ключ параметры
|
vCES |
3300 v |
|
vCE(сидел) |
(тип) 2.40 v |
|
Яc |
(максимум) 1000 A |
|
ЯC(RM) |
(максимум) 2000 A |
Типичные приложения
Типичные приложения
Абсолютный максимальный рейтинг
|
(Символ) |
(Параметр) |
(Условия испытаний) |
(значение) |
(Ед.) |
|
VCES |
Напряжение коллектор-эмиттер |
VGE = 0V, TC= 25 °C |
3300 |
v |
|
VGES |
Напряжение затвор-эмиттер |
TC= 25 °C |
± 20 |
v |
|
I C |
Ток коллектор-эмиттер |
TC = 95 °C |
1000 |
A |
|
IC(PK) |
Пиковый коллекторный ток |
t P= 1ms |
2000 |
A |
|
P max |
Максимальная мощность рассеяния транзистора |
Tvj = 150°C, TC = 25 °C |
10.4 |
КВ |
|
I 2t |
Диод I2t |
VR =0V, t P = 10ms, Tvj = 150 °C |
320 |
kA2s |
|
Visol |
Напряжение изоляции – на модуль |
Общие выводы к основанию), AC RMS,1 мин, 50Hz,TC= 25 °C |
6000 |
v |
|
Q PD |
Частичное разряд – на модуль |
IEC1287. V 1 = 3500V, V 2 = 2600V, 50Hz RMS, TC= 25 °C |
10 |
pc |
Электрические характеристики
|
(Символ) |
(Параметр) |
(Условия испытаний) |
(мин) |
(тип) |
(максимум) |
(Единица) |
|
|
I CES |
Ток отсечения коллектора |
VGE = 0V,VCE = VCES |
|
|
1 |
Мамочка |
|
|
VGE = 0V, VCE = VCES , TC= 125 ° C |
|
|
60 |
Мамочка |
|||
|
VGE = 0V, VCE = VCES , TC= 150 ° C |
|
|
100 |
Мамочка |
|||
|
I GES |
Ток утечки затвора |
VGE = ±20V, VCE = 0V |
|
|
1 |
μA |
|
|
VGE (TH) |
Напряжение порога затвора |
I C= 80mA, VGE= VCE |
5.50 |
6.10 |
7.00 |
v |
|
|
VCE |
(*1) (св.) |
Насыщение коллектор-эмиттер напряжение |
VGE= 15V, I C= 1000A |
|
2.40 |
2.90 |
v |
|
VGE= 15V, I C= 1000A,Tvj = 125 ° C |
|
2.95 |
3.40 |
v |
|||
|
VGE= 15V, I C= 1000A,Tvj = 150 ° C |
|
3.10 |
3.60 |
v |
|||
|
I F |
Диодный прямой ток |
dc |
|
1000 |
|
A |
|
|
I FRM |
Максимальный проходный ток диоды |
t P = 1ms |
|
2000 |
|
A |
|
|
VF(*1) |
Прямое напряжение диода |
I F= 1000A |
|
2.10 |
2.60 |
v |
|
|
I F= 1000A, Tvj= 125 ° C |
|
2.25 |
2.70 |
v |
|||
|
I F= 1000A, Tvj= 150 ° C |
|
2.25 |
2.70 |
v |
|||
|
C ies |
Входной пропускной способностью |
VCE= 25V, VGE= 0V, f = 1MHz |
|
170 |
|
НФ |
|
|
Q g |
Сбор за вход |
± 15 В |
|
17 |
|
μC |
|
|
C res |
Капацитет обратной передачи |
VCE= 25V, VGE= 0V, f = 1MHz |
|
4 |
|
НФ |
|
|
L M |
Индуктивность модуля |
|
|
15 |
|
НН |
|
|
R INT |
Сопротивление внутреннего транзистора |
|
|
165 |
|
μΩ |
|
|
I SC |
Ток короткого замыкания, ISC |
Tvj = 150° C, VCC = 2500V, VGE≤15V, tp≤10μs, VCE(макс) = VCES – L (*2)×di/dt, IEC 6074-9 |
|
3900 |
|
A |
|
|
td(off) |
Время задержки выключения |
I C =1000A VCE =1800В C GE = 220нФ L ~ 150нГ VGE = ±15В RG(ON) = 1.5Ω RG(OFF)= 2.2Ω |
|
1800 |
|
NS |
|
t f |
Время спада |
|
530 |
|
NS |
|
|
E OFF |
Потеря энергии при выключении |
|
1600 |
|
МГ |
|
|
td(on) |
Время задержки включения |
|
680 |
|
NS |
|
|
t r |
Время нарастания |
|
320 |
|
NS |
|
|
EON |
Потеря энергии при включении |
|
1240 |
|
МГ |
|
|
Q rr |
Заряд обратного восстановления диода |
I F =1000A VCE =1800В diF/dt =3300A/мкс |
|
780 |
|
μC |
|
I rr |
Ток обратного восстановления диода |
|
810 |
|
A |
|
|
E rec |
Энергия обратного восстановления диода |
|
980 |
|
МГ |
|
|
td(off) |
Время задержки выключения |
I C =1000A VCE =1800В C GE = 220нФ L ~ 150нГ VGE = ±15В RG(ON) = 1.5Ω RG(OFF)= 2.2Ω |
|
1940 |
|
NS |
|
t f |
Время спада |
|
580 |
|
NS |
|
|
E OFF |
Потеря энергии при выключении |
|
1950 |
|
МГ |
|
|
td(on) |
Время задержки включения |
|
660 |
|
NS |
|
|
t r |
Время нарастания |
|
340 |
|
NS |
|
|
EON |
Потеря энергии при включении |
|
1600 |
|
МГ |
|
|
Q rr |
Заряд обратного восстановления диода |
I F =1000A VCE =1800В diF/dt =3300A/мкс |
|
1200 |
|
μC |
|
I rr |
Ток обратного восстановления диода |
|
930 |
|
A |
Наша профессиональная команда продаж ждет вашей консультации.
Вы можете следить за их списком продуктов и задавать любые вопросы, которые вас интересуют.
EN
