Moduli IGBT 1700V

ndryshe

Përshkrimi

GD300HFT170C2S

Njehzoja

VCES

Kolektor-Dërgues Tensioni

1700

V

VGFs

Porta-Emitor Tensioni

±20

V

IC

Kolektor Aktual @Tc=25℃

@Tc=80℃

550

A

300

ICM(1)

Pulsuar Kolektor Aktual tp= 1ms

600

A

Ir

Diodë Kontinuar Avancuar Aktual

300

A

im

Diodë Maksimumi Avancuar Aktual

600

A

PP

Maksimumi Fuqia Eliminimi @Tj=175℃

2083

W

TSC

Shkurt Qark Përballim kohë @Tj =125℃

10

μs

Tjmax

Maksimumi Qendra e ndërlidhjes temperatura

175

℃

TSTG

Ruajtja temperatura Gjatësia

-40 to+125

℃

Vlera I²t,Diode

VR=0V,t=10ms,Tj=125°C

14500

A²s

VISO

Izolim Tensioni RMS,f=50Hz,t=1min

4000

V

Montimi Varf

Fuqia Kryekëndshë Skrua :M6

2.5 për 5.0

N.m.

Montimi Vidhë:M6

3.0 për 5.0

N.m.

ndryshe

Parametri

Provë Kushtet

Min .

Simbol .

maks .

Njehzoja

BVcrs

Kolektor-Dërgues

prishje Tensioni

VGe=0V,Ic=4.0mA, T=25℃

1700

V

ICES

Kolektor Prerje Aktual

VCE=VCES,VGE=0V, Tj=25°C

3.0

= 0V,

IGrs

Porta-Emitor Shkarkimi Aktual

VGr=VGes,Vcn=0V, T=25℃

400

nA

ndryshe

Parametri

Provë Kushtet

Min .

- Në rregull.

maks .

Njehzoja

Vcπ(h)

Porta-Emitor Kufiri Tensioni

Ie=12.0mA,Vcr=VGE T=25℃

5.2

5.8

6.4

V

VCE(sat)

Kolektor për Emitori Saturimi Tensioni

Ic=300A,VGr=15V, T=25℃

2.0

V

IC =300A, VGr =15V. T=125℃

2.4

ndryshe

Parametri

Provë Kushtet

Min .

- Në rregull.

maks .

Njehzoja

taon)

Ndriçimi Von kohë

Vcc=900V,Ic=300A, Ra=4.72,

Vae=±15V, T=25℃

281

ns

t

Rritje kohë

82

ns

ta (o)

Ndarja Von kohë

801

ns

tr

Rënia kohë

Vcc=900V,Ic=300A,

Rc=4.72,

V=±15V

T=25℃

121

ns

EON

Ndriçimi Ndërrimi

Humbje

70

mJ

Eofr

Ndarja Ndërrimi

Humbje

65

mJ

ta(on)

Ndriçimi Von kohë

Vcc=900V,Ic=300A,

RG=4.72,

Vc=±15V T=125℃

303

ns

t

Rritje kohë

103

ns

ta(om)

Ndarja Von kohë

1002

ns

tr

Rënia kohë

203

ns

EON

Ndriçimi Ndërrimi

Humbje

105

mJ

Eor

Ndarja Ndërrimi

Humbje

94

mJ

Cies

Hyrje Kapaciteti

VCE=25V, f=1Mhz,

VGr=0V

27.0

MHz

Koes

Dalja Kapaciteti

1.1

MHz

Cres

Kthim Transfer

Kapaciteti

0.9

MHz

ISC

SC Data

tSC≤10μs,VGE=15V,

T=125℃,

Vcc=1000V

VcrM≤1700V

1200

A

RGint

Brenda Porta Rezistencë CE

2.5

Oh

LCr

Shkarkim Induktiviteti

20

nH

RcC'+EE'

Moduli Përmisori Rezistenca, Kryekëndshë për CHIP

TC=25℃

0.35

m2

ndryshe

Parametri

Provë Kushtet

Min .

- Në rregull.

maks .

Njehzoja

VR

Diodë Avancuar

Tensioni

Iq=300A

Tj=25°C

1.8

V

Ti=125℃

1.9

Q

Diodë Kthim

rimëkëmbja ngarkesë

Ir=300A,

VR=900V,

di/dt=-3600A/μs,

VGr=-15V

T=25℃

77

±15V

Tj=125°C

131

IRM

Diodë Majë

Kthim rimëkëmbja Aktual

Tj=25°C

351

A

T=125℃

383

Eree

Kthim rimëkëmbja Energjia

Tj=25°C

40

mJ

Tj=125°C

72

ndryshe

Parametri

- Në rregull.

maks .

Njehzoja

Rac

Qendra e ndërlidhjes -për -Rast (IGBT Pjesë , per 1/2 Modu (le)

0.072

K/W

Rac

Qendra e ndërlidhjes -për -Rast (Diodë Pjesë , P er 1/2 Moduli)

0.13

K/W

Roc

Kaseta në Shkarkim (Konduktiv vaji i aplikuar)

0.035

K/W

Pesha

Pesha e Moduli

300

g