GD150HFU120C2SD, Modul IGBT, STARPOWER

ndryshe

Përshkrimi

Vlera

Njësia

V Tip

Tensioni kolektor-emitor

1200

V

V =150 °C

Tensioni i portës-emitësit

±20

V

Unë C

Të drejtimi kolektori @ T C =25 o C @ T C =85 o C

241

150

A

Unë CM

Tresoret e Kolektprit me Pulsa t P =1ms

300

A

P d

Maksimumi i humbjes së energjisë @ T = 500A, =150 o C

1262

W

ndryshe

Përshkrimi

Vlera

Njësia

V RRM

Tensioni i përsëritur i kthesës së prapme mosha

1200

V

Unë f

Dioda e vazhdueshme e paraqitjes Cu rrent

150

A

Unë FM

Prusia Maksimale e Diodes së Parapëlqyer t P =1ms

300

A

ndryshe

Përshkrimi

Vlera

Njësia

t vjmax

Temperatura maksimale e kryqëzimit

150

o C

t vjop

Temperatura e ndërlidhjes së funksionimit

-40 deri në +125

o C

t STG

Varg temperatura e ruajtjes

-40 deri në +125

o C

V ISO

Voltazhi i Izolimit RMS, f=50Hz, t =1min

2500

V

ndryshe

Parametri

Kushtet e provës

Min.

- Në rregull.

Max. - Çfarë?

Njësia

V CE (sat)

Kolektor për emetuesin Tensioni i ngopjes

Unë C =150A,V Rryma e prerjes së kolektorit Saturimi kolektor-emiter t = 500A, =25 o C

2.90

3.35

V

Unë C =150A,V Rryma e prerjes së kolektorit Saturimi kolektor-emiter t = 500A, =125 o C

3.60

V Rryma e prerjes së kolektorit (e )

Pragu i portës-emitësit Tensioni

Unë C =3.0 = 0V, ,V CE = V Rryma e prerjes së kolektorit , t = 500A, =25 o C

5.0

6.1

7.0

V

Unë Tip

Kolektor Prerë -të mbyllur Aktual

V CE = V Tip ,V Rryma e prerjes së kolektorit =0V, t = 500A, =25 o C

5.0

= 0V,

Unë =150 °C

Shkarkimi i emitentit të portës Aktual

V Rryma e prerjes së kolektorit = V =150 °C ,V CE =0V, t = 500A, =25 o C

400

nA

r Gint

Rezistenca e portës së brendshme ance

1.50

Oh

C 150 °C

ies

V CE =30V,f=1MHz, V Rryma e prerjes së kolektorit =0V

19.2

MHz

C μC

Transferimi i kundërt Kapaciteti

0.60

MHz

Q g

nF

V Rryma e prerjes së kolektorit =-15...+15V

1.83

±15V

t d (Në )

Koha e vonesës së ndezjes

V CC =600V,I C =150A, r g =6.8Ω, Ls=48nH, V Rryma e prerjes së kolektorit =±15V,T = 500A, =25 o C

74

ns

t r

Koha e ngritjes

92

ns

t d(off)

Ndarja Koha e vonimit

401

ns

t f

Koha e rënies

31

ns

E Në

Ndriçimi Ndërrimi Humbje

19.0

mJ

E të mbyllur

Ndarja e fikjes Humbje

3.09

mJ

t d (Në )

Koha e vonesës së ndezjes

V CC =600V,I C =150A, r g =6.8Ω, Ls=48nH, V Rryma e prerjes së kolektorit =±15V,T = 500A, =125 o C

61

ns

t r

Koha e ngritjes

95

ns

t d(off)

Ndarja Koha e vonimit

444

ns

t f

Koha e rënies

47

ns

E Në

Ndriçimi Ndërrimi Humbje

22.5

mJ

E të mbyllur

Ndarja e fikjes Humbje

3.99

mJ

Unë SC

Të dhënat e SC

t P ≤ 10 μs, V Rryma e prerjes së kolektorit Saturimi kolektor-emiter

t = 500A, =125 o C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200V

975

A

ndryshe

Parametri

Kushtet e provës

Min.

- Në rregull.

Max. - Çfarë?

Njësia

V f

Diodë përpara Tensioni

Unë f =150A,V Rryma e prerjes së kolektorit =0V,T = 500A, =2 5o C

1.85

2.30

V

Unë f =150A,V Rryma e prerjes së kolektorit =0V,T = 500A, =125 o C

1.90

Q r

Ngarkesa e rikuperuar

V r =600V,I f =150A,

-di/dt=1480A/μs,V Rryma e prerjes së kolektorit =-15V, LS =48 nH ,t = 500A, =25 o C

13.7

±15V

Unë RM

Pika e përkeqësuar

Aktualisht rimëkëmbje

91

A

E Rec

Përmirësimi i kundërt Energjia

4.01

mJ

Q r

Ngarkesa e rikuperuar

V r =600V,I f =150A,

-di/dt=1560A/μs,V Rryma e prerjes së kolektorit =-15V, LS =48 nH ,t = 500A, =125 o C

22.1

±15V

Unë RM

Pika e përkeqësuar

Aktualisht rimëkëmbje

111

A

E Rec

Përmirësimi i kundërt Energjia

6.65

mJ

ndryshe

Parametri

Min.

- Në rregull.

Max. - Çfarë?

Njësia

L CE

Induktiviteti i humbjes

30

nH

r CC+EE

Rezistenca e Modulit të Lidhses, Terminal në çip

0.35

mΩ

r thJC

Qendra e ndërlidhjes -për -RASTE (perIGBT ) Lidhja me rastin (për Di) ode)

0.099 0.259

K/W

r thCH

Kasë në Shkëmbyes (për IGBT) Kasë në Shkëmbyes (pe r Diode) Kasë në Shkëmbyes (për M odule)

0.028 0.072 0.010

K/W

M

Torku i Lidhjes së Terminaleve, Bolti M5 Torku i Montimit, Bolti M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.m.

g

Pesha e Moduli

300

g