GD200TLQ120L3S, Modul IGBT, 3-larg, STARPOWER

Moduli IGBT 1200V

GD200TLQ120L3S, Modul IGBT, 3-larg, STARPOWER

1200V 200A

Brand:

STARPOWER

Spu:

GD200TLQ120L3S

Hyrje
Skica
Skema e Qarkut Ekivalent

Hyrje

Përshkrim i shkurtër

Moduli IGBT , prodhuar nga STARPOWER. 1200V 200A.

Veprime të Rralla

Teknologjia IGBT me VCE(sat) të ulët
Humbje të ulët të kalimit
Kapaciteti i shkurtë
VCE(sat) me koeficient pozitiv temperature
Temperatura maksimale e lidhjes 175oC
Fast & butë rikuperim të kundërt anti-paralele FWD
Rregulli me induktivitet të ulët
Rrafsh i izoluar duke përdorur teknologjinë DBC

Aplikimet Tipike

Energjia diellore
UPS
Aplikim 3-larg

Absolut Maksimumi Ratinget t C =25 o C përveç shprehet Vërtetë

T1, T4 IGBT

ndryshe	Përshkrimi	Vlera	Njësia
V Tip	Tensioni kolektor-emitor	1200	V
V =150 °C	Tensioni i portës-emitësit	±20	V
Unë C	Të drejtimi kolektori @ T C =25 o C @ T C = 100o C	339 200	A
Unë CM	Tresoret e Kolektprit me Pulsa t P = Dioda maksimumi përpara	400	A
P d	Maksimumi i humbjes së energjisë @ T J =175 o C	1456	W

D1, D4 Diod

ndryshe	Përshkrimi	Vlera	Njësia
V RRM	Tensioni i Pikut të Ripërsëritur të Prapavijës	1200	V
Unë f	Dioda e vazhdueshme e përparme qira	75	A
Unë FM	Prusia Maksimale e Diodes së Parapëlqyer t P = Dioda maksimumi përpara	150	A

T2, T3 IGBT

ndryshe	Përshkrimi	Vlera	Njësia
V Tip	Tensioni kolektor-emitor	650	V
V =150 °C	Tensioni i portës-emitësit	±20	V
Unë C	Të drejtimi kolektori @ T C =25 o C @ T C =95 o C	158 100	A
Unë CM	Tresoret e Kolektprit me Pulsa t P = Dioda maksimumi përpara	200	A
P d	Maksimumi i humbjes së energjisë @ T J =175 o C	441	W

D2, D3 Diod

ndryshe	Përshkrimi	Vlera	Njësia
V RRM	Tensioni i Pikut të Ripërsëritur të Prapavijës	650	V
Unë f	Dioda e vazhdueshme e përparme qira	100	A
Unë FM	Prusia Maksimale e Diodes së Parapëlqyer t P = Dioda maksimumi përpara	200	A

Moduli

ndryshe	Përshkrimi	Vlera	Njësia
t jmax	Temperatura maksimale e kryqëzimit	175	o C
t jop	Temperatura e ndërlidhjes së funksionimit	-40 deri në +150	o C
t STG	Temperatura e ruajtjes Gjatësia	-40 deri në +125	o C
V ISO	Tensioni izolues RMS,f=50Hz,t=1 Min	2500	V

T1, T4 IGBT Karakteristikat t C =25 o C përveç shprehet Vërtetë

ndryshe	Parametri	Kushtet e provës	Min.	- Në rregull.	Max. - Çfarë?	Njësia
V CE (sat)	Kolektor për emetuesin Tensioni i ngopjes	Unë C = 100A,V Rryma e prerjes së kolektorit = 15V, t J =25 o C		1.40	1.85	V
		Unë C = 100A,V Rryma e prerjes së kolektorit = 15V, t J =125 o C		1.65
		Unë C = 100A,V Rryma e prerjes së kolektorit = 15V, t J =150 o C		1.70
V Rryma e prerjes së kolektorit (e )	Pragu i portës-emitësit Tensioni	Unë C =5.0 = 0V, ,V CE = V Rryma e prerjes së kolektorit , t J =25 o C	5.2	6.0	6.8	V
Unë Tip	Kolektor Prerë -të mbyllur Aktual	V CE = V Tip ,V Rryma e prerjes së kolektorit =0V, t J =25 o C			1.0	= 0V,
Unë =150 °C	Shkarkimi i emitentit të portës Aktual	V Rryma e prerjes së kolektorit = V =150 °C ,V CE =0V, t J =25 o C			400	nA
r Gint	Rezistenca e portës së brendshme ance			3.8		Oh
C 150 °C	ies	V CE =25V, f=1Mhz, V Rryma e prerjes së kolektorit =0V		20.7		MHz
C μC	Transferimi i kundërt Kapaciteti	V CE =25V, f=1Mhz, V Rryma e prerjes së kolektorit =0V		0.58		MHz
Q g	nF	V Rryma e prerjes së kolektorit =- 15…+15V		1.56		±15V
t d (Në )	Koha e vonesës së ndezjes	V CC =400V, I C = 100A, r g = 1. 1Ω, V Rryma e prerjes së kolektorit =±15V, t J =25 o C		142		ns
t r	Koha e ngritjes			25		ns
t d (të mbyllur )	Ndarja Koha e vonimit			352		ns
t f	Koha e rënies			33		ns
E Në	Ndriçimi Ndërrimi Humbje			1.21		mJ
E të mbyllur	Ndarja e fikjes Humbje			3.90		mJ
t d (Në )	Koha e vonesës së ndezjes	V CC =400V, I C = 100A, r g = 1. 1Ω, V Rryma e prerjes së kolektorit =±15V, t J = 125o C		155		ns
t r	Koha e ngritjes			29		ns
t d (të mbyllur )	Ndarja Koha e vonimit			440		ns
t f	Koha e rënies			61		ns
E Në	Ndriçimi Ndërrimi Humbje			2.02		mJ
E të mbyllur	Ndarja e fikjes Humbje			5.83		mJ
t d (Në )	Koha e vonesës së ndezjes	V CC =400V, I C = 100A, r g = 1. 1Ω, V Rryma e prerjes së kolektorit =±15V, t J = 150o C		161		ns
t r	Koha e ngritjes			30		ns
t d (të mbyllur )	Ndarja Koha e vonimit			462		ns
t f	Koha e rënies			66		ns
E Në	Ndriçimi Ndërrimi Humbje			2.24		mJ
E të mbyllur	Ndarja e fikjes Humbje			6.49		mJ
Unë SC	Të dhënat e SC	t P ≤ 10 μs,V Rryma e prerjes së kolektorit Saturimi kolektor-emiter t J =150 o C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200V		800		A

D1, D4 Diodë Karakteristikat t C =25 o C përveç shprehet Vërtetë

ndryshe	Parametri	Kushtet e provës	Min.	- Në rregull.	Max. - Çfarë?	Njësia
V f	Diodë përpara Tensioni	Unë f =75A,V Rryma e prerjes së kolektorit =0V,T J =25 o C		1.70	2.15	V
		Unë f =75A,V Rryma e prerjes së kolektorit =0V,T J = 125o C		1.65
		Unë f =75A,V Rryma e prerjes së kolektorit =0V,T J = 150o C		1.65
Q r	Ngarkesa e rikuperuar	V r =400V, I f =75A, -di/dt=3500A/μs, V Rryma e prerjes së kolektorit =- 15V t J =25 o C		8.7		±15V
Unë RM	Pika e përkeqësuar Aktualisht rimëkëmbje			122		A
E Rec	Përmirësimi i kundërt Energjia			2.91		mJ
Q r	Ngarkesa e rikuperuar	V r =400V, I f =75A, -di/dt=3500A/μs, V Rryma e prerjes së kolektorit =- 15V t J = 125o C		17.2		±15V
Unë RM	Pika e përkeqësuar Aktualisht rimëkëmbje			143		A
E Rec	Përmirësimi i kundërt Energjia			5.72		mJ
Q r	Ngarkesa e rikuperuar	V r =400V, I f =75A, -di/dt=3500A/μs, V Rryma e prerjes së kolektorit =- 15V t J = 150o C		19.4		±15V
Unë RM	Pika e përkeqësuar Aktualisht rimëkëmbje			152		A
E Rec	Përmirësimi i kundërt Energjia			6.30		mJ

T2, T3 IGBT Karakteristikat t C =25 o C përveç shprehet Vërtetë

ndryshe	Parametri	Kushtet e provës	Min.	- Në rregull.	Max. - Çfarë?	Njësia
V CE (sat)	Kolektor për emetuesin Tensioni i ngopjes	Unë C = 100A,V Rryma e prerjes së kolektorit = 15V, t J =25 o C		1.45	1.90	V
		Unë C = 100A,V Rryma e prerjes së kolektorit = 15V, t J =125 o C		1.60
		Unë C = 100A,V Rryma e prerjes së kolektorit = 15V, t J =150 o C		1.70
V Rryma e prerjes së kolektorit (e )	Pragu i portës-emitësit Tensioni	Unë C = 1.60mA, V CE =V Rryma e prerjes së kolektorit , T J =25 o C	5.0	5.8	6.5	V
Unë Tip	Kolektor Prerë -të mbyllur Aktual	V CE = V Tip ,V Rryma e prerjes së kolektorit =0V, t J =25 o C			1.0	= 0V,
Unë =150 °C	Shkarkimi i emitentit të portës Aktual	V Rryma e prerjes së kolektorit = V =150 °C ,V CE =0V, t J =25 o C			400	nA
r Gint	Rezistenca e portës së brendshme ance			2.0		Oh
C 150 °C	ies	V CE =25V, f=1Mhz, V Rryma e prerjes së kolektorit =0V		11.6		MHz
C μC	Transferimi i kundërt Kapaciteti	V CE =25V, f=1Mhz, V Rryma e prerjes së kolektorit =0V		0.23		MHz
Q g	nF	V Rryma e prerjes së kolektorit =- 15…+15V		0.69		±15V
t d (Në )	Koha e vonesës së ndezjes	V CC =400V, I C = 100A, r g =3.3Ω,V Rryma e prerjes së kolektorit =±15V, t J =25 o C		44		ns
t r	Koha e ngritjes			20		ns
t d (të mbyllur )	Ndarja Koha e vonimit			200		ns
t f	Koha e rënies			28		ns
E Në	Ndriçimi Ndërrimi Humbje			1.48		mJ
E të mbyllur	Ndarja e fikjes Humbje			2.48		mJ
t d (Në )	Koha e vonesës së ndezjes	V CC =400V, I C = 100A, r g =3.3Ω,V Rryma e prerjes së kolektorit =±15V, t J = 125o C		48		ns
t r	Koha e ngritjes			24		ns
t d (të mbyllur )	Ndarja Koha e vonimit			216		ns
t f	Koha e rënies			40		ns
E Në	Ndriçimi Ndërrimi Humbje			2.24		mJ
E të mbyllur	Ndarja e fikjes Humbje			3.28		mJ
t d (Në )	Koha e vonesës së ndezjes	V CC =400V, I C = 100A, r g =3.3Ω,V Rryma e prerjes së kolektorit =±15V, t J = 150o C		52		ns
t r	Koha e ngritjes			24		ns
t d (të mbyllur )	Ndarja Koha e vonimit			224		ns
t f	Koha e rënies			48		ns
E Në	Ndriçimi Ndërrimi Humbje			2.64		mJ
E të mbyllur	Ndarja e fikjes Humbje			3.68		mJ
Unë SC	Të dhënat e SC	t P ≤6μs,V Rryma e prerjes së kolektorit = 15V, t J =150 o C,V CC =360V, V CEM ≤650V		500		A

D2, D3 Diodë Karakteristikat t C =25 o C përveç shprehet Vërtetë

ndryshe	Parametri	Kushtet e provës	Min.	- Në rregull.	Max. - Çfarë?	Njësia
V f	Diodë përpara Tensioni	Unë f = 100A,V Rryma e prerjes së kolektorit =0V,T J =25 o C		1.55	2.00	V
		Unë f = 100A,V Rryma e prerjes së kolektorit =0V,T J = 125o C		1.50
		Unë f = 100A,V Rryma e prerjes së kolektorit =0V,T J = 150o C		1.45
Q r	Ngarkesa e rikuperuar	V r =400V, I f = 100A, -di/dt=4070A/μs, V Rryma e prerjes së kolektorit =- 15V t J =25 o C		3.57		±15V
Unë RM	Pika e përkeqësuar Aktualisht rimëkëmbje			99		A
E Rec	Përmirësimi i kundërt Energjia			1.04		mJ
Q r	Ngarkesa e rikuperuar	V r =400V, I f = 100A, -di/dt=4070A/μs, V Rryma e prerjes së kolektorit =- 15V t J = 125o C		6.49		±15V
Unë RM	Pika e përkeqësuar Aktualisht rimëkëmbje			110		A
E Rec	Përmirësimi i kundërt Energjia			1.70		mJ
Q r	Ngarkesa e rikuperuar	V r =400V, I f = 100A, -di/dt=4070A/μs, V Rryma e prerjes së kolektorit =- 15V t J = 150o C		7.04		±15V
Unë RM	Pika e përkeqësuar Aktualisht rimëkëmbje			110		A
E Rec	Përmirësimi i kundërt Energjia			1.81		mJ

NTC Karakteristikat t C =25 o C përveç shprehet Vërtetë

ndryshe	Parametri	Kushtet e provës	Min.	- Në rregull.	Max. - Çfarë?	Njësia
r 25	Rezistenca e Vlerësuar			5.0		kΩ
ΔR/R	Devijimi e r 100	t C = 100 o C,R 100=493.3Ω	-5		5	%
P 25	Fuqia Eliminimi				20.0	mW
B 25/50	Vlera B	r 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		K
B 25/80	Vlera B	r 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		K
B 25/100	Vlera B	r 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		K

Moduli Karakteristikat t C =25 o C përveç shprehet Vërtetë

ndryshe	Parametri	Min.	- Në rregull.	Max. - Çfarë?	Njësia
r thJC	Lidhja me rastin (për T1, T4 IGBT) Larg dhe Larg (per D1, D4 Dio de) Larg dhe Larg (per T2, T3 IGBT) Lidhje-përderm (për D2,D3 Dio de)		0.094 0.405 0.309 0.544	0.103 0.446 0.340 0.598	K/W
r thCH	Kasë në Shkëmbyes (për T1,T4 IGBT) Përderm-përmbajtës (për D1,D4 DIODE) Kasë në Shkëmbyes (për T2,T3 IGBT) Përderm-përmbajtës (për D2,D3 DIODE) Kasë në Shkëmbyes (për Moduli)		0.126 0.547 0.417 0.733 0.037		K/W
f	Forca Montimi Për Larg	40		80	N
g	Pesha e Moduli		39		g