’

Moduli rezistencë plumbi c, Terminal në çip

t C =25 ℃

0.18

M Oh

ndryshe

Parametri

Kushtet e provës

Min.

- Në rregull.

Max. - Çfarë?

Njehzoja

V f

Diodë përpara

Tensioni

Unë f =400A

t J =25 ℃

1.80

2.20

V

t J = 125℃

1.90

Q r

Diode Kthimi

Ngarkesa e Rikuperimit

Unë f =400A,

V r =900 V,

di/dt=-4250A/μs, V Rryma e prerjes së kolektorit =- 15V

t J =25 ℃

99

±15V

t J = 125℃

172

Unë RM

Diode Pikë

Përmirësimi i kundërt Aktual

t J =25 ℃

441

A

t J = 125℃

478

E Rec

Përmirësimi i kundërt Energjia

t J =25 ℃

53

mJ

t J = 125℃

97

ndryshe

Parametri

- Në rregull.

Max. - Çfarë?

Njehzoja

r θ JC

Junction-to-Case (Pjesa IGBT, pe r Modul)

0.05

K/W

r θ JC

Junction-to-Case (Pjesa DIODE, për Modul e)

0.09

K/W

r θ CS

Case-to-Sink (Vaji i ngjitshëm a pikuar)

0.035

K/W

Pesha

Pesha e Moduli

300

g