MTC200,Модуль сварочного тиристорного выпрямителя,Воздушное охлаждение

VDRM, VRRM

Тип и контур

600V

800V

1000В

1200В

1400V

1600V

1800V

MTC200-06-229H3/229H3B

MTC200-08-229H3/229H3B

MTC200-10-229H3/229H3B

MTC200-12-229H3/229H3B

MTC200-14-229H3/229H3B

MTC200-16-229H3/229H3B

MTC200-18-229H3/229H3B

Символ

Характеристика

Условия испытаний

Tj( ℃ )

Значение

Единица

Мин

ТИП

Макс

IT(AV)

Средний ток в проводимом состоянии

180° полусинусная волна 50 Гц Одностороннее охлаждение, Tc=85 ℃

125

200

A

IT(RMS)

Эффективный ток в состоянии включения

125

314

A

Idrm Irrm

Повторяющийся пиковый ток

при VDRM при VRRM

125

40

mA

ITSM

Импульсный ток в проводимом состоянии

10ms полуволна синусоиды VR=60%VRRM

125

4.0

кА

I2t

I2t для координации плавления

80

A ²s*10 ³

VTO

Напряжение порога

125

0.70

В

пТ

Сопротивление наклона в проводимом состоянии

1.11

мОм

VTM

Пиковое напряжение в проводимом состоянии

ITM=600A

25

1.80

В

dv/dt

Критическая скорость нарастания напряжения в выключенном состоянии

VDM=67%VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

Критическая скорость нарастания тока в состоянии включения

Источник затвора 1.5A

tr ≤0.5μs Повторяющийся

125

200

A/μs

IGT

Ток срабатывания затвора

VA= 12V, IA= 1A

25

30

200

mA

Vgt

Напряжение срабатывания затвора

0.6

2.5

В

IH

Ток удержания

10

250

mA

ИЛ

Ток захвата

1000

mA

VGD

Напряжение затвора без срабатывания

VDM=67%VDRM

125

0.2

В

Rth(j-c)

Тепловое сопротивление от узла к корпусу

Одностороннее охлаждение на чип

0.16

℃ /W

Rth(c-h)

Тепловое сопротивление корпуса к радиатору

Одностороннее охлаждение на чип

0.08

℃ /W

Визо

Изоляционное напряжение

50Hz,R.M.S,t= 1мин,Iiso:1mA(МАКС)

3000

В

ЧМ

Крутящий момент подключения терминала (M6)

2.5

4.0

Н·м

Крутящий момент монтажа (M6)

4.5

6.0

Н·м

Телевидение

Температура соединения

-40

125

℃

ТСТГ

Хранимая температура

-40

125

℃

Вт

Вес

165

g

Основные положения

229H3 、229H3B