GD200HFT120B3S_G8, Modul IGBT, STARPOWER

Moduli IGBT 1200V

GD200HFT120B3S_G8, Modul IGBT, STARPOWER

1200V 200A

Brand:

STARPOWER

Spu:

GD200HFT120B3S_G8

Hyrje
Skica
Skema e Qarkut Ekivalent

Hyrje

Përshkrim i shkurtër

Moduli IGBT ,prodhuar nga STARPOWER. 1200V 200A.

Veprime të Rralla

Teknologjia IGBT me VCE(sat) të ulët
Aftësi për qarkullim të shkurtër 10μs
VCE(sat) me koeficient pozitiv temperature
Temperatura maksimale e lidhjes 175oC
Rregulli me induktivitet të ulët
Fast & butë rikuperim të kundërt anti-paralele FWD
Plaka e izolimit të bakrit duke përdorur teknologjinë DBC

Aplikimet Tipike

Inverter për drejtimin e motorit
Amplifikatori i servos AC dhe DC
Larg power supply

Absolut Maksimumi Ratinget t C =25 ℃ përveç shprehet Vërtetë

IGBT

ndryshe	Përshkrimi	Vlera	Njësia
V Tip	Tensioni kolektor-emitor	1200	V
V =150 °C	Tensioni i portës-emitësit	±30	V
Unë C	Tresoret e Kolektprit @ t C =25 ℃ @ T C = 100℃	330 200	A
Unë CM	Tresoret e Kolektprit me Pulsa t P =1ms	400	A
P d	Maksimumi i humbjes së energjisë @ T J = 1 75℃	1103	W

Diodë

ndryshe	Përshkrimi	Vlera	Njësia
V RRM	Tensioni i Pikut të Ripërsëritur të Prapavijës	1200	V
Unë f	Dioda e vazhdueshme e përparme qira	200	A
Unë FM	Prusia Maksimale e Diodes së Parapëlqyer t P =1ms	400	A

Moduli

ndryshe	Përshkrimi	Vlera	Njësia
t jmax	Temperatura maksimale e kryqëzimit	175	℃
t jop	Temperatura e ndërlidhjes së funksionimit	-40 deri në +150	℃
t STG	Temperatura e ruajtjes Gjatësia	-40 deri në +125	℃
V ISO	Tensioni izolues RMS,f=50Hz,t=1 Min	4000	V

IGBT Karakteristikat t C =25 ℃ përveç shprehet Vërtetë

ndryshe	Parametri	Kushtet e provës	Min.	- Në rregull.	Max. - Çfarë?	Njësia
V CE (sat)	Kolektor për emetuesin Tensioni i ngopjes	Unë C =200A,V Rryma e prerjes së kolektorit Saturimi kolektor-emiter t J =25 ℃		1.70	2.15	V
		Unë C =200A,V Rryma e prerjes së kolektorit Saturimi kolektor-emiter t J =125 ℃		1.95
		Unë C =200A,V Rryma e prerjes së kolektorit Saturimi kolektor-emiter t J =150 ℃		2.00
V Rryma e prerjes së kolektorit (e )	Pragu i portës-emitësit Tensioni	Unë C =8.0 = 0V, ,V CE = V Rryma e prerjes së kolektorit , t J =25 ℃	5.0	5.8	6.5	V
Unë Tip	Kolektor Prerë -të mbyllur Aktual	V CE = V Tip ,V Rryma e prerjes së kolektorit =0V, t J =25 ℃			5.0	= 0V,
Unë =150 °C	Shkarkimi i emitentit të portës Aktual	V Rryma e prerjes së kolektorit = V =150 °C ,V CE =0V, t J =25 ℃			400	nA
r Gint	Rezistenca e portës së brendshme ance			1.0		Oh
C 150 °C	ies	V CE =30V,f=1MHz, V Rryma e prerjes së kolektorit =0V		18.2		MHz
C μC	Transferimi i kundërt Kapaciteti	V CE =30V,f=1MHz, V Rryma e prerjes së kolektorit =0V		0.56		MHz
Q g	nF	V Rryma e prerjes së kolektorit =15V		1.20		±15V
t d (Në )	Koha e vonesës së ndezjes	V CC =600V,I C =200A, r g =3.0Ω,V Rryma e prerjes së kolektorit =±15V, t J =25 ℃		213		ns
t r	Koha e ngritjes			64		ns
t d (të mbyllur )	Ndarja Koha e vonimit			280		ns
t f	Koha e rënies			180		ns
E Në	Ndriçimi Ndërrimi Humbje			4.10		mJ
E të mbyllur	Ndarja e fikjes Humbje			16.3		mJ
t d (Në )	Koha e vonesës së ndezjes	V CC =600V,I C =200A, r g =3.0Ω,V Rryma e prerjes së kolektorit =±15V, t J = 125℃		285		ns
t r	Koha e ngritjes			78		ns
t d (të mbyllur )	Ndarja Koha e vonimit			363		ns
t f	Koha e rënies			278		ns
E Në	Ndriçimi Ndërrimi Humbje			7.40		mJ
E të mbyllur	Ndarja e fikjes Humbje			23.0		mJ
t d (Në )	Koha e vonesës së ndezjes	V CC =600V,I C =200A, r g =3.0Ω,V Rryma e prerjes së kolektorit =±15V, t J = 150℃		293		ns
t r	Koha e ngritjes			81		ns
t d (të mbyllur )	Ndarja Koha e vonimit			374		ns
t f	Koha e rënies			327		ns
E Në	Ndriçimi Ndërrimi Humbje			8.70		mJ
E të mbyllur	Ndarja e fikjes Humbje			25.2		mJ
Unë SC	Të dhënat e SC	t P ≤ 10 μs,V Rryma e prerjes së kolektorit Saturimi kolektor-emiter t J =150 ℃ ,V CC =900V, V CEM ≤ 1200V		800		A

Diodë Karakteristikat t C =25 ℃ përveç shprehet Vërtetë

ndryshe	Parametri	Kushtet e provës	Min.	- Në rregull.	Max. - Çfarë?	Njehzoja
V f	Diodë përpara Tensioni	Unë C =200A,V Rryma e prerjes së kolektorit =0V,T J =25 ℃		2.15	2.55	V
		Unë C =200A,V Rryma e prerjes së kolektorit =0V,T J = 125℃		2.20
		Unë C =200A,V Rryma e prerjes së kolektorit =0V,T J = 150℃		2.15
Q r	Të rikuperuara ngarkesë	V r =600V,I f =200A, r g =3.0Ω, V Rryma e prerjes së kolektorit =-15V t J =25 ℃		16.2		±15V
Unë RM	Pika e përkeqësuar Aktualisht rimëkëmbje			169		A
E Rec	Përmirësimi i kundërt Energjia			10.2		mJ
Q r	Të rikuperuara ngarkesë	V r =600V,I f =200A, r g =3.0Ω, V Rryma e prerjes së kolektorit =-15V t J = 125℃		24.4		±15V
Unë RM	Pika e përkeqësuar Aktualisht rimëkëmbje			204		A
E Rec	Përmirësimi i kundërt Energjia			16.2		mJ
Q r	Të rikuperuara ngarkesë	V r =600V,I f =200A, r g =3.0Ω, V Rryma e prerjes së kolektorit =-15V t J = 150℃		31.4		±15V
Unë RM	Pika e përkeqësuar Aktualisht rimëkëmbje			222		A
E Rec	Përmirësimi i kundërt Energjia			19.4		mJ

Moduli Karakteristikat t C =25 ℃ përveç shprehet Vërtetë

ndryshe	Parametri	Min.	- Në rregull.	Max. - Çfarë?	Njësia
L CE	Induktiviteti i humbjes			20	nH
r CC+EE	Rezistenca e lidhes së modulit e, Larg Terminals të Chipit		0.35		mΩ
r θ JC	Marrëveshja me rastin (për IGB) T) Lidhja me rastin (për D) jod)			0.136 0.194	K/W
r θ CS	Kaseta në Shkarkim (për IGBT) Kaseta në Shkarkim (për Diode)		0.060 0.085		K/W
r θ CS	Kaseta në Shkarkim		0.035		K/W
M	Torku i Lidhjes së Terminaleve, Bolti M5 Torku i Montimit, Bolti M6	2.5 3.0		5.0 5.0	N.m.
g	Pesha e Moduli		300		g