Moduli IGBT 1200V

ndryshe

Përshkrimi

Vlera

Njësia

V Tip

Tensioni kolektor-emitor

1200

V

V =150 °C

Tensioni i portës-emitësit

±20

V

Unë C

Të drejtimi kolektori @ T C =25 o C

@ T C =65 o C

262

200

A

Unë CM

Tresoret e Kolektprit me Pulsa t P =1ms

400

A

P d

Maksimumi i humbjes së energjisë @ T =150 o C

1315

W

ndryshe

Përshkrimi

Vlera

Njësia

V RRM

Tensioni i Pikut të Ripërsëritur të Prapavijës

1200

V

Unë f

Dioda e vazhdueshme e përparme qira

200

A

Unë FM

Prusia Maksimale e Diodes së Parapëlqyer t P =1ms

400

A

ndryshe

Përshkrimi

Vlera

Njësia

t jmax

Temperatura maksimale e kryqëzimit

150

o C

t jop

Temperatura e ndërlidhjes së funksionimit

-40 deri në +125

o C

t STG

Temperatura e ruajtjes Gjatësia

-40 deri në +125

o C

V ISO

Tensioni izolues RMS,f=50Hz,t=1 Min

2500

V

ndryshe

Parametri

Kushtet e provës

Min.

- Në rregull.

Max. - Çfarë?

Njësia

V CE (sat)

Kolektor për emetuesin

Tensioni i ngopjes

Unë C =200A,V Rryma e prerjes së kolektorit Saturimi kolektor-emiter t J =25 o C

3.00

3.45

V

Unë C =200A,V Rryma e prerjes së kolektorit Saturimi kolektor-emiter t J =125 o C

3.80

V Rryma e prerjes së kolektorit (e )

Pragu i portës-emitësit Tensioni

Unë C =2.0 = 0V, ,V CE = V Rryma e prerjes së kolektorit , t J =25 o C

4.5

5.4

6.5

V

Unë Tip

Kolektor Prerë -të mbyllur

Aktual

V CE = V Tip ,V Rryma e prerjes së kolektorit =0V,

t J =25 o C

5.0

= 0V,

Unë =150 °C

Shkarkimi i emitentit të portës Aktual

V Rryma e prerjes së kolektorit = V =150 °C ,V CE =0V, t J =25 o C

400

nA

r Gint

Rezistenca e portës së brendshme ance

1.3

Oh

C 150 °C

ies

V CE =25V, f=1Mhz,

V Rryma e prerjes së kolektorit =0V

13.0

MHz

C μC

Transferimi i kundërt

Kapaciteti

0.85

MHz

Q g

nF

V Rryma e prerjes së kolektorit =- 15…+15V

2.10

±15V

t d (Në )

Koha e vonesës së ndezjes

V CC =600V,I C =200A, r g =4.7Ω,V Rryma e prerjes së kolektorit =±15V, t J =25 o C

87

ns

t r

Koha e ngritjes

40

ns

t d (të mbyllur )

Ndarja Koha e vonimit

451

ns

t f

Koha e rënies

63

ns

E Në

Ndriçimi Ndërrimi

Humbje

6.8

mJ

E të mbyllur

Ndarja e fikjes

Humbje

11.9

mJ

t d (Në )

Koha e vonesës së ndezjes

V CC =600V,I C =200A, r g =4.7Ω,V Rryma e prerjes së kolektorit =±15V, t J = 125o C

88

ns

t r

Koha e ngritjes

44

ns

t d (të mbyllur )

Ndarja Koha e vonimit

483

ns

t f

Koha e rënies

78

ns

E Në

Ndriçimi Ndërrimi

Humbje

11.4

mJ

E të mbyllur

Ndarja e fikjes

Humbje

13.5

mJ

Unë SC

Të dhënat e SC

t P ≤ 10 μs,V Rryma e prerjes së kolektorit Saturimi kolektor-emiter

t J =125 o C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200V

1300

A

ndryshe

Parametri

Kushtet e provës

Min.

- Në rregull.

Max. - Çfarë?

Njësia

V f

Diodë përpara

Tensioni

Unë f =200A,V Rryma e prerjes së kolektorit =0V,T J =25 o C

1.95

2.40

V

Unë f =200A,V Rryma e prerjes së kolektorit =0V,T J =125 o C

2.00

Q r

Ngarkesa e rikuperuar

V r =600V,I f =200A,

-di/dt=4600A/μs,V Rryma e prerjes së kolektorit =- 15V t J =25 o C

13.3

±15V

Unë RM

Pika e përkeqësuar

Aktualisht rimëkëmbje

236

A

E Rec

Përmirësimi i kundërt Energjia

6.6

mJ

Q r

Ngarkesa e rikuperuar

V r =600V,I f =200A,

-di/dt=4600A/μs,V Rryma e prerjes së kolektorit =- 15V t J =125 o C

23.0

±15V

Unë RM

Pika e përkeqësuar

Aktualisht rimëkëmbje

269

A

E Rec

Përmirësimi i kundërt Energjia

10.5

mJ

ndryshe

Parametri

Min.

- Në rregull.

Max. - Çfarë?

Njësia

L CE

Induktiviteti i humbjes

30

nH

r CC+EE

Rezistenca e Modulit të Lidhses, Terminal në çip

0.35

mΩ

r thJC

Marrëveshja me rastin (për IGB) T)

Lidhja me rastin (për D) jod)

0.095

0.202

K/W

r thCH

Kasë në Shkëmbyes (për IGBT)

Kasë në Shkëmbyes (p er Diode)

Kasë në Shkëmbyes (për Moduli)

0.029

0.063

0.010

K/W

M

Torku i Lidhjes së Terminaleve, Bolti M5 Torku i Montimit, Bolti M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.m.

g

Pesha e Moduli

300

g