1700В

(Символ)

(Параметр)

(Условия испытаний)

(значение)

(Единица)

VCES

Напряжение коллектор-эмиттер

V GE = 0V, TC= 25。c

1700

v

V GES

Напряжение затвор-эмиттер

TC= 25。c

± 20

v

I C

Ток коллектор-эмиттер

TC  = 80。c

800

A

I C(PK)

Пиковый коллекторный ток

t P=1ms

1600

A

P max

Максимальная мощность рассеяния транзистора

Tvj  = 150。C, TC = 25。c

6.94

КВ

I 2t

Диод I 2t

VR =0V, t P = 10ms, Tvj = 125。c

120

kA2s

Visol

Напряжение изоляции – на модуль

(Общие терминалы к основанию),

AC RMS,1 мин, 50Hz,TC= 25。c

4000

v

Q PD

Частичное разряд – на модуль

IEC1287. V 1 = 1800V, V2 = 1300V, 50Hz RMS, TC= 25。c

10

pc

(Символ)

 (Параметр)

(Условия испытаний)

(минуты)

(тип)

(Максимальное)

(единица)

I CES

Ток отсечения коллектора

V GE = 0V,VCE  = VCES

1

Мамочка

V GE = 0V, VCE  = VCES , TC=125 ° C

25

Мамочка

I GES

Ток утечки затвора

V GE = ±20V, VCE  = 0V

4

μA

V GE (TH)

Напряжение порога затвора

I C = 40mA, V GE = VCE

5.00

5.70

6.50

v

VCE (sat)(*1)

Напряжение насыщения коллектора-эмиттера

V GE =15V, I C  = 800A

2.30

2.60

v

V GE =15V, I C  = 800A,Tvj = 125 ° C

2.80

3.10

v

I F

Диодный прямой ток

直流dc

800

A

I FRM

Максимальный проходный ток диоды

t P = 1мс

1600

A

VF(*1)

Прямое напряжение диода

I F = 800A

1.70

2.00

v

I F = 800A, Tvj  = 125 ° C

1.80

2.10

v

C ies

Входной пропускной способностью

VCE = 25В, V GE  = 0В, f = 1МГц

60

НФ

Q g

Сбор за вход

± 15 В

9

μC

C res

Капацитет обратной передачи

VCE = 25В, V GE  = 0В, f = 1МГц

-

НФ

L M

Индуктивность модуля

20

НН

R INT

Сопротивление внутреннего транзистора

270

μΩ

I SC

Ток короткого замыкания, ISC

Tvj = 125° C, VCC  = 1000V,

V GE ≤15V, tp ≤10μs,

VCE(max) = VCES – L (*2)×di/dt,

IEC 6074-9

3700

A

td(off)

Время задержки выключения

I C =800A

VCE =900V

L ~ 100nH

V GE = ±15В

RG(ON) = 2.2Ω

RG(OFF)= 2.2Ω

890

NS

t f

Время спада

220

NS

E OFF

Потеря энергии при выключении

220

МГ

td(on)

Время задержки включения

320

NS

t r

Время нарастания

190

NS

EON

Потеря энергии при включении

160

МГ

Q rr

Заряд обратного восстановления диода

I F = 800A

VCE = 900В

diF/dt =4000A/us

260

μC

I rr

Ток обратного восстановления диода

510

A

E rec

Энергия обратного восстановления диода

180

МГ

td(off)

Время задержки выключения

I C =800A

VCE =900V

L ~ 100nH

V GE = ±15В

RG(ON) = 2.2Ω

RG(OFF)= 2.2Ω

980

NS

t f

Время спада

280

NS

E OFF

Потеря энергии при выключении

290

МГ

td(on)

Время задержки включения

400

NS

t r

Время нарастания

250

NS

EON

Потеря энергии при включении

230

МГ

Q rr

Заряд обратного восстановления диода

I F = 800A

VCE = 900В

diF/dt =4000A/us

420

μC

I rr

Ток обратного восстановления диода

580

A

E rec

Энергия обратного восстановления диода

280

МГ