TG1400HF17H1-S300,IGBT Модуль,Полумостовой IGBT,CRRC

Символ

Параметр

Условия испытаний

Значение

Единица

VCES

Напряжение коллектор-эмиттер

VGE = 0V, TC= 25 °C

1700

В

VGES

Напряжение затвор-эмиттер

TC= 25 °C

± 20

В

Ic

Ток коллектор-эмиттер

TC = 65 °C

1400

A

IC(PK)

集电极峰值电流 (сводный электрический ток)

Пиковый коллекторный ток

tP=1ms

2800

A

Pmax

Максимальная мощность рассеяния транзистора

Tvj = 150°C, TC = 25 °C

6.25

кВт

I2t

Диод I2t

VR =0V, tP = 10ms, Tvj = 150 °C

145

kA2s

Visol

Напряжение изоляции - на модуль

Общие терминалы к основанию), AC RMS, 1 мин, 50 Гц, TC= 25 °C

4000

В

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

ICES

Ток отсечения коллектора

VGE = 0V, VCE = VCES

1

mA

VGE = 0V, VCE = VCES, TC=125 °C

20

mA

VGE = 0V, VCE = VCES, TC=150 °C

30

mA

IGES

Ток утечки затвора

VGE = ±20V, VCE = 0V

0.5

μA

VGE (TH)

Напряжение порога затвора

IC = 30mA, VGE = VCE

5.00

6.00

7.00

В

VCE (sat)(*1)

Насыщение коллектор-эмиттер напряжение

ВЭГ = 15В, ИК = 1400А

2.00

2.40

В

ВЭГ = 15В, ИС = 1400А, Tvj = 125 °C

2.45

2.70

В

ВЭГ = 15В, IC = 1400А, Tvj = 150 °C

2.55

2.80

В

IF

Диодный прямой ток

Постоянный ток

1400

A

IFRM

Пиковое течение диоды вперед

tP = 1ms

2800

A

VF(*1)

Прямое напряжение диода

Если = 1400A, VGE = 0

1.80

2.20

В

IF = 1400A, VGE = 0, Tvj = 125 °C

1.95

2.30

В

IF = 1400A, VGE = 0, Tvj = 150 °C

2.00

2.40

В

Isc

Короткое замыкание

Tvj = 150°C, VCC = 1000V, VGE ≤15V, tp ≤10μs,

VCE(max) = VCES – L(*2) ×di/dt, IEC 6074-9

5400

A

- Да, конечно.

Входной пропускной способностью

VCE = 25V, VGE = 0V, f = 100kHz

113

нФ

Главный офис

Сбор за вход

± 15 В

11.7

μC

Крес

Капацитет обратной передачи

VCE = 25V, VGE = 0V, f = 100kHz

3.1

нФ

LM

Индуктивность модуля

10

nH

РИНТ

Сопротивление внутреннего транзистора

0.2

мОм

td(off)

Время задержки выключения

IC = 1400A,

VCE = 900В,

VGE = ±15V, RG(OFF) = 1.8Ω, LS = 20nH,

dv/dt =3000V/us (Tvj= 150 °C).

Tvj= 25 °C

1520

nS

Tvj= 125 °C

1580

Tvj= 150 °C

1600

tF

снижение времени Время спада

Tvj= 25 °C

460

nS

Tvj= 125 °C

610

Tvj= 150 °C

650

EOFF

Потеря энергии при выключении

Tvj= 25 °C

460

mJ

Tvj= 125 °C

540

Tvj= 150 °C

560

td(on)

Время задержки включения

IC = 1400A,

VCE = 900В,

VGE = ±15V, RG(ON) = 1.2Ω, LS = 20nH,

di/dt = 10000A/us (Tvj= 150 °C).

Tvj= 25 °C

400

nS

Tvj= 125 °C

370

Tvj= 150 °C

360

tr

Время нарастания

Tvj= 25 °C

112

nS

Tvj= 125 °C

120

Tvj= 150 °C

128

EON

Потеря энергии при включении

Tvj= 25 °C

480

mJ

Tvj= 125 °C

580

Tvj= 150 °C

630

Qrr

Обратный диод

заряд восстановления

IF = 1400A, VCE = 900V,

- diF/dt = 10000A/us (Tvj= 150 °C).

Tvj= 25 °C

315

μC

Tvj= 125 °C

440

Tvj= 150 °C

495

Irr

Обратный диод

ток восстановления

Tvj= 25 °C

790

A

Tvj= 125 °C

840

Tvj= 150 °C

870

Erec

Обратный диод

энергия восстановления

Tvj= 25 °C

190

mJ

Tvj= 125 °C

270

Tvj= 150 °C

290