Moduli IGBT 1700V

ndryshe

Përshkrimi

GD400CUT170C2S

njësi

vTip

Voltacioni i kolektorit-emittorit @ TJ=25°C

1700

v

v=150 °C

Tensioni i portës-emitësit

±20

v

ic

Rryma e Kolektorit    @ Tc=25°C

@ Tc=80°C

650

400

a

iCM

Aktual i kolektorit me puls tp=1ms

800

a

ptë

Shpërndarja e plotë e energjisë@ TJ=Të gjitha150°C

2403

w

tSC

Rrjet i shkurtër, kohë rezistencë @ TJ=150°C

10

μs

ndryshe

Parametri

Kushtet e provës

Min.

- Në rregull.

- Max.

njësi

v(BR)Tip

Kolektor-Dërgues

Tensioni i ndarjes

tJ=25°C

1700

Të gjitha

Të gjitha

v

iTip

KolektorTë gjithaPrerë- Po, mirë.të mbyllurTë gjithaAktual

ve=vTip,vRryma e prerjes së kolektorit=0V,Të gjithatJ=25°C

Të gjitha

Të gjitha

3.0

= 0V,

i=150 °C

Shkarkimi i emitentit të portës

Aktual

vRryma e prerjes së kolektorit=v=150 °C,ve=0V,Të gjithatJ=25°C

Të gjitha

Të gjitha

400

jo

ndryshe

Parametri

Kushtet e provës

Min.

- Në rregull.

- Max.

njësi

vRryma e prerjes së kolektorit(e)

Pragu i portës-emitësit

tension

ic=Të gjitha16mA,Ve=VRryma e prerjes së kolektorit,tJ=25°C

5.2

5.8

6.4

v

Të gjitha

Të gjitha

vCE (sat)

Të gjitha

Kolektor për emetuesin

Tensioni i ngopjes

ic=400A,VRryma e prerjes së kolektoritSaturimi kolektor-emiterTë gjithatJ=25°C

Të gjitha

2.00

2.45

Të gjitha

Të gjitha

v

ic=400A,VRryma e prerjes së kolektoritSaturimi kolektor-emiterTë gjithatJ=Të gjitha125°C

Të gjitha

2.40

Të gjitha

ndryshe

Përshkrimi

GD400CUT170C2S

njësi

vRRM

Rritja e tensionit të përsëritur të lartë të kundërt @ Tj=25°C

1700

v

if

Rrymë e vazhdueshme e drejtpërdrejtë @ Tc=80°C

100

a

iRryma përpara e diodës

Rrymë e përsëritur e lartë përpara tp=1ms

200

a

i2t

i2Vlera e t,Vr=0V,Tp= 10ms,TJ=125°C

1800

a2s

ndryshe

Parametri

Kushtet e provës

Min.

- Në rregull.

- Max.

njësi

vf

Diodë përpara

tension

if=Të gjitha100A,VRryma e prerjes së kolektorit=0V

tJ=25°C

Të gjitha

1.80

2.20

v

tJ=Të gjitha125°C

Të gjitha

1.90

Të gjitha

qr

Diode Kthimi

Ngarkesa e Rikuperimit

Të gjitha

if=Të gjitha100A,

vr=900V,

Di/dt=-2450A/μs,Të gjithavRryma e prerjes së kolektorit=-Të gjitha15V

tJ=25°C

Të gjitha

29.0

Të gjitha

±15V

tJ=Të gjitha125°C

Të gjitha

48.5

Të gjitha

Të gjitha

iRM

Diode Pikë

Përmirësimi i kundërtTë gjithaAktual

tJ=25°C

Të gjitha

155

Të gjitha

Të gjitha

a

tJ=Të gjitha125°C

Të gjitha

165

Të gjitha

eRec

Përmirësimi i kundërtTë gjithaenergji

tJ=25°C

Të gjitha

15.5

Të gjitha

mJ

tJ=Të gjitha125°C

Të gjitha

27.5

Të gjitha

ndryshe

Parametri

Min.

- Në rregull.

- Max.

njësi

viso

Tensioni izolues RMS,f=50Hz,t=1Min

Të gjitha

2500

Të gjitha

v

Unëe

Induktiviteti i humbjes

Të gjitha

Të gjitha

20

nH

rcc’+EETë gjitha'

Moduli rezistencë plumbi, Terminal për çipTë gjitha@ Tc=25°C

Të gjitha

0.35

Të gjitha

mOh

Të gjitha

Të gjitha

rθJC

Lidhja me rastin

(IGBT-invertor, përTë gjitha1/2 Mode(le)

Të gjitha

Të gjitha

0.052

Të gjitha

Të gjitha

K/W

Lidhja me rastin

(DIODE-brek-shkatërrues përTë gjithaModuli 1/2

Të gjitha

Të gjitha

0.280

rθCS

Case-to-Sink (Vaji i ngjitshëm apikuar)

Të gjitha

0.035

Të gjitha

K/W

tJ

Temperatura maksimale e kryqëzimit

Të gjitha

150

Të gjitha

°C

tSTG

Varg temperatura e ruajtjes

-40

Të gjitha

125

°C

ngjitje

momentin

Terminali i energjisëTë gjithaVidhë:M6

2.5

Të gjitha

5.0

N.m.

ngjitjeTë gjithaVidhë:M6

3.0

Të gjitha

5.0

g

PeshaTë gjithaeTë gjithaModuli

Të gjitha

300

Të gjitha

g