GD225HTT120C7S, Modul IGBT, 6 në një pakuaj, STARPOWER

GD225HTT120C7S, Modul IGBT, 6 në një paku, STARPOWER

1200V 225A

Brand:

STARPOWER

Spu:

GD225HTT120C7S

Përshkrim i shkurtër

Moduli IGBT , prodhuar nga STARPOWER. 1200V 225A.

Veprime të Rralla

Aplikimet Tipike

IGBT -invertor t C =25 ℃ përveç shprehet Vërtetë

Vlerat maksimale të klasifikuara

ndryshe	Përshkrimi	GD225HTT120C7S	Njehzoja
V Tip	Tensioni kolektor-emitor @ T J =25 ℃	1200	V
V =150 °C	Tensioni i portës-emitësit @ T J =25 ℃	±20	V
Unë C	Tresoret e Kolektprit @ t C =25 ℃ @ T C =80 ℃	400 225	A
Unë CM	Tresoret e Kolektprit me Pulsa t P = 1 ms	450	A
P të	Shkarkimi total i energjisë @ T J =175 ℃	1442	W

Jo Karakteristika

ndryshe	Parametri	Kushtet e provës	Min.	- Në rregull.	Max. - Çfarë?	Njehzoja
V (BR )Tip	Kolektor-Dërgues Tensioni i ndarjes	t J =25 ℃	1200			V
Unë Tip	Kolektor Prerë -të mbyllur Aktual	V CE = V Tip ,V Rryma e prerjes së kolektorit =0V, t J =25 ℃			5.0	= 0V,
Unë =150 °C	Shkarkimi i emitentit të portës Aktual	V Rryma e prerjes së kolektorit = V =150 °C ,V CE =0V, t J =25 ℃			400	nA

Për karakteristikat

ndryshe	Parametri	Kushtet e provës	Min.	- Në rregull.	Max. - Çfarë?	Njehzoja
V Rryma e prerjes së kolektorit (e )	Pragu i portës-emitësit Tensioni	Unë C =9.0 = 0V, ,V CE = V Rryma e prerjes së kolektorit , t J =25 ℃	5.0	5.8	6.5	V
V CE (sat)	Kolektor për emetuesin Tensioni i ngopjes	Unë C =225A,V Rryma e prerjes së kolektorit Saturimi kolektor-emiter t J =25 ℃		1.70	2.15	V
V CE (sat)	Kolektor për emetuesin Tensioni i ngopjes	Unë C =225A,V Rryma e prerjes së kolektorit Saturimi kolektor-emiter t J =125 ℃		2.00		V

Ndryshimi i karakteristikave

ndryshe	Parametri	Kushtet e provës	Min.	- Në rregull.	Max. - Çfarë?	Njehzoja
t d (Në )	Koha e vonesës së ndezjes	V CC =600V,I C =225A, r g =3.3Ω,V Rryma e prerjes së kolektorit =±15V, t J =25 ℃		251		ns
t r	Koha e ngritjes			89		ns
t d (të mbyllur )	Ndarja Koha e vonimit			550		ns
t f	Koha e rënies			125		ns
E Në	Ndriçimi Ndërrimi Humbje			/		mJ
E të mbyllur	Ndarja e fikjes Humbje			/		mJ
t d (Në )	Koha e vonesës së ndezjes	V CC =600V,I C =225A, r g =3.3Ω,V Rryma e prerjes së kolektorit =±15V, t J =125 ℃		305		ns
t r	Koha e ngritjes			100		ns
t d (të mbyllur )	Ndarja Koha e vonimit			660		ns
t f	Koha e rënies			162		ns
E Në	Ndriçimi Ndërrimi Humbje			15.1		mJ
E të mbyllur	Ndarja e fikjes Humbje			35.9		mJ
C 150 °C	ies	V CE =25V, f=1Mhz, V Rryma e prerjes së kolektorit =0V		16.0		MHz
C e	Kapaciteti i prodhimit			0.84		MHz
C μC	Transferimi i kundërt Kapaciteti			0.73		MHz
Q g	nF	V CC =600V,I C =225A, V Rryma e prerjes së kolektorit =15V		2.1		±15V
r Gint	Rezistori i Brendshëm i Portës			3.3		Oh
Unë SC	Të dhënat e SC	t P ≤ 10 μs,V Rryma e prerjes së kolektorit =15 V, t J =125 °C, V CC =900V, V CEM ≤ 1200V		900		A

Diodë -invertor t C =25 ℃ përveç shprehet Vërtetë

Vlerat maksimale të klasifikuara

ndryshe	Përshkrimi	GD225HTT120C7S	Njehzoja
V RRM	Tensioni i përsëritur i kthesës së prapme @ T J =25 ℃	1200	V
Unë f	Rryma DC Forward @ T C =80 ℃	225	A
Unë Rryma përpara e diodës	Rryma Repetitive Peak Forward t P =1ms	450	A

Karakteristika Vlera

ndryshe	Parametri	Kushtet e provës		Min.	- Në rregull.	Max. - Çfarë?	Njehzoja
V f	Diodë përpara Tensioni	Unë f =225A, V Rryma e prerjes së kolektorit =0V	t J =25 ℃		1.65	2.15	V
V f	Diodë përpara Tensioni	Unë f =225A, V Rryma e prerjes së kolektorit =0V	t J =125 ℃		1.65		V
Q r	Ngarkesa e rikuperuar	Unë f =225A, V r =600V, r g =3.3Ω, V Rryma e prerjes së kolektorit =-15V	t J =25 ℃		22		±15V
Q r	Ngarkesa e rikuperuar		t J =125 ℃		43		±15V
Unë RM	Pika e përkeqësuar Aktualisht rimëkëmbje		t J =25 ℃		160		A
Unë RM	Pika e përkeqësuar Aktualisht rimëkëmbje		t J =125 ℃		198		A
E Rec	Përmirësimi i kundërt Energjia		t J =25 ℃		11.2		mJ
E Rec	Përmirësimi i kundërt Energjia		t J =125 ℃		19.9		mJ

Elektrik Karakteristikat e NTC t C =25 ℃ përveç shprehet Vërtetë

Moduli IGBT

ndryshe	Parametri	Min.	- Në rregull.	Max. - Çfarë?	Njehzoja
V ISO	Spesha e izolimit Voltazh RMS, f=50Hz, t= 1min		2500		V
L CE	Induktiviteti i humbjes		20		nH
r CC+EE	Rezistenca e lidhes së modulit e, Larg Terminals të Chipit @ T C =25 ℃		1.10		mΩ
r θ JC	Larg Junction-Case ( për secilin IGBT-inverter) Larg Junction-Case ( për secilin DIOD-inver ter)			0.104 0.173	K/W
r θ CS	Përdorimi i grimit për të bërë një rroba të bardhë gënjejnë)		0.005		K/W
t jmax	Temperatura maksimale e kryqëzimit			175	℃
t STG	Temperatura e ruajtjes Gjatësia	-40		125	℃
Montimi Varf	Vidhë Terminali të Energjisë:M6 Montimi Vira:M5	3.0 3.0		6.0 6.0	N.m.
g	Pesha e Moduli		910		g