Все категории

Модули тиристора (неизолированный тип)

Модули тиристора (неизолированный тип)

главная страница /  Продукты /  Модуль тиристора/диода  /  Модули тиристора (неизолированный тип)

MTG200,MTY200,Тиристорные модули (неизолированный тип),TECHSEM

800V~1800V,213F4

Brand:
ТЕХСЕМ
Spu:
MTG200/MTY200
Appurtenance:

Брошюра продукта:СКАЧАТЬ

  • Введение
  • Основные положения
  • Схема эквивалентной цепи
Введение

Краткое введение

Модули тиристора (неизолированный тип) ,MTG200 ,MTY200 ,Произведенный TECHSEM.

VRRM,VDRM

Тип и контур

800V

1000В

1200В

1400V

1600V

1800V

MT4 МТ4 МТ4 МТ4 МТ4 МТ4 МТ4 МТ4 МТ4 МТ4 МТ4 МТ4 МТ4 МТ4 МТ4 МТ4 МТ4 МТ4 МТ4 МТ4 МТ4 МТ4 МТ4 МТ4 МТ4 МТ4 М

MFx200-08-213F4 MFx200-10-213F4 MFx200-12-213F4 MFx200-14-213F4 MFx200-16-213F4 MFx200-18-213F4

MTx - это обозначение любого типа MTG, MTY

MFx - это обозначение любого типа MFG, MFY

Особенности

  • Не изолирован. Монтаж основой как терминал анода или сстода
  • Технология контактного давления с увеличенное количество циклов мощности способность
  • Низкое напряжение в состоянии действия d ремень

Типичные применения

  • Электрическое питание для сварки
  • Различные источники постоянного тока
  • Подача постоянного тока для инверта PWM

Символ

Характеристика

Условия испытаний

Tj( )

значение

единица

мин

ТИП

макс

IT(AV)

Средний ток в проводимом состоянии

180° полусинусоида 50Гц

Одностороннее охлаждение, TC=90

125

200

A

IT(RMS)

Эффективный ток в состоянии включения

314

A

Idrm Irrm

Повторяющийся пиковый ток

при VDRM при VRRM

125

20

mA

ITSM

Импульсный ток в проводимом состоянии

VR=60%VRRM, t=10ms полусинус

125

5.2

кА

I2t

I2t для координации плавления

125

135

103A 2s

VTO

Напряжение порога

125

0.80

В

ПТ

Сопротивление наклона в проводимом состоянии

1.15

мОм

VTM

Пиковое напряжение в проводимом состоянии

ITM=600A

25

1.62

В

dv/dt

Критическая скорость нарастания напряжения в выключенном состоянии

VDM=67%VDRM

125

800

V/μs

di/dt

Критическая скорость нарастания тока в состоянии включения

Источник затвора 1.5A

tr ≤0.5μs Повторяющийся

125

100

A/μs

IGT

Ток срабатывания затвора

VA=12V, IA=1A

25

30

150

mA

Vgt

Напряжение срабатывания затвора

0.8

2.5

В

IH

Ток удержания

10

180

mA

ИЛ

Ток захвата

1000

mA

VGD

Напряжение затвора без срабатывания

VDM=67%VDRM

125

0.2

В

Rth(j-c)

Тепловое сопротивление от узла к корпусу

При 180 синус, одна сторона охлажденная на чип

0.13

/W

Rth(c-h)

Тепловое сопротивление корпуса к радиатору

При 180 ° синус, одна сторона охлажденная на чип

0.10

/W

ЧМ

Крутящий момент подключения терминала (M6)

4.5

6.0

Н·м

Крутящий момент монтажа (M6)

4.5

6.0

Н·м

Телевидение

температура соединения

-40

125

ТСТГ

Хранимая температура

-40

125

Вт

Вес

280

g

Основные положения

213F4

Основные положения

Схема эквивалентной цепи

Получить бесплатную консультацию

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Email
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000

СВЯЗАННЫЙ ПРОДУКТ

Есть вопросы по каким-либо продуктам?

Наша профессиональная команда по продажам ждет вашей консультации.
Вы можете следить за их списком продуктов и задавать любые вопросы, которые вас интересуют.

Получить предложение

Получить бесплатную консультацию

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Email
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000