Модуль IGBT, 4500В 2000А, Сборник для прессы, с FWD
Особенности
Приложения
максимальный номинальной ценности
Параметр |
Символ |
условия |
стоимость |
единица |
Напряжение коллектор-эмиттер |
vCES |
vGE=0V,tvj=25°c |
4500 |
v |
Коллектор постоянного тока Сюдаренты |
Яc |
tc=100°С, Тvj=125°c |
2000 |
A |
Пиковый коллекторный ток |
Ясм |
tp=1 мс |
4000 |
A |
Врата-излучатель напряжение |
vГЭС |
|
±20 |
v |
в целом Энергия рассеивание |
p- Да. |
tc=25°С, Тvj=125°c |
20800 |
w |
dc Вперед Cuренты |
Яf |
|
2000 |
A |
Пик Вперед Curарендная плата |
ЯФРМ |
tp=1 мс |
4000 |
A |
Перегонный ток |
ЯФСМ |
vr=0V,Tvj=125°В, tp= 10 мс, полусинусовая волна |
14000 |
A |
IGBT короткозамыкание SOA |
tпсц |
vСк.= 3400В,vСМК чип≤ 4500 В vGE≤ 15 В,Тvj≤ 125°c |
10 |
μs |
Максимальное соединениетемпература |
tvj(Максимальное) |
|
125 |
°C |
Переходный пункт Рабочая температура |
tvj(Оп) |
|
-40 ~ 125 |
°C |
Температура корпуса |
tc |
|
-40 ~ 125 |
°C |
температура хранения |
tСТГ |
|
-40 ~ 70 |
°C |
Сила установки |
fm |
|
60 ~ 75 |
Кн |
Значения характеристик IGBT
Параметр |
Символ |
условия |
стоимость |
единица |
|||
минуты. |
Тип. |
Макс. |
|||||
Напряжение отключения коллектора-излучателя |
V ((BR) CES |
ВЭГ=0В, IC=10mA, Tvj=25°C |
4500 |
|
|
v |
|
Напряжение насыщения коллектора-эмиттера |
VCE(sat) |
IC=2000A, VGE=15V |
Tvj=25°C |
|
2.70 |
3.05 |
v |
Tvj=125°C |
|
3.35 |
3.85 |
v |
|||
Ограничительный ток коллектора-излучателя |
ICES |
ВЭС=4500В, ВГЭ=0В |
Tvj=25°C |
|
|
1 |
Мамочка |
Tvj=125°C |
|
15 |
100 |
Мамочка |
|||
Ток утечки излучателя врат |
IGES |
ВЭС=0В, ВГЭ=±20В, Tvj=125°С |
-500 |
|
500 |
- Нет |
|
Пороговое напряжение выпускателя |
VGE (th) |
IC=320mA, VCE=VGE, Tvj=25°C |
6.7 |
|
7.7 |
v |
|
Сбор за вход |
Главный офис |
IC=2000A, VCE=2800V, VGE=-15V~+15V |
|
10 |
|
μC |
|
Входной пропускной способностью |
- Да, конечно. |
ВЭС=25В, ВГЭ=0В, f=500кГц, Tvj=25°С |
|
213 |
|
НФ |
|
Выходной объем |
Коэ |
|
15.3 |
|
НФ |
||
Капацитет обратной передачи |
Крес |
|
4.7 |
|
НФ |
||
Сопротивление внутреннего воротника |
RGint |
|
|
0 |
|
О |
|
Время задержки включения |
td(on) |
IC=2000A, VCE=2800В, VGE=±15В, RGon=1,8Ω, RGoff=8,2Ω, Cge=330nF, LS=140nH, Индукционная нагрузка |
Tvj=25°C |
|
1100 |
|
NS |
Tvj=125°C |
|
900 |
|
NS |
|||
Время нарастания |
tr |
Tvj=25°C |
|
400 |
|
NS |
|
Tvj=125°C |
|
450 |
|
NS |
|||
Время задержки выключения |
td(off) |
Tvj=25°C |
|
3800 |
|
NS |
|
Tvj=125°C |
|
4100 |
|
NS |
|||
Время спада |
Тф |
Tvj=25°C |
|
1200 |
|
NS |
|
Tvj=125°C |
|
1400 |
|
NS |
|||
Включение переменной энергии |
EON |
Tvj=25°C |
|
14240 |
|
МГ |
|
Tvj=125°C |
|
15730 |
|
МГ |
|||
Выключение переменной энергии |
EOFF |
Tvj=25°C |
|
6960 |
|
МГ |
|
Tvj=125°C |
|
8180 |
|
МГ |
|||
Короткое замыкание |
Иск |
ВЭГ≤15В, tpsc≤10μs, ВЦК=3400В, Tvj=125°C ВЭМ CHIP≤4500В |
|
8400 |
|
A |
Характеристические значения диодов
Параметр |
Символ |
условия |
стоимость |
Объединение |
|||
минуты. |
Тип. |
Макс. |
|||||
Напряжение вперед |
VF |
ИФ=2000А |
Tvj=25°C |
|
2.60 |
|
v |
Tvj=125°C |
|
2.85 |
|
v |
|||
Обратный рекуперационный ток |
Irr |
Если = 2000A, VR = 2800V, VGE = 15V, RGon = 1,8Ω, LS = 140nH, Индукционная нагрузка |
Tvj=25°C |
|
1620 |
|
A |
Tvj=125°C |
|
1970 |
|
A |
|||
Сбор за возврат средств |
Qrr |
Tvj=25°C |
|
1750 |
|
uC |
|
Tvj=125°C |
|
2700 |
|
uC |
|||
Время восстановления |
trr |
Tvj=25°C |
|
4.0 |
|
Мы |
|
Tvj=125°C |
|
5.1 |
|
Мы |
|||
Убытки энергии обратной рекуперации |
Erec |
Tvj=25°C |
|
2350 |
|
МГ |
|
Tvj=125°C |
|
3860 |
|
МГ |
Наша профессиональная команда продаж ждет вашей консультации.
Вы можете следить за их списком продуктов и задавать любые вопросы, которые вас интересуют.