MTG150, MTY150, Модули тиристоров (неизолированного типа) , TECHSEM

VRRM,VDRM

Тип и контур

800В 1000В 1200В 1400В 1600В 1800В

МТх150-08-213F4 МТх150-10-213F4 МТх150-12-213F4 МТх150-14-213F4 МТх150-16-213F4 МТх150-18-213F4

МФх150-08-213F4 МФх150-10-213F4 МФх150-12-213F4 МФх150-14-213F4 МФх150-16-213F4 МФх150-18-213F4

МТх означает любой т ип МТГ, МТУ

МФх означает любой ти п МФГ, МФУ

Символ

Характеристика

Условия испытаний

Tj( ℃ )

значение

единица

мин

ТИП

макс

IT(AV)

Средний ток в проводимом состоянии

180。полусинусоида 50Гц

Одностороннее охлаждение, TC=90 ℃

125

150

A

IT(RMS)

Эффективный ток в состоянии включения

236

A

Idrm Irrm

Повторяющийся пиковый ток

при VDRM при VRRM

125

12

mA

ITSM

Импульсный ток в проводимом состоянии

VR=60%VRRM, t=10ms полусинус

125

3.9

кА

I2t

I2t для координации плавления

125

76

10³A ²s

VTO

Напряжение порога

125

0.80

В

ПТ

Сопротивление наклона в проводимом состоянии

1.74

мОм

VTM

Пиковое напряжение в проводимом состоянии

ITM=450A

25

1.67

В

dv/dt

Критическая скорость нарастания напряжения в выключенном состоянии

VDM=67%VDRM

125

800

V/μs

di/dt

Критическая скорость нарастания тока в состоянии включения

Источник затвора 1.5A

tr ≤0.5μs Повторяющийся

125

100

A/μs

IGT

Ток срабатывания затвора

VA=12V, IA=1A

25

30

100

mA

Vgt

Напряжение срабатывания затвора

0.8

2.5

В

IH

Ток удержания

10

180

mA

ИЛ

Ток захвата

1000

mA

VGD

Напряжение затвора без срабатывания

VDM=67%VDRM

125

0.20

В

Rth(j-c)

Тепловое сопротивление от узла к корпусу

При 180 ° синус, одна сторона охлажденная на чип

0.16

℃ /W

Rth(c-h)

Тепловое сопротивление корпуса к радиатору

При 180 ° синус, одна сторона охлажденная на чип

0.10

℃ /W

ЧМ

Крутящий момент подключения терминала (M6)

4.5

6.0

Н·м

Крутящий момент монтажа (M6)

4.5

6.0

Н·м

Телевидение

температура соединения

-40

125

℃

ТСТГ

Хранимая температура

-40

125

℃

Вт

Вес

280

g

Основные положения

213F4