GD200FFY120C6S, Modul IGBT, STARPOWER

Moduli IGBT 1200V

GD200FFY120C6S,Modul IGBT,STARPOWER

1200V 200A

Brand:

STARPOWER

Spu:

GD200FFY120C6S

Hyrje
Skica
Skema e Qarkut Ekivalent

Hyrje

Përshkrim i shkurtër

Moduli IGBT ,prodhuar nga STARPOWER. 1200V 200A.

Veprime të Rralla

Teknologjia IGBT me VCE(sat) të ulët
VCE(sat) me koeficient pozitiv temperature
Humbje të ulëta të ndërrimit
Temperatura maksimale e lidhjes 175 ℃
Rregulli me induktivitet të ulët
Fast & butë rikuperim të kundërt anti-paralele FWD
Plaka e izolimit të bakrit duke përdorur teknologjinë DBC

Aplikimet Tipike

Furnizim me energji pa ndërprerje
Ngrohje induktive
Makinë saldimi

Absolut Maksimumi Ratinget t C =25 o C përveç shprehet Vërtetë

IGBT

ndryshe	Përshkrimi	Vlera	Njësia
V Tip	Tensioni kolektor-emitor	1200	V
V =150 °C	Tensioni i portës-emitësit	±20	V
Unë C	Të drejtimi kolektori @ T C =25 o C @ T C = 100o C	309 200	A
Unë CM	Tresoret e Kolektprit me Pulsa t P =1ms	400	A
P d	Maksimumi i humbjes së energjisë @ T =175 o C	1006	W

Diodë

ndryshe	Përshkrimi	Vlera	Njësia
V RRM	Tensioni i Pikut të Ripërsëritur të Prapavijës	1200	V
Unë f	Dioda e vazhdueshme e përparme qira	200	A
Unë FM	Prusia Maksimale e Diodes së Parapëlqyer t P =1ms	400	A

Moduli

ndryshe	Përshkrimi	Vlera	Njësia
t jmax	Temperatura maksimale e kryqëzimit	175	o C
t jop	Temperatura e ndërlidhjes së funksionimit	-40 deri në +150	o C
t STG	Temperatura e ruajtjes Gjatësia	-40 deri në +125	o C
V ISO	Tensioni izolues RMS,f=50Hz,t=1 Min	2500	V

IGBT Karakteristikat t C =25 o C përveç shprehet Vërtetë

ndryshe	Parametri	Kushtet e provës	Min.	- Në rregull.	Max. - Çfarë?	Njësia
V CE (sat)	Kolektor për emetuesin Tensioni i ngopjes	Unë C =200A,V Rryma e prerjes së kolektorit Saturimi kolektor-emiter t J =25 o C		1.70	2.15	V
		Unë C =200A,V Rryma e prerjes së kolektorit Saturimi kolektor-emiter t J =125 o C		1.95
		Unë C =200A,V Rryma e prerjes së kolektorit Saturimi kolektor-emiter t J =150 o C		2.00
V Rryma e prerjes së kolektorit (e )	Pragu i portës-emitësit Tensioni	Unë C =5.0 = 0V, ,V CE = V Rryma e prerjes së kolektorit , t J =25 o C	5.2	6.0	6.8	V
Unë Tip	Kolektor Prerë -të mbyllur Aktual	V CE = V Tip ,V Rryma e prerjes së kolektorit =0V, t J =25 o C			1.0	= 0V,
Unë =150 °C	Shkarkimi i emitentit të portës Aktual	V Rryma e prerjes së kolektorit = V =150 °C ,V CE =0V, t J =25 o C			400	nA
r Gint	Rezistenca e portës së brendshme ance			4.0		Oh
t d (Në )	Koha e vonesës së ndezjes	V CC =600V,I C =200A, r g = 1. 1Ω, V Rryma e prerjes së kolektorit =±15V, t J =25 o C		150		ns
t r	Koha e ngritjes			32		ns
t d (të mbyllur )	Ndarja Koha e vonimit			330		ns
t f	Koha e rënies			93		ns
E Në	Ndriçimi Ndërrimi Humbje			11.2		mJ
E të mbyllur	Ndarja e fikjes Humbje			11.3		mJ
t d (Në )	Koha e vonesës së ndezjes	V CC =600V,I C =200A, r g = 1. 1Ω, V Rryma e prerjes së kolektorit =±15V, t J = 125o C		161		ns
t r	Koha e ngritjes			37		ns
t d (të mbyllur )	Ndarja Koha e vonimit			412		ns
t f	Koha e rënies			165		ns
E Në	Ndriçimi Ndërrimi Humbje			19.8		mJ
E të mbyllur	Ndarja e fikjes Humbje			17.0		mJ
t d (Në )	Koha e vonesës së ndezjes	V CC =600V,I C =200A, r g = 1. 1Ω, V Rryma e prerjes së kolektorit =±15V, t J = 150o C		161		ns
t r	Koha e ngritjes			43		ns
t d (të mbyllur )	Ndarja Koha e vonimit			433		ns
t f	Koha e rënies			185		ns
E Në	Ndriçimi Ndërrimi Humbje			21.9		mJ
E të mbyllur	Ndarja e fikjes Humbje			19.1		mJ
Unë SC	Të dhënat e SC	t P ≤ 10 μs,V Rryma e prerjes së kolektorit Saturimi kolektor-emiter t J =150 o C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200V		800		A

Diodë Karakteristikat t C =25 o C përveç shprehet Vërtetë

ndryshe	Parametri	Kushtet e provës	Min.	- Në rregull.	Max. - Çfarë?	Njehzoja
V f	Diodë përpara Tensioni	Unë f =200A,V Rryma e prerjes së kolektorit =0V,T J =25 o C		1.65	2.10	V
		Unë f =200A,V Rryma e prerjes së kolektorit =0V,T J = 125o C		1.65
		Unë f =200A,V Rryma e prerjes së kolektorit =0V,T J = 150o C		1.65
Q r	Ngarkesa e rikuperuar	V r =600V,I f =200A, -di/dt=5400A/μs,V Rryma e prerjes së kolektorit =- 15V t J =25 o C		17.6		±15V
Unë RM	Pika e përkeqësuar Aktualisht rimëkëmbje			228		A
E Rec	Përmirësimi i kundërt Energjia			7.7		mJ
Q r	Ngarkesa e rikuperuar	V r =600V,I f =200A, -di/dt=5400A/μs,V Rryma e prerjes së kolektorit =- 15V t J =125 o C		31.8		±15V
Unë RM	Pika e përkeqësuar Aktualisht rimëkëmbje			238		A
E Rec	Përmirësimi i kundërt Energjia			13.8		mJ
Q r	Ngarkesa e rikuperuar	V r =600V,I f =200A, -di/dt=5400A/μs,V Rryma e prerjes së kolektorit =- 15V t J =150 o C		36.6		±15V
Unë RM	Pika e përkeqësuar Aktualisht rimëkëmbje			247		A
E Rec	Përmirësimi i kundërt Energjia			15.2		mJ

NTC Karakteristikat t C =25 o C përveç shprehet Vërtetë

ndryshe	Parametri	Kushtet e provës	Min.	- Në rregull.	Max. - Çfarë?	Njësia
r 25	Rezistenca e Vlerësuar			5.0		kΩ
ΔR/R	Devijimi e r 100	t C = 100 o C,R 100=493.3Ω	-5		5	%
P 25	Fuqia Eliminimi				20.0	mW
B 25/50	Vlera B	r 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		K
B 25/80	Vlera B	r 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		K
B 25/100	Vlera B	r 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		K

Moduli Karakteristikat t C =25 o C përveç shprehet Vërtetë

ndryshe	Parametri	Min.	- Në rregull.	Max. - Çfarë?	Njësia
L CE	Induktiviteti i humbjes		21		nH
r CC+EE	Rezistenca e lidhes së modulit e, Larg Terminals të Chipit		1.80		mΩ
r thJC	Marrëveshja me rastin (për IGB) T) Lidhja me rastin (për D) jod)			0.149 0.206	K/W
r thCH	Kasë në Shkëmbyes (për IGBT) Kasë në Shkëmbyes (p er Diode) Kasë në Shkëmbyes (për M odule)		0.031 0.043 0.009		K/W
M	Vira e montimit:M6	3.0		6.0	N.m.
g	Pesha e Moduli		300		g