MTx820,MFx820,Модули тиристоров/диодов, Воздушное охлаждение

Введение

Краткое введение

Тиристор Диодный модуль , MTx 820 МФx 820 MT 800，820A ,Охлаждение воздухом ，Произведенный TECHSEM.

VRRM ,VDRM	ТИП & Очертание
600V	MTC820-06-416F3	MFC820-06-416F3
800V	MTC820-08-416F3	MFC820-08-416F3
1000В	MTC820-10-415F3	MFC820-10-416F3
1200В	MTC820-12-416F3	MFC820-12-416F3
1400V	MTC820-14-416F3	MFC820-14-416F3
1600V	MTC820-16-416F3	MFC820-16-416F3
1800V	MTC820-18-416F3	MFC820-18-416F3
1800V	MT820-18-416F3G

Особенности

Изолированная монтажная база 3000V~
Технология контактного давления с
Увеличенной способностью к циклам мощности
Экономия пространства и веса

Типичные применения

Двигатели двигателей СВ/ДС
Различные выпрямители
Подача постоянного тока для инверта PWM

Символ	Характеристика	Условия испытаний	Tj(℃)	значение			единица
Символ	Характеристика	Условия испытаний	Tj(℃)	мин	ТИП	макс	единица
IT(AV)	Средний ток в проводимом состоянии	180° полусинусоида 50Гц, охлаждение с одной стороны, Tc=85℃	135			820	A
IT(RMS)	Эффективный ток в состоянии включения	180。полусинусоида 50Гц	135			1287	A
Idrm Irrm	Повторяющийся пиковый ток	при VDRM при VRRM	135			120	mA
ITSM	Импульсный ток в проводимом состоянии	10 мс полусинусная волна, VR=0В	135			20.1	кА
Я ²т	I2t для координации плавления	10 мс полусинусная волна, VR=0В	135			2020	A ²s* 10 ³
VTO	Напряжение порога		135			0.81	В
ПТ	Сопротивление наклона в проводимом состоянии		135			0.24	мΩ
VTM	Пиковое напряжение в проводимом состоянии	ITM= 1500A	25			1.38	В
dv/dt	Критическая скорость нарастания напряжения в выключенном состоянии	VDM=67%VDRM	135			1000	V/μs
di/dt	Критическая скорость нарастания тока в состоянии включения	Источник затвора 1.5A tr ≤0.5μs Повторяющийся	135			200	A/μs
tgd	Время задержки, контролируемое воротами	IG= 1A dig/dt= 1A/μs	25			4	μs
Tq	Время выключения с коммутацией цепи	ITM=800A, tp=2000μs, VR =50V dv/dt=20V/μs,di/dt=-10A/μs	135		250		μs
IGT	Ток срабатывания затвора	VA= 12V, IA= 1A	25	30		250	mA
Vgt	Напряжение срабатывания затвора			0.8		3.0	В
IH	Ток удержания			10		300	mA
ИЛ	Ток захвата	IA=1A IG=1A dig/dt=1A/μs tg=30us	25			1500	mA
VGD	Напряжение затвора без срабатывания	VDM=67%VDRM	135			0.25	В
ИГД	Ток, не связанный с выключением	VDM=67%VDRM	135			5	mA
Rth(j-c)	Тепловое сопротивление от узла к корпусу	Одностороннее охлаждение на чип				0.047	℃/Вт
Rth(c-h)	Тепловое сопротивление корпуса к радиатору	Одностороннее охлаждение на чип				0.015	℃/Вт
Визо	Изоляционное напряжение	50Hz,R.M.S,t= 1мин,Iiso:1mA(МАКС)		3000			В
ЧМ	Крутящий момент подключения терминала (M10)			10.0		12.0	Н·м
ЧМ	Крутящий момент монтажа (M6)			4.5		6.0	Н·м
Телевидение	температура соединения			-40		135	℃
ТСТГ	Хранимая температура			-40		125	℃
Вт	Вес				1410		g
Основные положения	416F3