4500В 900А
Краткое введение:
Высоковольтные одноключевые модули IGBT, произведенные CRRC. 4500В 900А.
Особенности
SPT+чипсет для низких переключающих потерь |
Низкий В CEsat |
Низкое управление мощность |
A пластина на основе lSiC для высокой мощность c циклической способности y |
Подложка AlN для низкого теплового сопротивление |
Типовой применение
Тяговые приводы |
DC чоппер |
Высоковольтные инверторы/преобразователи |
Максимальные номинальные значения
Параметр/参数 |
Символ/符号 |
Условия/条件 |
мин |
макс |
Единица |
Напряжение коллектор-эмиттер 集电极 -发射极电压 |
В CES |
В GE =0V,T vj ≥25°C |
|
4500 |
В |
Коллектор постоянного тока ток 集电极电流 (включая электрический ток) |
Я C |
Т C =80°C |
|
900 |
A |
Пиковое коллекторное ток 集电极峰值电流 (сводный электрический ток) |
Я CM |
tp=1ms,Tc=80°C |
|
1800 |
A |
Напряжение затвор-эмиттер 栅极发射极电压 |
В ГЭС |
|
-20 |
20 |
В |
Total диссипация мощности общая мощность потерь |
Р - Да. |
Т C =25°C,переключение(IGBT) |
|
8100 |
В |
Прямой ток прямой ток |
Я F |
|
|
900 |
A |
Пиковый переходный ток пиковый прямой ток |
Я ФРМ |
tP=1ms |
|
1800 |
A |
Импульс ток 浪涌电流 (Восходящий электрический поток) |
Я ФСМ |
В R =0V,T vj =125°C,tp=10ms, полусинусоидальная волна |
|
6700 |
A |
Короткое замыкание IGBT цЕПЬ SOA IGBT зона безопасной работы при коротком замыкании |
т псц |
В CC =3400V,V CEMCHIP ≤ 4500 В В GE ≤15V,Tvj≤125°C |
|
10 |
μ s |
Изоляционное напряжение 绝缘电压 |
В изолированный |
1min, f=50Hz |
|
10200 |
В |
Температура соединения 结温 |
Т vj |
|
|
150 |
℃ |
Температура работы соединения erature рабочий период |
Т vj(op) |
|
-50 |
125 |
℃ |
Температура корпуса 温 |
Т C |
|
-50 |
125 |
℃ |
Температура хранения |
Т сТГ |
|
-50 |
125 |
℃ |
Монументы установки √ √ √ √ √ √ √ |
М S |
|
4 |
6 |
Нм |
М Т 1 |
|
8 |
10 |
||
М Т 2 |
|
2 |
3 |
|
Значения характеристик IGBT
Параметр/参数 |
Символ/符号 |
Условия/条件 |
Мин |
тИП |
макс |
Единица |
|
Коллектор (- эмиттер) пробой напряжение 集电极 -发射极阻断电压 |
В (BR)CES |
В GE =0V,IC=10mA, Tvj=25°C |
4500 |
|
|
В |
|
Насыщение коллектор-эмиттер напряжение 集电极 -发射极饱和电压 |
В CEsat |
Я C =900A, В GE =15В |
Tvj= 25°C |
|
2.7 |
3.2 |
В |
Tvj=125°C |
|
3.4 |
3.8 |
В |
|||
Отключение коллектора ток 集电极截止电流 (объединение электрического потока) |
Я CES |
В СЕ =4500В, В GE =0В |
Tvj= 25°C |
|
|
10 |
mA |
Tvj=125°C |
|
|
100 |
mA |
|||
Врата ток утечки 极漏电流 (очень пропускной) |
Я ГЭС |
В СЕ =0V,V GE =20V, Т vj =125°C |
-500 |
|
500 |
нД |
|
Пороговое напряжение выпускателя 栅极发射极阀值电压 |
В ГЭ ((th) |
Я C =240mA,V СЕ =V GE , Т vj =25°C |
4.5 |
|
6.5 |
В |
|
Врата заряд 极电荷 |
Q g |
Я C =900A,V СЕ = 2800В, В GE = 15 В … 15В |
|
8.1 |
|
мК |
|
Входной пропускной способностью |
C ies |
В СЕ =25V,V GE =0V, f=1MHz,T vj =25°C |
|
105.6 |
|
нФ |
|
Выходной объем выходная мощность |
C - Да. |
|
7.35 |
|
|||
Капацитет обратной передачи обратная переходная ёмкость |
C res |
|
2.04 |
|
|||
Задержка включения время 开通延迟时间 |
т d(on) |
В CC = 2800В, Я C =900A, R G =2.2 ω , В GE =±15В, Л σ =280nH, щутственный нагрузка |
Телевидение = 25 °C |
|
680 |
|
nS |
Телевидение = 125 °C |
|
700 |
|
||||
Время нарастания увеличивается время |
т r |
Телевидение = 25 °C |
|
230 |
|
||
Телевидение = 125 °C |
|
240 |
|
||||
Время задержки выключения задержка отключения |
т г (вЫКЛЮЧЕННЫЙ ) |
Телевидение = 25 °C |
|
2100 |
|
nS |
|
Телевидение = 125 °C |
|
2300 |
|
||||
Время спада снижение времени |
т f |
Телевидение = 25 °C |
|
1600 |
|
||
Телевидение = 125 °C |
|
2800 |
|
||||
Включение переключения потеря энергии энергия потерь при включении |
Е нА |
Телевидение = 25 °C |
|
1900 |
|
mJ |
|
Телевидение =125 °C |
|
2500 |
|
||||
Выключатель потеря энергии энергия потерь при отключении |
Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Телевидение = 25 °C |
|
3100 |
|
mJ |
|
Телевидение =125 °C |
|
3800 |
|
||||
Короткое замыкание ток ток короткого замыкания |
Я SC |
т псц ≤ 10μ с, V GE =15В, Т vj = 125°C,V CC = 3400V |
|
3600 |
|
A |
Наша профессиональная команда по продажам ждет вашей консультации.
Вы можете следить за их списком продуктов и задавать любые вопросы, которые вас интересуют.