GD200HFU120C2S, Modul IGBT, STARPOWER

Hyrje

Përshkrim i shkurtër

Moduli IGBT ,prodhuar nga STARPOWER. 1200V 200A.

Veprime të Rralla

Teknologjia NPT IGBT
aftësi për qarkullim të shkurtër 10μs
Humbje të ulëta të ndërrimit
VCE(sat) me koeficient pozitiv temperature
Rregulli me induktivitet të ulët
Fast & butë rikuperim të kundërt anti-paralele FWD
Plaka e izolimit të bakrit duke përdorur teknologjinë DBC

Aplikimet Tipike

Furnizim energjie me mod switching
Ngrohje induktive
Lidhës elektronik

Absolut Maksimumi Ratinget T C =25 o C përveç shprehet vërtetë

IGBT

Ndryshe	Përshkrimi	Vlera	Njësia
V Tip	Tensioni kolektor-emitor	1200	V
V =150 °C	Tensioni i portës-emitësit	±20	V
Unë C	Të drejtimi kolektori @ T C =25 o C @ T C =65 o C	262 200	A
Unë CM	Tresoret e Kolektprit me Pulsa t p =1ms	400	A
P D	Maksimumi i humbjes së energjisë @ T =150 o C	1315	W

Diodë

Ndryshe	Përshkrimi	Vlera	Njësia
V RRM	Tensioni i Pikut të Ripërsëritur të Prapavijës	1200	V
Unë F	Dioda e vazhdueshme e përparme qira	200	A
Unë FM	Prusia Maksimale e Diodes së Parapëlqyer t p =1ms	400	A

Moduli

Ndryshe	Përshkrimi	Vlera	Njësia
T jmax	Temperatura maksimale e kryqëzimit	150	o C
T jop	Temperatura e ndërlidhjes së funksionimit	-40 deri në +125	o C
T STG	Temperatura e ruajtjes Gjatësia	-40 deri në +125	o C
V ISO	Tensioni izolues RMS,f=50Hz,t=1 min	2500	V

IGBT Karakteristikat T C =25 o C përveç shprehet vërtetë

Ndryshe	Parametri	Kushtet e provës	Min.	- Në rregull.	Max. - Çfarë?	Njësia
V CE (sat)	Kolektor për emetuesin Tensioni i ngopjes	Unë C =200A,V Rryma e prerjes së kolektorit saturimi kolektor-emiter T j =25 o C		3.00	3.45	V
V CE (sat)	Kolektor për emetuesin Tensioni i ngopjes	Unë C =200A,V Rryma e prerjes së kolektorit saturimi kolektor-emiter T j =125 o C		3.80		V
V Rryma e prerjes së kolektorit (e )	Pragu i portës-emitësit Tensioni	Unë C =2.0 = 0V, ,V CE = V Rryma e prerjes së kolektorit , T j =25 o C	4.5	5.4	6.5	V
Unë Tip	Kolektor Prerë -Të mbyllur Aktual	V CE = V Tip ,V Rryma e prerjes së kolektorit =0V, T j =25 o C			5.0	= 0V,
Unë =150 °C	Shkarkimi i emitentit të portës Aktual	V Rryma e prerjes së kolektorit = V =150 °C ,V CE =0V, T j =25 o C			400	nA
R Gint	Rezistenca e portës së brendshme ance			1.3		oh
C 150 °C	Ies	V CE =25V, f=1Mhz, V Rryma e prerjes së kolektorit =0V		13.0		mHz
C μC	Transferimi i kundërt Kapaciteti	V CE =25V, f=1Mhz, V Rryma e prerjes së kolektorit =0V		0.85		mHz
Q G	NF	V Rryma e prerjes së kolektorit =- 15…+15V		2.10		±15V
t d (në )	Koha e vonesës së ndezjes	V CC =600V,I C =200A, R G =4.7Ω,V Rryma e prerjes së kolektorit =±15V, T j =25 o C		87		ns
t r	Koha e ngritjes			40		ns
t d (të mbyllur )	Ndarja Koha e vonimit			451		ns
t f	Koha e rënies			63		ns
E në	Ndriçimi Ndërrimi Humbje			6.8		mJ
E të mbyllur	Ndarja e fikjes Humbje			11.9		mJ
t d (në )	Koha e vonesës së ndezjes	V CC =600V,I C =200A, R G =4.7Ω,V Rryma e prerjes së kolektorit =±15V, T j = 125o C		88		ns
t r	Koha e ngritjes			44		ns
t d (të mbyllur )	Ndarja Koha e vonimit			483		ns
t f	Koha e rënies			78		ns
E në	Ndriçimi Ndërrimi Humbje			11.4		mJ
E të mbyllur	Ndarja e fikjes Humbje			13.5		mJ
Unë SC	Të dhënat e SC	t P ≤ 10 μs,V Rryma e prerjes së kolektorit saturimi kolektor-emiter T j =125 o C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200V		1300		A

Diodë Karakteristikat T C =25 o C përveç shprehet vërtetë

Ndryshe	Parametri	Kushtet e provës	Min.	- Në rregull.	Max. - Çfarë?	Njësia
V F	Diodë përpara Tensioni	Unë F =200A,V Rryma e prerjes së kolektorit =0V,T j =25 o C		1.95	2.40	V
V F	Diodë përpara Tensioni	Unë F =200A,V Rryma e prerjes së kolektorit =0V,T j =125 o C		2.00		V
Q r	Ngarkesa e rikuperuar	V R =600V,I F =200A, -di/dt=4600A/μs,V Rryma e prerjes së kolektorit =- 15V T j =25 o C		13.3		±15V
Unë RM	Pika e përkeqësuar Aktualisht rimëkëmbje			236		A
E rec	Përmirësimi i kundërt Energjia			6.6		mJ
Q r	Ngarkesa e rikuperuar	V R =600V,I F =200A, -di/dt=4600A/μs,V Rryma e prerjes së kolektorit =- 15V T j =125 o C		23.0		±15V
Unë RM	Pika e përkeqësuar Aktualisht rimëkëmbje			269		A
E rec	Përmirësimi i kundërt Energjia			10.5		mJ

Moduli Karakteristikat T C =25 o C përveç shprehet vërtetë

Ndryshe	Parametri	Min.	- Në rregull.	Max. - Çfarë?	Njësia
L CE	Induktiviteti i humbjes			30	nH
R CC+EE	Rezistenca e Modulit të Lidhses, Terminal në çip		0.35		mΩ
R thJC	Marrëveshja me rastin (për IGB) T) Lidhja me rastin (për D) jod)			0.095 0.202	K/W
R thCH	Kasë në Shkëmbyes (për IGBT) Kasë në Shkëmbyes (p er Diode) Kasë në Shkëmbyes (për Moduli)		0.029 0.063 0.010		K/W
M	Torku i Lidhjes së Terminaleve, Bolti M5 Torku i Montimit, Bolti M6	2.5 3.0		5.0 5.0	N.m.
G	Pesha e Moduli		300		g