Модули диодов с быстрым восстановлением

VRRM

Тип и контур

600V

MZ100-06-210F2NA

MZ100-06-210F2NK

800V

MZ100-08-210F2NA

MZ100-08-210F2NK

1000V

MZ100-10-210F2NA

MZ100-10-210F2NK

1200В

MZ100-12-210F2NA

MZ100-12-210F2NK

1400V

MZ100-14-210F2NA

MZ100-14-210F2NK

1600V

MZ100-16-210F2NA

MZ100-16-210F2NK

1800V

MZ100-18-210F2NA

MZ100-18-210F2NK

Символ

Характеристика

Условия испытаний

Tj( ℃ )

значение

единица

мин

Тип

макс

IF(AV)

Средний прямой ток

180° полусинусоида 50Гц

Охлаждение с одной стороны, TC= 100 ℃

140

100

A

IF (среднеквадратичное значение)

Эффективный прямой ток

157

A

IRRM

Повторяющийся пиковый ток

при VRRM

140

30

mA

МФСМ

Импульсный прямой ток

10ms полусинусоидальная волна VR=0.6VRRM

140

3.5

кА

I2t

I2t для координации плавления

61

A ²s* 10 ³

VFO

Напряжение порога

140

1.05

в

rF

Сопротивление прямого наклона

1.80

мОм

VFM

Пиковое прямое напряжение

IFM=300A

25

1.90

в

trr

Время восстановления

IFM=200A, tp=4000μs, -di/dt=20A/μs, VR= 100V

140

4

μs

Rth(j-c)

Тепловое сопротивление от узла к корпусу

Одностороннее охлаждение на чип

0.200

℃ /W

Rth(c-h)

Тепловое сопротивление корпуса к радиатору

Одностороннее охлаждение на чип

0.080

℃ /W

ЧМ

Крутящий момент подключения терминала (M6)

6.0

Н·м

Крутящий момент монтажа (M6)

6.0

Н·м

Телевидение

температура соединения

-40

140

℃

ТСТГ

Хранимая температура

-40

125

℃

Вт

Вес

185

g

Основные положения

210F2