TG1800HF17H1-S500, Модуль IGBT, Полумост IGBT, CRRC

符号 Символ

参数名称 Параметр

тест условия

Условия испытаний

Число значение

单位 единица

В CES

集电极 -Эмиттерное напряжение

Напряжение коллектор-эмиттер

В GE указано т C = 25 °C

1700

В

В ГЭС

Затвор -Эмиттерное напряжение

Напряжение затвор-эмиттер

т C = 25 °C

± 20

В

Я C

集电极电流 (включая электрический ток)

Ток коллектор-эмиттер

т C = 85 °C, т vj макс = 175°C

1800

A

Я C(PK)

集电极峰值电流 (сводный электрический ток)

Пиковый коллекторный ток

т Р =1 мс

3600

A

Р макс

Максимальная потеря в транзисторе

Максимальная мощность рассеяния транзистора

т vj = 175°C, т C = 25 °C

9.38

КВт

Я 2т

диод Я 2т 值 Диод Я 2т

В R =0V, т Р = 10 мс, т vj = 175 °C

551

кА 2s

В Изолированный

绝缘电压 (模块 )

Изоляция Напряжение - на Модуль

短接 все узлы, узлы и основы между ними ( Соединительный вывод с до основная плата ) переменный ток RMS1 минимум 50 Гц, т C = 25 °C

4000

В

参数 Символ

Описание

Объяснение

值 значение

单位 единица

Дистанция пробоя

Расстояние ползания

Клемма -Радиатор

Клемма к Радиатор

36.0

мм

Клемма -Клемма

Терминал к терминалу

28.0

мм

Изоляционный зазор Распродажа

Клемма -Радиатор

Клемма к Радиатор

21.0

мм

Клемма -Клемма

Терминал к терминалу

19.0

мм

Относительный индекс утечки тока из-за загрязнений

CTI (Comparative Tracking Index)

>400

符号 Символ

参数名称 Параметр

тест условия

Условия испытаний

最小值 Мин.

典型值 Тип.

Максимальное значение Макс.

单位 единица

R th ((j-c) IGBT

IGBT Тепловое сопротивление кристалл-оболочка

Термальный сопротивление – IGBT

16

K / КВт

R th ((j-c) Диод

Тепловое сопротивление кристалла диода

Термальный сопротивление – Диод

33

K / КВт

R th ((c-h) IGBT

Тепловое сопротивление контакта (IGBT)

Термальный сопротивление –

корпус к радиатору (IGBT)

√ √ √ √ √ √ √ 5Нм, Термопаста 1Вт/м·К Момент затяжки 5Nm,

С Монтаж смазка 1Вт/м·К

14

K / КВт

R th ((c-h) Диод

Тепловое сопротивление контакта (Диод)

Термальный сопротивление –

корпус к радиатору (Диод)

√ √ √ √ √ √ √ 5Нм, Термопаста 1Вт/м·К Момент затяжки 5Nm,

С Монтаж смазка 1Вт/м·К

17

K / КВт

т vjop

рабочий период

Рабочий переход Температура

IGBT чип ( IGBT )

-40

150

°C

диодный чип ( Диод )

-40

150

°C

т СТГ

Температура хранения

Диапазон температур хранения

-40

150

°C

м

√ √ √ √ √ √ √

Момент затяжки

Для установки и крепления – М5 Монтаж – М5

3

6

Нм

Для межсоединения цепей – M4

Электрические соединения – M4

1.8

2.1

Нм

Для межсоединения цепей – М8

Электрические соединения – М8

8

10

Нм

符号 Символ

参数名称 Параметр

тест условия

Условия испытаний

最小值 Мин.

典型值 Тип.

Максимальное значение Макс.

单位 единица

R th ((j-c) IGBT

IGBT Тепловое сопротивление кристалл-оболочка

Термальный сопротивление – IGBT

16

K / КВт

R th ((j-c) Диод

Тепловое сопротивление кристалла диода

Термальный сопротивление – Диод

33

K / КВт

R th ((c-h) IGBT

Тепловое сопротивление контакта (IGBT)

Термальный сопротивление –

корпус к радиатору (IGBT)

√ √ √ √ √ √ √ 5Нм, Термопаста 1Вт/м·К Момент затяжки 5Nm,

С Монтаж смазка 1Вт/м·К

14

K / КВт

R th ((c-h) Диод

Тепловое сопротивление контакта (Диод)

Термальный сопротивление –

корпус к радиатору (Диод)

√ √ √ √ √ √ √ 5Нм, Термопаста 1Вт/м·К Момент затяжки 5Nm,

С Монтаж смазка 1Вт/м·К

17

K / КВт

т vjop

рабочий период

Рабочий переход Температура

IGBT чип ( IGBT )

-40

150

°C

диодный чип ( Диод )

-40

150

°C

т СТГ

Температура хранения

Диапазон температур хранения

-40

150

°C

м

√ √ √ √ √ √ √

Момент затяжки

Для установки и крепления – М5 Монтаж – М5

3

6

Нм

Для межсоединения цепей – M4

Электрические соединения – M4

1.8

2.1

Нм

Для межсоединения цепей – М8

Электрические соединения – М8

8

10

Нм

符号 Символ

参数名称 Параметр

тест условия

Условия испытаний

最小值 Мин.

典型值 Тип.

Максимальное значение Макс.

单位 единица

R 25

номинальное сопротивление

Номинальный сопротивление

т C = 25 °C

5

кΩ

△ R /R

R100 отклонение

Отклонение от R100

т C = 100 °C, R 100=493Ω

-5

5

%

Р 25

рассеиваемая мощность

Диссипация мощности

т C = 25 °C

20

мВт

B 25/50

В- 值

B-значение

R 2 = R 25Эксп [B 25/50 (1/T 2 - 1/(298.15 K))]

3375

к

B 25/80

В- 值

B-значение

R 2 = R 25Эксп [B 25/80 (1/T 2 - 1/(298.15 K))]

3411

к

B 25/100

В- 值

B-значение

R 2 = R 25Эксп [B 25/100 (1/T 2 - 1/(298.15 K))]

3433

к

符号 Символ

参数名称 Параметр

条件

Условия испытаний

最小值 Мин.

典型值 Тип.

Максимальное значение Макс.

单位 единица

Я CES

集电极截止电流 (объединение электрического потока)

Ток отсечения коллектора

В GE указано В СЕ = В CES

1

mA

В GE указано В СЕ = В CES , т vj =150 °C

40

mA

В GE указано В СЕ = В CES , т vj =175 °C

60

mA

Я ГЭС

极漏电流 (очень пропускной)

Врата ток утечки

В GE Утечка затвора В СЕ = 0V

0.5

μA

В GE = 0V

Затвор -Напряжение порога эмиттера Напряжение порога затвора

Я C = 60mA, В GE = В СЕ

5.1

5.7

6.3

В

В СЕ (вкл) = 40

集电极 -Напряжение насыщения эмиттера

Насыщение коллектор-эмиттер

Напряжение

В GE =15В, Я C = 1800A

1.70

В

В GE =15В, Я C = 1800A, т vj = 150 °C

2.10

В

В GE =15В, Я C = 1800A, т vj = 175 °C

2.15

В

Я F

Прямой постоянный ток диода Диодный прямой ток

Постоянный ток

1800

A

Я ФРМ

Повторяющийся пик прямого тока диода Диод пиковый прямой ток нт

т Р = 1мс

3600

A

В F = 40

Прямое напряжение диода

Прямое напряжение диода

Я F = 1800A, В GE = 0

1.60

В

Я F = 1800A, В GE = 0, т vj = 150 °C

1.75

В

Я F = 1800A, В GE = 0, т vj = 175 °C

1.75

В

Я SC

Ток короткого замыкания

Короткое замыкание ток

т vj = 175°C, В CC = 1000V, В GE ≤ 15V, т Р ≤ 10μs,

В CE(макс) = В CES – Л (*2) ×di/dt, IEC 60747-9

7400

A

C ies

Входной пропускной способностью

В СЕ Максимальный прямой диод В GE указано F = 100KHZ

542

НФ

Q g

极电荷

Сбор за вход

± 15 В

23.6

μC

C res

Вратная мощность передачи

Капацитет обратной передачи

В СЕ Максимальный прямой диод В GE указано F = 100KHZ

0.28

НФ

Л sCE

Модульная паразитная индуктивность

Module stray inducta - Не

8.4

nH

R CC + EE ’

Сопротивление выводов модуля, терминалы -чип м odule lead Сопротивление, terminal-chip

На каждый ключ

per switch

0.20

мОм

R Гинт

Внутреннее сопротивление затвора

Внутренний затвор Резистор

1

Ω

符号 Символ

参数名称 Параметр

тест условия

Условия испытаний

最小值 Мин.

典型值 Тип.

Максимальное значение Макс.

单位 единица

т d(off)

Задержка отключения

Время задержки выключения

Я C =1800A,

В СЕ = 900В,

В GE = ± 15V, R G(OFF) = 0.5Ом, Л s = 25нГн,

Г В ∕dt =3800В∕μс (т vj = 150 °C).

т vj = 25 °C

1000

NS

т vj = 150 °C

1200

т vj = 175 °C

1250

т F

Снижение времени Время спада

т vj = 25 °C

245

NS

т vj = 150 °C

420

т vj = 175 °C

485

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Потери при отключении

Потеря энергии при выключении

т vj = 25 °C

425

mJ

т vj = 150 °C

600

т vj = 175 °C

615

т d(on)

开通延迟时间

Время задержки включения

Я C =1800A,

В СЕ = 900В,

В GE = ± 15V, R G(ON) = 0.5Ом, Л s = 25нГн,

Г Я ∕dt = 8500А∕μс (т vj = 150 °C).

т vj = 25 °C

985

NS

т vj = 150 °C

1065

т vj = 175 °C

1070

т R

Увеличивается время Время нарастания

т vj = 25 °C

135

NS

т vj = 150 °C

205

т vj = 175 °C

210

е НА

Потери при включении

Энергия включения Потеря

т vj = 25 °C

405

mJ

т vj = 150 °C

790

т vj = 175 °C

800

Q РР

Обратный восстанавливающий заряд диода Диод Обратный

Заряд восстановления

Я F =1800A, В СЕ = 900В,

- d Я F /dt = 8500А∕μс (т vj = 150 °C).

т vj = 25 °C

420

μC

т vj = 150 °C

695

т vj = 175 °C

710

Я РР

Обратный восстанавливающий ток диода Диод Обратный

Ток восстановления

т vj = 25 °C

1330

A

т vj = 150 °C

1120

т vj = 175 °C

1100

е rec

Потери обратного восстановления диода Диод Обратный

Энергия восстановления

т vj = 25 °C

265

mJ

т vj = 150 °C

400

т vj = 175 °C

420