Особенности
Типичное применение
Максимальные номинальные значения
Параметр |
Символ |
условия |
mв |
max |
единица |
Напряжение коллектор-эмиттер |
VCES |
VGE=0V,Tvj≥25°C |
|
3300 |
v |
dc Коллекторный ток |
- Да. |
TC =80 °C |
|
1200 |
A |
Пиковый коллекторный ток |
МКК |
tp =1ms,Tc=80°C |
|
2400 |
A |
Напряжение затвора эмиттера |
VGE |
|
-20 |
20 |
v |
Общая рассеиваемость мощности |
Ptot |
TC =25°C, на переключение(IGBT) |
|
10500 |
w |
Прямой ток |
если |
|
|
1200 |
A |
Пиковый переходный ток |
IFRM |
tp = 1 ms |
|
2400 |
A |
Перегонный ток |
МФСМ |
VR = 0 V, Tvj = 125 °C, tp = 10 ms, полусинусоида |
|
9000 |
A |
IGBT короткозамыкание SOA |
tpsc |
VCC = 2500 V, VCEM CHIP ≤ 3300V VGE ≤ 15 V, Tvj ≤ 125 °C |
|
10 |
μs |
Изоляционное напряжение |
Visol |
1 мин, f = 50 Гц |
|
10200 |
v |
температура соединения |
Телевидение |
|
|
150 |
°c |
Рабочая температура развязки |
Телевидение |
|
-50 |
125 |
°c |
Температура корпуса |
tc |
|
-50 |
125 |
°c |
температура хранения |
ТСТГ |
|
-50 |
125 |
°c |
Монументы установки |
M s |
База-радиатор, винты M6 |
4 |
6 |
nm |
Mt1 |
Главные клеммы, винты M8 , |
8 |
10 |
||
Mt2 |
Вспомогательные клеммы, винты M6 |
2 |
3 |
Характеристика IGBT
Параметр |
Символ |
условия |
минуты |
тип |
Максимальное |
единица |
|
Напряжение пробоя коллектора (- эмиттера) |
V ((BR) CES |
VGE = 0 V, IC= 12 mA, Tvj = 25 °C
|
3300 |
|
|
v |
|
Напряжение насыщения коллектора эмиттера |
VCE sat |
C = 1200 A, VGE= 15 V |
Tvj=25°C |
|
3.1 |
3.4 |
v |
Tvj=125°C |
|
3.8 |
4.3 |
v |
|||
Коллектор отключен |
ICES |
VCE = 3300 В, VGE = 0 В |
Tvj=25°C |
|
|
12 |
Мамочка |
Tvj=125°C |
|
|
120 |
Мамочка |
|||
Ток утечки затвора |
IGES |
VCE = 0 В, VGE = ± 20 В, Tvj =125 °C |
-500 |
|
500 |
- Нет |
|
Пороговое напряжение выпускателя |
VGE (th) |
IC =240мА,VCE =VGE,Tvj =25°C |
5.5 |
|
7.5 |
v |
|
Сбор за вход |
Главный офис |
IC =1200 A VCE =1800В VGE = -15В ..15 В |
|
12.1 |
|
МК |
|
Входной пропускной способностью |
- Да, конечно. |
VCE = 25 В, V GE = 0 В, f = 1 МГц, Tvj = 25 °C |
|
187 |
|
НФ |
|
Выходной объем |
Коэ |
|
11.57 |
|
НФ |
||
Капацитет обратной передачи |
Крес |
|
2.22 |
|
НФ |
||
Время задержки включения |
td(on) |
VCC = 1800 В, IC = 1200A, RG = 3.9Ω ,VGE =±15В L σ = 280нГн, индуктивная нагрузка |
Tvj=25°C |
|
750 |
|
NS |
Tvj=125°C |
|
750 |
|
NS |
|||
Время нарастания |
tr |
Tvj=25°C |
|
400 |
|
NS |
|
Tvj=125°C |
|
470 |
|
NS |
|||
Время задержки выключения |
td(off) |
Tvj=25°C |
|
1600 |
|
NS |
|
Tvj=125°C |
|
1800 |
|
NS |
|||
Время спада |
Тф |
||||||
Tvj=25°C |
|
1100 |
|
NS |
|||
Tvj=125°C |
|
1200 |
|
NS |
|||
Потери при включении |
EON |
Tvj=25°C |
|
1400 |
|
МГ |
|
Tvj=125°C |
|
1800 |
|
МГ |
|||
Энергия потерь при переключении отключения |
EOFF |
Tvj=25°C |
|
1300 |
|
МГ |
|
Tvj=125°C |
|
1700 |
|
МГ |
|||
Короткое замыкание |
Иск |
VCC = 2500 В, VGE = 15В, L σ = 280нГн, индуктивная нагрузка |
|
5000 |
|
A |
Характеристика диода
Параметр |
Символ |
условия |
минуты |
тип |
Максимальное |
единица |
|
Напряжение вперед |
VF |
IF = 1200 A |
Tvj = 25 °C |
|
2.3 |
2.6 |
v |
Tvj = 125 °C |
|
2.35 |
2.6 |
v |
|||
Обратный рекуперационный ток |
Irr |
VCC= 1800 В, IC= 1200 A, RG=2.3Ω ,VGE=±15В, L σ = 280нГн,индуктивная нагрузка |
Tvj = 25 °C |
|
900 |
|
A |
Tvj = 125 °C |
|
1000 |
|
A |
|||
Восстановленная зарядка |
Qrr |
Tvj = 25 °C |
|
700 |
|
МК |
|
Tvj = 125 °C |
|
1000 |
|
МК |
|||
Время восстановления |
trr |
Tvj = 25 °C |
|
850 |
|
NS |
|
Tvj = 125 °C |
|
2200 |
|
NS |
|||
Энергия обратной рекуперации |
Erec |
Tvj = 25 °C |
|
850 |
|
МГ |
|
Tvj = 125 °C |
|
1300 |
|
МГ |
Наша профессиональная команда продаж ждет вашей консультации.
Вы можете следить за их списком продуктов и задавать любые вопросы, которые вас интересуют.